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磁性半导体隧道结中自旋注入效率的温度效应
1
作者
马军
《科学技术与工程》
北大核心
2012年第3期482-485,共4页
利用了隧道哈密顿方法研究了稀磁性半导体(DMS)到非磁性半导体(SM)隧道结中自旋注入效率与温度的关系。计算表明,随着温度的升高,自旋注入效率逐渐降低。这主要是由两方面的原因引起的,其一温度升高稀磁半导体的极化率降低;其二温度升...
利用了隧道哈密顿方法研究了稀磁性半导体(DMS)到非磁性半导体(SM)隧道结中自旋注入效率与温度的关系。计算表明,随着温度的升高,自旋注入效率逐渐降低。这主要是由两方面的原因引起的,其一温度升高稀磁半导体的极化率降低;其二温度升高自旋反转隧穿增加。
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关键词
稀磁半导体
自旋注入效率
隧道哈密顿
线性响应
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职称材料
题名
磁性半导体隧道结中自旋注入效率的温度效应
1
作者
马军
机构
中国药科大学基础部
出处
《科学技术与工程》
北大核心
2012年第3期482-485,共4页
文摘
利用了隧道哈密顿方法研究了稀磁性半导体(DMS)到非磁性半导体(SM)隧道结中自旋注入效率与温度的关系。计算表明,随着温度的升高,自旋注入效率逐渐降低。这主要是由两方面的原因引起的,其一温度升高稀磁半导体的极化率降低;其二温度升高自旋反转隧穿增加。
关键词
稀磁半导体
自旋注入效率
隧道哈密顿
线性响应
Keywords
diluted magnetic semiconductor spin injection efficiency tunneling hamilton linear response
分类号
O472.7 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
磁性半导体隧道结中自旋注入效率的温度效应
马军
《科学技术与工程》
北大核心
2012
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