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题名芯片制造中因缺陷扫描由激光导致的损伤研究(英文)
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作者
彭坤
游智星
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机构
昆明理工大学机电学院
中芯国际集成电路制造有限公司
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出处
《电子工业专用设备》
2007年第8期55-60,共6页
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文摘
在集成电路芯片制造中,激光被广泛应用于缺陷扫描或者相关的光学量测工具中。未见报道低功率的缺陷扫描时,输出功率仅数百毫瓦且扫描速度很快时,会对熔点达1420℃上的硅芯片造成影响,在制造中以Compass为代表的缺陷扫描工具被广泛而无顾虑地应用在芯片制造中。然而通过在动态储存器制造中的一个低良率事件,介绍了缺陷扫描及动态储存器的基本原理,并指出在378mW输出功率时,缺陷扫描能将电容表面硅重熔,导致电容结构被破坏。通过试验、计算指出输出功率≤100mW是安全使用功率,为芯片制造业界提供了关于表面材料为硅、氧化硅、氮化硅使用指南,避免了因Compass为代表的缺陷扫描工具广泛应用带来的额外损伤,并为以后的芯片激光快速热处理研究提供了损伤研究依据。
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关键词
激光
损伤
缺陷扫描
集成电路芯片制造
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Keywords
Laser Damage
Defect scanning
IC manufacturing
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分类号
TN247
[电子电信—物理电子学]
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