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钯/超薄氧化层/硅隧道二极管氢敏器件的研制: 1; 作者李树荣郭维廉李良全《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期18-19,55,共3页; 本文采用Ｐｄ／ＵＴＳｉＯ２／ｎ－Ｓｉ隧道二极管结构，研制出在常温下空气中。; 关键词钯 MIS 隧道二极管氢敏器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

隧道二极管的导电机理: 2; 作者丁士连周全华《天津师大学报（自然科学版）》 1992年第2期32-35,72,共5页; 本文讨论了隧道结的形成,并用量子力学的隧道效应说明了隧道二极管的导电机理。; 关键词隧道结隧道二极管; 在线阅读下载PDF 职称材料

BEPCⅡ束团缺口信号的提取: 3; 作者王科刘振安 +1 位作者龚文煊过雅南《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期112-116,共5页; 基于隧道二极管单稳态电路、高速可重触发电路、ECL技术等多种高速电路技术设计了BEPCⅡ束团缺口信号提取电路。介绍了BEPCⅡ储存环中带缺口的多束团运行模式。对Pickup电极感应信号经过长电缆传输衰减后的波形进行了研究。分析了缺口... 展开更多; 关键词北京正负电子对撞机 Pickup电极缺口信号隧道二极管单稳态触发器; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种对高速脉冲边沿整形、调整的设计方案被引量：2: 4; 作者张嘉岷王厚军付在明《电子测量技术》 2007年第7期175-177,共3页; 随着高速脉冲的广泛应用,作为决定脉冲质量的重要参数,脉冲上升、下降时间也越来越受到重视。针对高速脉冲发生中对脉冲边沿陡峭、可控的要求,本文提出了一种使用隧道二极管对脉冲边沿整形,利用场效应管开关和恒流源充放电电路控制脉冲... 展开更多; 关键词脉冲边沿整形脉冲边沿调整隧道二极管场效应管开关; 在线阅读下载PDF 职称材料

知识窗: 5; 《制造技术与机床》北大核心 2019年第1期43-43,共1页; 负阻特性(negative resistance characteristic)指兀件两端的电压能通过它的电流的增加而降低的特性。表现在伏安特性上将出现下降的一段曲线。如单结晶体管、隧道二极管等半导体器件在伏安特性曲线上就有负阻特性曲线段。负阻效应(dyat... 展开更多; 关键词伏安特性曲线阳极电压知识负阻特性负阻效应单结晶体管半导体器件隧道二极管; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名钯/超薄氧化层/硅隧道二极管氢敏器件的研制: 1; 作者李树荣郭维廉李良全; 机构天津大学电子工程系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期18-19,55,共3页; 文摘本文采用Ｐｄ／ＵＴＳｉＯ２／ｎ－Ｓｉ隧道二极管结构，研制出在常温下空气中。; 关键词钯 MIS 隧道二极管氢敏器件; 分类号 TN303 [电子电信—物理电子学] TN312.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名隧道二极管的导电机理: 2; 作者丁士连周全华; 机构天津大学分校天津师范大学; 出处《天津师大学报（自然科学版）》 1992年第2期32-35,72,共5页; 文摘本文讨论了隧道结的形成,并用量子力学的隧道效应说明了隧道二极管的导电机理。; 关键词隧道结隧道二极管; 分类号 TN312.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名BEPCⅡ束团缺口信号的提取: 3; 作者王科刘振安龚文煊过雅南; 机构中国科学院高能物理研究所; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期112-116,共5页; 基金北京正负电子对撞机重大改造工程项目资助课题中国科学院知识创新基金资助课题(U-602 U-34); 文摘基于隧道二极管单稳态电路、高速可重触发电路、ECL技术等多种高速电路技术设计了BEPCⅡ束团缺口信号提取电路。介绍了BEPCⅡ储存环中带缺口的多束团运行模式。对Pickup电极感应信号经过长电缆传输衰减后的波形进行了研究。分析了缺口提取电路中处理快速信号的隧道二极管单稳态电路原理,该电路可以将0.3 ns的正脉冲展宽到4 ns的ECL电平脉冲。给出了标准束团注入和非标准注入情况下束团缺口判定逻辑。测试结果表明:此电路对各种束团注入情况均能正常工作,且提取出的同步信号均方根抖动值仅为80.49 ps,满足设计要求。; 关键词北京正负电子对撞机 Pickup电极缺口信号隧道二极管单稳态触发器; Keywords BEPCⅡ Pickup pole Fiducial signal Tunnel diode Monostable muhivibrator; 分类号 TN7 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种对高速脉冲边沿整形、调整的设计方案被引量：2: 4; 作者张嘉岷王厚军付在明; 机构电子科技大学自动化工程学院; 出处《电子测量技术》 2007年第7期175-177,共3页; 文摘随着高速脉冲的广泛应用,作为决定脉冲质量的重要参数,脉冲上升、下降时间也越来越受到重视。针对高速脉冲发生中对脉冲边沿陡峭、可控的要求,本文提出了一种使用隧道二极管对脉冲边沿整形,利用场效应管开关和恒流源充放电电路控制脉冲边沿时间的方案,并对其电路和隧道二极管的工作原理进行了具体分析。从试验结果看,该方案能将脉冲的边沿时间整形至800ps左右,同时实现边沿时间的可控调整。; 关键词脉冲边沿整形脉冲边沿调整隧道二极管场效应管开关; Keywords pulse edge rectifier pulse edge adjuster tunnel diode FET switch; 分类号 TN78 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名知识窗: 5; 出处《制造技术与机床》北大核心 2019年第1期43-43,共1页; 文摘负阻特性(negative resistance characteristic)指兀件两端的电压能通过它的电流的增加而降低的特性。表现在伏安特性上将出现下降的一段曲线。如单结晶体管、隧道二极管等半导体器件在伏安特性曲线上就有负阻特性曲线段。负阻效应(dyatrom effeet)在一定条件下,某些元器件会出现电压升高电流减小或电压降低电流增加,这种现象称为负阻效应。如四极管、当屏栅电压高于阳极电压时,由于阳极发射的二次电子使阳极电流随阳极电压的升高而减小,而屏栅电流则相应增大。即出现负租效应8电子管运用在负阻效应的区段会使放大的信号产生严重失真等缺陷。因此,应用四极管时,阳极电压不能低于屏栅电压,这就大大限制了四极管阳极电压的运用范围。; 关键词伏安特性曲线阳极电压知识负阻特性负阻效应单结晶体管半导体器件隧道二极管; 分类号 TN722.75 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料