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CoFeCrGa_(1-x)Al_(x)合金的电子结构、磁性和自旋零带隙半导体特性研究
1
作者 方旭 卢志红 李斯阳 《武汉科技大学学报》 CAS 北大核心 2021年第3期161-167,共7页
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理,研究了Al掺杂对CoFeCrGa_(1-x)Al_(x)(x=0、0.25、0.5、0.75)合金电子结构、磁性、自旋零带隙半导体特性的影响。结果表明,随着Al掺杂浓度的增加,合金晶格常数减小,总磁矩符合Slater-Pauling规... 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理,研究了Al掺杂对CoFeCrGa_(1-x)Al_(x)(x=0、0.25、0.5、0.75)合金电子结构、磁性、自旋零带隙半导体特性的影响。结果表明,随着Al掺杂浓度的增加,合金晶格常数减小,总磁矩符合Slater-Pauling规则。在整个研究范围内,CoFeCrGa_(1-x)Al_(x)(x=0、0.25、0.5、0.75)合金均为自旋零带隙半导体,随着x的增加,自旋向下能带中费米面从价带顶向导带方向移动,带隙宽度逐渐增加,当x=0.75时,费米面位于带隙中间,CoFeCrAl0.75Ga0.25在系列合金中半金属稳定性最佳。此外,当受到一定程度四方形变时,CoFeCrAl0.75Ga0.25仍能保持自旋零带隙半导体特性,有望应用于自旋电子器件。 展开更多
关键词 HEUSLER合金 自旋零带隙半导体 AL掺杂 电子结构 磁性 四方形变
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CoFeMnSi单层膜的电磁微波性能
2
作者 曹梦琪 游才印 田娜 《功能材料》 北大核心 2025年第8期8028-8032,共5页
以磁控溅射制备的CoFeMnSi(CFMS)薄膜为研究对象,系统研究了退火温度(300℃≤T A≤425℃)对CFMS薄膜磁性能与微观结构的影响。结果表明,400℃退火30 min可显著优化CFMS薄膜的性能:饱和磁化强度从636.11提升至906.05 emu/cm 3,矫顽力从72... 以磁控溅射制备的CoFeMnSi(CFMS)薄膜为研究对象,系统研究了退火温度(300℃≤T A≤425℃)对CFMS薄膜磁性能与微观结构的影响。结果表明,400℃退火30 min可显著优化CFMS薄膜的性能:饱和磁化强度从636.11提升至906.05 emu/cm 3,矫顽力从7283.40降低至6513.67 A/m,阻尼因子从0.0339急剧降低至0.0069。其主要原因是退火处理适当提升了薄膜中CFMS的结晶状态及表面粗糙度,性能优化后的CFMS薄膜在高速率、低功耗和大容量的电磁微波器方面具有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 自旋零带隙半导体薄膜 静态磁性能 动态磁性能 阻尼因子
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