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硅基光电集成材料及器件的研究进展 被引量:1
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作者 韦文生 张春熹 +1 位作者 周克足 王天民 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第5期31-35,共5页
以硅基光电集成回路为主线,综述了不同的硅基光波导材料的制备技术和硅基光波导的制作工艺及其对光传输损耗的影响。分析了硅基光波导与锗硅光探测器集成用两种不同的耦合方式,阐明了波导与探测器集成的机理及设计理论基础。归纳出硅基... 以硅基光电集成回路为主线,综述了不同的硅基光波导材料的制备技术和硅基光波导的制作工艺及其对光传输损耗的影响。分析了硅基光波导与锗硅光探测器集成用两种不同的耦合方式,阐明了波导与探测器集成的机理及设计理论基础。归纳出硅基键合激光器的四种技术方案,指出其共同优点是克服材料异质外延引起的晶格失配和热膨胀非共容,对实现OEIC行之有效。 展开更多
关键词 硅基光电集成材料 光电集成器件 硅基光波导材料 制备技术 硅基光波导 光传输损耗 锗硅光探测器 耦合方式
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信息时代的铌酸锂晶体:进展与展望 被引量:5
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作者 刘宏 桑元华 +2 位作者 孙德辉 王东周 王继扬 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第4期708-715,共8页
铌酸锂晶体具有非线性效应、电光效应、声光效应、光折变效应、压电效应与热释电效应等多种物理特性,在表面声波器件、光电器件、声光器件等方面获得广泛的应用。经历了六十多年的发展,铌酸锂晶体历久弥新,随着材料特性的不断开发,新功... 铌酸锂晶体具有非线性效应、电光效应、声光效应、光折变效应、压电效应与热释电效应等多种物理特性,在表面声波器件、光电器件、声光器件等方面获得广泛的应用。经历了六十多年的发展,铌酸锂晶体历久弥新,随着材料特性的不断开发,新功能、新器件、新应用层出不穷,尤其是铌酸锂单晶薄膜在薄膜滤波器、集成光电器件等领域的性能具有明显优势,被称为新一代信息和通信技术的关键材料。应用器件的发展正迫切要求基质晶体材料的发展,本文通过简述近年来铌酸锂的新发现、新应用,相应地探讨了铌酸锂晶体未来发展方向。 展开更多
关键词 铌酸锂 单晶薄膜 大尺寸 集成光电器件
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无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究 被引量:1
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作者 张晓丹 赵杰 +1 位作者 王永晨 金鹏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期119-123,共5页
采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快... 采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快速热退火处理 (RTA)。实验结果表明 :多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关。带隙蓝移随退火温度的升高而加大。InP、Si3 N4 复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2 复合盖层。而InGaAs、SiO2 复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3 N4 复合盖层。同时 ,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致 ,因此 。 展开更多
关键词 无杂质空位诱导无序 光荧光谱 光调制反射谱 铟镓砷磷化合物 磷化铟 多量子阱结构 单片集成光电器件
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苯乙炔封端的可交联含氟聚芳醚的合成及性能 被引量:6
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作者 呼微 刘佰军 +5 位作者 王冬 马小野 饶先花 李婷 姜振华 吴忠文 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期1522-1524,共3页
The crosslinkable trifluoromethylated poly(aryl ethers) terminated with phenylethynyl moieties(11F-PAE-PEP)s were prepared in two step syntheses. The structure of 11F-PAE-PEP was confirmed by FTIR and 1H NMR. The cros... The crosslinkable trifluoromethylated poly(aryl ethers) terminated with phenylethynyl moieties(11F-PAE-PEP)s were prepared in two step syntheses. The structure of 11F-PAE-PEP was confirmed by FTIR and 1H NMR. The crosslinking behavior was studied by DSC. There is a remarkable increase of T g after crosslinking of the poly(aryl ethers). The T g values of crosslinked polymers were 437 and 446 K, respectively. The crosslinked polymers could not be soluble in common organic solvents, such as N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidinone, chloroform, and tetrahydrofuran. The temperatures at a 5% mass loss of the crosslinked polymers in air were above 789 K. They showed a good optical property, too. This kind of polymers will be the promising materials used as the microelectronics and optical waveguide devices. 展开更多
关键词 苯乙炔端基 交联 含氟聚芳醚 合成 性能 含氟聚合物 光电集成器件
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