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基于隧穿磁阻磁强计的软物理不可克隆函数设计
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作者 李翔宇 刘冬生 +2 位作者 汪鹏君 李乐薇 张跃军 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第9期3184-3192,共9页
隧穿磁阻(TMR)传感器相比于其他类型磁阻传感器功耗更低、灵敏度更高、可靠性更好,在军事和民用等领域有着广阔的应用前景。该文针对TMR传感器的微弱信号检测和安全防护等问题,提出一种高精度TMR传感器读取专用集成电路(ASIC)和提取传... 隧穿磁阻(TMR)传感器相比于其他类型磁阻传感器功耗更低、灵敏度更高、可靠性更好,在军事和民用等领域有着广阔的应用前景。该文针对TMR传感器的微弱信号检测和安全防护等问题,提出一种高精度TMR传感器读取专用集成电路(ASIC)和提取传感器物理不可克隆函数(PUF)特性的设计方案。该方案通过设计前端低噪声仪表放大器和高精度模数转换器,并结合斩波技术和纹波抑制技术,实现高精度信号读取和模数转换;利用具备数字输出功能的TMR磁强计比较不同传感器零位偏差,采用多位随机平衡算法完成TMR磁强计的软PUF设计,可产生128 bit PUF响应。TMR传感器读取ASIC利用上海华虹0.35μm CMOS工艺完成流片,并测试磁强计功能和TMR-PUF性能。实验结果表明,在5V电源电压下,TMR磁强计系统功耗约10 mW,噪底可达–140 dBV,3次谐波失真–107 dB;TMR-PUF的唯一性达到47.8%,稳定性为97.85%,与相关文献比较性能优异。 展开更多
关键词 隧穿磁阻传感器 物理不可克隆函数 读取电路
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基于隧穿磁阻效应的数字化电涌保护器研制
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作者 鲍慢慢 《农村电气化》 2025年第3期85-88,共4页
针对传统电涌保护器智能化和数字化程度较低的问题,提出了基于隧穿磁阻效应电涌保护器泄漏电流采集方法,并设计了基于该方法的软硬件。测试结果表明,所研制的数字化电涌保护器可准确测量泄漏电流,系统预警准确率100%,提升了电涌保护器... 针对传统电涌保护器智能化和数字化程度较低的问题,提出了基于隧穿磁阻效应电涌保护器泄漏电流采集方法,并设计了基于该方法的软硬件。测试结果表明,所研制的数字化电涌保护器可准确测量泄漏电流,系统预警准确率100%,提升了电涌保护器故障检出率,保障了新型电力系统安全可靠运行。 展开更多
关键词 隧穿磁阻 电涌保护器 数字化
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基于TMR的U型差分高线性度电流传感器
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作者 周冬 曾蕙明 +2 位作者 韩梓硕 张黎可 方彬 《无线电工程》 2025年第2期416-423,共8页
针对隧穿磁阻效应(Tunneling Magnetoresistance, TMR)电流传感器线性度不理想、准确度易受温度变化和外磁场影响及测量分辨率低的问题,对TMR电流传感器的功率放大器进行改进并设计了U型探头结构。通过采用V/A转换电路作为功放电路,提... 针对隧穿磁阻效应(Tunneling Magnetoresistance, TMR)电流传感器线性度不理想、准确度易受温度变化和外磁场影响及测量分辨率低的问题,对TMR电流传感器的功率放大器进行改进并设计了U型探头结构。通过采用V/A转换电路作为功放电路,提高了传感器的线性度,同时有效解决了测量分辨率与反馈精度之间的矛盾。仿真结果表明,相较于传统的互补推挽电路,V/A转换电路将整体电路的非线性误差降低了96.7%。在对比测试中,尽管普通结构和U型差分结构均采用了V/A转换电路,但U型差分结构相较于普通结构能显著降低非线性误差(降低78.3%),灵敏度提高至1.263 V/A,平均相对误差减少了75.6%。结果表明,提出的U型差分结构在提升电流传感器性能方面效果显著,展现出良好的实际应用价值。 展开更多
关键词 电流传感器 隧穿磁阻效应 差分结构 闭环结构 功率放大电路
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γ-石墨炔基分子磁隧道结的输运性能
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作者 李瑾 邸茂云 +1 位作者 刘旭光 杨致 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第12期1953-1962,共10页
对γ-石墨炔进行剪切可以得到零维γ-石墨炔纳米点(γ-GYND),采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法,利用γ-石墨炔纳米点和锯齿型石墨烯纳米带理论设计了三种连接方式的分子磁隧道结(MMTJ),并研究了这三种磁隧道结的输运性能... 对γ-石墨炔进行剪切可以得到零维γ-石墨炔纳米点(γ-GYND),采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法,利用γ-石墨炔纳米点和锯齿型石墨烯纳米带理论设计了三种连接方式的分子磁隧道结(MMTJ),并研究了这三种磁隧道结的输运性能。研究结果表明,γ-石墨炔纳米点和锯齿型石墨烯纳米带连接方式不同,所构建的几种分子磁隧道结输运性能不同,即随着电压的增加,三种分子磁隧道结中电流的变化趋势不同,虽然都观察到了明显的自旋过滤效应和巨磁阻效应,但自旋极化率和隧穿磁阻不同,其中隧穿磁阻最大可达10^(9)%量级,这一数值远高于传统磁隧道结,实验上这一数值只有18%。以上结果表明,γ-石墨炔纳米点和锯齿型石墨烯纳米带所组成的磁隧道结可以应用于自旋电子器件,也可用于通过改变电压或磁场信号得到相应的电流从而起到信息传递作用的分子传感器。 展开更多
关键词 分子磁道结(MMTJ) 石墨炔纳米点 石墨烯纳米带(GNR) 自旋过滤效应 隧穿磁阻效应
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基于γ-石墨炔分子磁隧道结对称性依赖的输运性质
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作者 杨贻顺 周敏 邢燕霞 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第4期84-91,共8页
利用非平衡格林函数和密度泛函理论,研究不同类型γ-石墨炔分子磁隧道结(MMTJ)自旋极化输运特性的影响。磁隧道结以铁磁性的锯齿形石墨烯纳米带作电极。随着纳米带宽度变化,考虑γ-石墨炔的两种接触点,我们构造了8种有代表性的且具有不... 利用非平衡格林函数和密度泛函理论,研究不同类型γ-石墨炔分子磁隧道结(MMTJ)自旋极化输运特性的影响。磁隧道结以铁磁性的锯齿形石墨烯纳米带作电极。随着纳米带宽度变化,考虑γ-石墨炔的两种接触点,我们构造了8种有代表性的且具有不同对称性的隧道结。通过计算我们发现,对称性对磁隧道结的自旋输运起决定性作用。对于偶数碳链的锯齿形石墨烯纳米带,石墨炔的接触点位居于正中,这种结构的自旋极化输运性质远优于其它结构。比如在非常宽的偏压范围内都能达到100%的自旋极化率,且隧穿磁阻(TMR)高达3.7×10^(5),这表明该结构在自旋滤波器和自旋阀器件方面的应用潜力最大。与之形成对比的是,当耦合位置偏离锯齿形石墨烯纳米带的中心时,输运性质迅速变为普通电输运,相应的巨磁阻效应比最优对称结构约小4个数量级。 展开更多
关键词 非平衡格林函数 密度泛函理论 石墨烯纳米带 γ-石墨炔纳米点 自旋极化效率 隧穿磁阻 自旋极化输运性质
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