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MOSFET集约模型的发展被引量：2: 1; 作者伍青青陈静 +2 位作者罗杰馨肖德元王曦《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期192-198,共7页; MOSFET集约模型作为连接半导体生产商与电路设计者之间的桥梁,是半导体行业不可或缺的一环。随着对器件物理效应的不断深入了解,以及不断满足电路设计新要求,MOSFET集约模型经历了长时间的发展。从模型的基础出发,介绍了基于阈值电压Vt... 展开更多; 关键词场效应晶体管集约模型 BSIM模型 HiSIM模型 PSP模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于表面势的GaN HEMT集约内核模型被引量：2: 2; 作者汪洁孙玲玲刘军《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第6期1-5,共5页; 从器件表面势机理出发,考虑载流子浓度升高时费米势的变化,首次在二维泊松方程中引入新的费米势近似式,重构表面势源头方程,提出了一种直接基于表面势建立氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)器件模型的方法,建立了包括积累区和过渡区... 展开更多; 关键词表面势集约内核模型费米势氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT); 在线阅读下载PDF 职称材料

对表面势为基础的MOSFET片电荷模型的基本检验被引量：2: 3; 作者何进牛旭东 +1 位作者张钢刚张兴《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1986-1989,共4页; 本文完成了对多种表面势为基础的MOSFET片电荷(charge-sheet)模型反型层电荷和沟道电流计算的基本检验.相对于以基本的MOSFET器件物理为基础的Pao-Sah模型结果,大多数片电荷模型在不同的工作区域内都会出现不同程度的反型层电荷计算误差... 展开更多; 关键词 MOSFETS 器件物理集约模型片电荷近似基本检验; 在线阅读下载PDF 职称材料

考虑量子效应的MOS器件表面势模型: 4; 作者贺道奎权五云《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期431-435,共5页; 介绍了目前基于表面势的MOSFET集约模型研究的最新进展,及考虑量子效应时对表面势进行修正的一般方法。并从三角势阱近似出发考虑量子效应,得到了一个新的表面势解析模型,并与经典理论和数值模拟结果进行了比较。模型简单、准确,且物理... 展开更多; 关键词金属-氧化物-半导体场效应晶体管表面势量子效应集约模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展被引量：8: 5; 作者王中健王龙彦 +2 位作者马仙梅付国柱荆海《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期210-216,共7页; 透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高... 展开更多; 关键词透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管有源矩阵有机发光二极管有源矩阵电泳显示器集约化模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOSFET集约模型的发展被引量：2: 1; 作者伍青青陈静罗杰馨肖德元王曦; 机构中国科学院微系统与信息技术研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期192-198,共7页; 文摘 MOSFET集约模型作为连接半导体生产商与电路设计者之间的桥梁,是半导体行业不可或缺的一环。随着对器件物理效应的不断深入了解,以及不断满足电路设计新要求,MOSFET集约模型经历了长时间的发展。从模型的基础出发,介绍了基于阈值电压Vth、反型层电荷Qi和表面势Φs这三类MOSFET集约模型的发展历程及其主要特征。; 关键词场效应晶体管集约模型 BSIM模型 HiSIM模型 PSP模型; Keywords MOSFET compact model BSIM HiSIM PSP; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于表面势的GaN HEMT集约内核模型被引量：2: 2; 作者汪洁孙玲玲刘军; 机构浙江大学电气工程学院杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第6期1-5,共5页; 基金国家重点基础研究发展计划项目(2010CB327403) 浙江省重点科技创新团队项目(GK110908002-1); 文摘从器件表面势机理出发,考虑载流子浓度升高时费米势的变化,首次在二维泊松方程中引入新的费米势近似式,重构表面势源头方程,提出了一种直接基于表面势建立氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)器件模型的方法,建立了包括积累区和过渡区的物理基集约内核模型。表面势引入模型突破了现有的建模技术,给集约模型的建立提供可信的内核模型方程和理论基础。模型采用解析近似求解获得表面势,Pao-Sah模型验证可行性,I-V、C-V特性曲线与TCAD软件仿真的结果有很好的拟合,能准确描述各种偏置条件下GaN HEMT的电流、电荷特性。; 关键词表面势集约内核模型费米势氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT); Keywords surface potential, compact core model, quasi-Fermi potential, GaN high electron mobility transistor; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名对表面势为基础的MOSFET片电荷模型的基本检验被引量：2: 3; 作者何进牛旭东张钢刚张兴; 机构北京大学信息科学技术学院微电子学系纳太器件和电路研究室北京大学深圳研究生院信息工程学院; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1986-1989,共4页; 基金国家自然科学基金(No.90607017); 文摘本文完成了对多种表面势为基础的MOSFET片电荷(charge-sheet)模型反型层电荷和沟道电流计算的基本检验.相对于以基本的MOSFET器件物理为基础的Pao-Sah模型结果,大多数片电荷模型在不同的工作区域内都会出现不同程度的反型层电荷计算误差.为了模拟沟道电流,MOSFET片电荷模型必须使用一个半经验的沟道电流方程.这个近似会导致沟道电流方程和反型层电荷方程之间物理上的不自恰,从而使计算的沟道电流结果与Pao-Sah模型相比有近10%的误差.这些基本的检验结果表明:为了保持基本的MOSFET器件物理内容和Pao-Sah模型的高精度,以表面势为基础的片电荷模型还需要一些根本的器件物理改进和进一步的模型精度提高.; 关键词 MOSFETS 器件物理集约模型片电荷近似基本检验; Keywords MOSFETs device physics compact modeling surface potential charge-sheet model; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名考虑量子效应的MOS器件表面势模型: 4; 作者贺道奎权五云; 机构复旦大学ASIC国家重点实验室; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期431-435,共5页; 文摘介绍了目前基于表面势的MOSFET集约模型研究的最新进展,及考虑量子效应时对表面势进行修正的一般方法。并从三角势阱近似出发考虑量子效应,得到了一个新的表面势解析模型,并与经典理论和数值模拟结果进行了比较。模型简单、准确,且物理意义清晰,适合于植入到基于表面势的集约模型中。; 关键词金属-氧化物-半导体场效应晶体管表面势量子效应集约模型; Keywords MOSFET surface potential quantum effects compact model; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展被引量：8: 5; 作者王中健王龙彦马仙梅付国柱荆海; 机构中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心中国科学院研究生院; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期210-216,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(No.60576056) 长春市高技术成果产业化计划项目(No.2006303); 文摘透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。; 关键词透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管有源矩阵有机发光二极管有源矩阵电泳显示器集约化模型; Keywords transparent amorphous oxide semiconductors thin-film transistors active matrix organic light emitting diode active matrix electrophoretic display compact model; 分类号 TN911.72 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	MOSFET集约模型的发展	伍青青陈静罗杰馨肖德元王曦	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2010	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于表面势的GaN HEMT集约内核模型	汪洁孙玲玲刘军	《微波学报》 CSCD 北大核心	2012	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	对表面势为基础的MOSFET片电荷模型的基本检验	何进牛旭东张钢刚张兴	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	考虑量子效应的MOS器件表面势模型	贺道奎权五云	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展	王中健王龙彦马仙梅付国柱荆海	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2009	8	在线阅读下载PDF 职称材料