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SOI材料（Silicon on Insulator Materials）
1
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期411-411,共1页
SOI材料是新型硅基集成电路材料的简称。这类材料是为了适应航空航天、电子、导弹等武器系统的控制和卫星电子系统的需求而发展起来的。SOI材料具有以下突出优点：1、低功耗；2、低开启电压；3、高速；4、提高集成度；5、与现有集成电...
SOI材料是新型硅基集成电路材料的简称。这类材料是为了适应航空航天、电子、导弹等武器系统的控制和卫星电子系统的需求而发展起来的。SOI材料具有以下突出优点：1、低功耗；2、低开启电压；3、高速；4、提高集成度；5、与现有集成电路完全兼容且减少工艺程序；6、耐高温；7、抗辐照从而减少软件误差。这些优点使得SOI技术在绝大多数硅基集成电路方面具有极其广泛的应用背景，从而受到世界各大集成电路制造商和各国政府的高度重视，被国际上公认为“21世纪的硅基集成电路技术。”
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关键词
SOI
材料
集成电路材料
卫星电子系统
集成电路
技术
SOI技术
航空航天
武器系统
开启电压
高
集成
度
工艺程序
21世纪
硅基
低功耗
全兼容
耐高温
抗辐照
制造商
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职称材料
材料设备业创新需政策助力
2
《机床与液压》
北大核心
2011年第5期97-97,共1页
从2010年开始，中国集成电路市场步人新一轮成长期，但市场的发展速度将不会再现前几年的高速增长态势，平稳增长将成为未来中国集成电路市场发展的主旋律。未来3年中国集成电路市场发展速度将保持在10％以上。因此，国内集成电路材料...
从2010年开始，中国集成电路市场步人新一轮成长期，但市场的发展速度将不会再现前几年的高速增长态势，平稳增长将成为未来中国集成电路市场发展的主旋律。未来3年中国集成电路市场发展速度将保持在10％以上。因此，国内集成电路材料和设备企业，应该抓住机遇，努力创新，在重点材料和设备方面有所突破，满足国内市场需求。
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关键词
材料
设备
创新
集成电路材料
市场发展
发展速度
市场需求
中国
国内
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职称材料
基于“突变—演化”模型的颠覆性技术识别方法及应用
被引量：
5
3
作者
熊焰
张凌恺
+1 位作者
陈旭
江瑶
《情报杂志》
CSSCI
北大核心
2023年第12期119-126,152,共9页
[研究目的]瞄准世界科技前沿,有效识别并前瞻布局颠覆性技术,已成为我国塑造未来竞争新优势,实现高水平科技自立自强的关键。[研究方法]从颠覆性技术的突变特征与演化路径出发,构建“突变—演化”模型;再计算技术突变值与技术演化值,识...
[研究目的]瞄准世界科技前沿,有效识别并前瞻布局颠覆性技术,已成为我国塑造未来竞争新优势,实现高水平科技自立自强的关键。[研究方法]从颠覆性技术的突变特征与演化路径出发,构建“突变—演化”模型;再计算技术突变值与技术演化值,识别出候选颠覆性技术;最后对比现有研究,并参考专家意见和行业报告,验证模型的有效性,筛选出颠覆性技术。[研究结论]以集成电路材料专利数据为样本,识别出“光刻胶”“非硅基衬底材料”和“封装材料”等主题是集成电路材料颠覆性技术的重点方向,与目前集成电路材料产业发展现状相一致,验证了“突变-演化”颠覆性技术识别模型的科学性及有效性。
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关键词
颠覆性技术
“突变—演化”模型
技术识别
集成电路材料
专利分析
指标体系
突变理论
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职称材料
题名
SOI材料（Silicon on Insulator Materials）
1
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期411-411,共1页
文摘
SOI材料是新型硅基集成电路材料的简称。这类材料是为了适应航空航天、电子、导弹等武器系统的控制和卫星电子系统的需求而发展起来的。SOI材料具有以下突出优点：1、低功耗；2、低开启电压；3、高速；4、提高集成度；5、与现有集成电路完全兼容且减少工艺程序；6、耐高温；7、抗辐照从而减少软件误差。这些优点使得SOI技术在绝大多数硅基集成电路方面具有极其广泛的应用背景，从而受到世界各大集成电路制造商和各国政府的高度重视，被国际上公认为“21世纪的硅基集成电路技术。”
关键词
SOI
材料
集成电路材料
卫星电子系统
集成电路
技术
SOI技术
航空航天
武器系统
开启电压
高
集成
度
工艺程序
21世纪
硅基
低功耗
全兼容
耐高温
抗辐照
制造商
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN403 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
材料设备业创新需政策助力
2
出处
《机床与液压》
北大核心
2011年第5期97-97,共1页
文摘
从2010年开始，中国集成电路市场步人新一轮成长期，但市场的发展速度将不会再现前几年的高速增长态势，平稳增长将成为未来中国集成电路市场发展的主旋律。未来3年中国集成电路市场发展速度将保持在10％以上。因此，国内集成电路材料和设备企业，应该抓住机遇，努力创新，在重点材料和设备方面有所突破，满足国内市场需求。
关键词
材料
设备
创新
集成电路材料
市场发展
发展速度
市场需求
中国
国内
分类号
TN403 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于“突变—演化”模型的颠覆性技术识别方法及应用
被引量：
5
3
作者
熊焰
张凌恺
陈旭
江瑶
机构
上海应用技术大学经济与管理学院
上海工程技术大学管理学院
出处
《情报杂志》
CSSCI
北大核心
2023年第12期119-126,152,共9页
基金
国家自然科学基金项目“国际学习对制造企业国际化速度的作用机制与时空效应研究”(编号:71974130)
上海市2023年度“科技创新行动计划”软科学研究项目“面向上海未来产业培育的颠覆性技术识别及突破路径研究”(编号:23692123100)
上海市青年科技英才扬帆计划项目“上海融合性数字产业‘卡脖子’技术甄选机制与攻关路径研究”(编号:21YF1415900)研究成果。
文摘
[研究目的]瞄准世界科技前沿,有效识别并前瞻布局颠覆性技术,已成为我国塑造未来竞争新优势,实现高水平科技自立自强的关键。[研究方法]从颠覆性技术的突变特征与演化路径出发,构建“突变—演化”模型;再计算技术突变值与技术演化值,识别出候选颠覆性技术;最后对比现有研究,并参考专家意见和行业报告,验证模型的有效性,筛选出颠覆性技术。[研究结论]以集成电路材料专利数据为样本,识别出“光刻胶”“非硅基衬底材料”和“封装材料”等主题是集成电路材料颠覆性技术的重点方向,与目前集成电路材料产业发展现状相一致,验证了“突变-演化”颠覆性技术识别模型的科学性及有效性。
关键词
颠覆性技术
“突变—演化”模型
技术识别
集成电路材料
专利分析
指标体系
突变理论
Keywords
disruptive technology
mutation-evolution model
technology identification
integrated circuit materials
patent analysis
indicator system
mutation theory
分类号
G353.1 [文化科学—情报学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SOI材料（Silicon on Insulator Materials）
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
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职称材料
2
材料设备业创新需政策助力
《机床与液压》
北大核心
2011
0
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职称材料
3
基于“突变—演化”模型的颠覆性技术识别方法及应用
熊焰
张凌恺
陈旭
江瑶
《情报杂志》
CSSCI
北大核心
2023
5
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