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基于隧穿磁阻效应的宽频微小量程电流传感器设计及噪声分析
被引量:
12
1
作者
胡军
王博
+3 位作者
盛新富
赵根
赵帅
何金良
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第7期2545-2553,共9页
针对电网中微弱电流的测量需求,研制了基于隧穿磁阻效应的百μA级无接触式微电流传感器,并对微电流传感器进行低噪声设计,包括电源模块、放大模块、调零和输出模块。测试了采用不同传感芯片传感器的微弱电流探测能力,其最小可测电流幅值...
针对电网中微弱电流的测量需求,研制了基于隧穿磁阻效应的百μA级无接触式微电流传感器,并对微电流传感器进行低噪声设计,包括电源模块、放大模块、调零和输出模块。测试了采用不同传感芯片传感器的微弱电流探测能力,其最小可测电流幅值为280μA,对应传感器的带宽达10 kHz。并对传感器系统各模块的噪声水平进行了测量分析与计算,结果表明隧穿磁阻芯片的1/f噪声(低频噪声)是限制传感器最小可测电流幅值的主要因素。该微电流传感器可以适应智能电网微弱电流测量需求。
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关键词
隧穿磁阻效应
电流传感芯片
无接触式
微弱电流传感器
1/f噪声
低频噪声
智能电网
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职称材料
单晶二维材料势垒层磁性隧道结温度效应的理论研究
被引量:
1
2
作者
方贺男
孙星宇
+1 位作者
吕涛涛
吕杰
《河南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2021年第4期39-46,共8页
基于传统光学衍射理论构建了适用于单晶势垒层磁性隧道结的理论模型.该理论模型将单晶势垒层视作周期性的衍射光栅,所以可以计入单晶势垒层对隧穿电子散射产生的相干性.利用此理论,研究了单晶二维材料势垒层磁性隧道结的温度效应.理论...
基于传统光学衍射理论构建了适用于单晶势垒层磁性隧道结的理论模型.该理论模型将单晶势垒层视作周期性的衍射光栅,所以可以计入单晶势垒层对隧穿电子散射产生的相干性.利用此理论,研究了单晶二维材料势垒层磁性隧道结的温度效应.理论结果表明,由于隧穿电子波为势垒层散射而具有强相干性,所以隧穿电阻和TMR会随温度非单调变化.这解释了已有的实验结果,并阐明了其物理机制.此外,还研究了晶格畸变对单晶二维材料势垒层磁性隧道结温度特性的影响.这些研究结果为优化单晶二维材料势垒层磁性隧道结的温度特性奠定了坚实的理论基础.
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关键词
磁性
隧
道结
隧穿磁阻效应
二维材料
温度
效应
自旋电子学
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职称材料
题名
基于隧穿磁阻效应的宽频微小量程电流传感器设计及噪声分析
被引量:
12
1
作者
胡军
王博
盛新富
赵根
赵帅
何金良
机构
清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室
出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第7期2545-2553,共9页
基金
国家自然科学基金(51720105004)
国家电网公司科技项目(5202011600UJ)。
文摘
针对电网中微弱电流的测量需求,研制了基于隧穿磁阻效应的百μA级无接触式微电流传感器,并对微电流传感器进行低噪声设计,包括电源模块、放大模块、调零和输出模块。测试了采用不同传感芯片传感器的微弱电流探测能力,其最小可测电流幅值为280μA,对应传感器的带宽达10 kHz。并对传感器系统各模块的噪声水平进行了测量分析与计算,结果表明隧穿磁阻芯片的1/f噪声(低频噪声)是限制传感器最小可测电流幅值的主要因素。该微电流传感器可以适应智能电网微弱电流测量需求。
关键词
隧穿磁阻效应
电流传感芯片
无接触式
微弱电流传感器
1/f噪声
低频噪声
智能电网
Keywords
tunneling magnetoresistance effect
current sensor chip
contactless
weak current sensor
1/f noise
low frequency noise
smart grids
分类号
TM933.1 [电气工程—电力电子与电力传动]
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
单晶二维材料势垒层磁性隧道结温度效应的理论研究
被引量:
1
2
作者
方贺男
孙星宇
吕涛涛
吕杰
机构
南京邮电大学电子与光学工程学院
出处
《河南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2021年第4期39-46,共8页
基金
国家自然科学基金(11704197)。
文摘
基于传统光学衍射理论构建了适用于单晶势垒层磁性隧道结的理论模型.该理论模型将单晶势垒层视作周期性的衍射光栅,所以可以计入单晶势垒层对隧穿电子散射产生的相干性.利用此理论,研究了单晶二维材料势垒层磁性隧道结的温度效应.理论结果表明,由于隧穿电子波为势垒层散射而具有强相干性,所以隧穿电阻和TMR会随温度非单调变化.这解释了已有的实验结果,并阐明了其物理机制.此外,还研究了晶格畸变对单晶二维材料势垒层磁性隧道结温度特性的影响.这些研究结果为优化单晶二维材料势垒层磁性隧道结的温度特性奠定了坚实的理论基础.
关键词
磁性
隧
道结
隧穿磁阻效应
二维材料
温度
效应
自旋电子学
Keywords
magnetic tunnel junction
tunneling magnetoresistance
two-dimension materials
effect of temperature
spintronics
分类号
O484.3 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于隧穿磁阻效应的宽频微小量程电流传感器设计及噪声分析
胡军
王博
盛新富
赵根
赵帅
何金良
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
12
在线阅读
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职称材料
2
单晶二维材料势垒层磁性隧道结温度效应的理论研究
方贺男
孙星宇
吕涛涛
吕杰
《河南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2021
1
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职称材料
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