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新型磁性隧道结材料及其隧穿磁电阻效应 被引量:15
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作者 韩秀峰 刘厚方 +6 位作者 张佳 师大伟 刘东屏 丰家峰 魏红祥 王守国 詹文山 《中国材料进展》 CAS CSCD 2013年第6期339-353,共15页
典型的磁性隧道结是"三明治"结构,即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1 nm量级的绝缘势垒层构成。当外加磁场使两铁磁电极的磁矩由平行态向反平行态翻转时,隧穿电阻会发生低电阻态向高电阻态的转变。自从1995年发现室温隧穿... 典型的磁性隧道结是"三明治"结构,即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1 nm量级的绝缘势垒层构成。当外加磁场使两铁磁电极的磁矩由平行态向反平行态翻转时,隧穿电阻会发生低电阻态向高电阻态的转变。自从1995年发现室温隧穿磁电阻(TMR)以来,非晶势垒的AlOx磁性隧道结在磁性随机存储器(MRAM)和磁硬盘磁读头(Read Head)中得到了广泛的应用,2007年室温下其磁电阻比值可达到80%。下一代高速、低功耗、高性能的自旋电子学器件的发展,迫切需要更高的室温TMR比值和新型的调制结构。2001年通过第一性原理计算发现:由于MgO(001)势垒对不同对称性的自旋极化电子具有自旋过滤(Spin Filter)效应,单晶外延的Fe(001)/MgO(001)/Fe(001)磁性隧道结的TMR比值可超过1 000%,随后2004年在单晶或多晶的MgO磁性隧道结中获得室温约200%的TMR比值,2008年更是在赝自旋阀结构CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结中获得高达604%的室温TMR比值。伴随着新势垒材料的不断发现和各种磁性隧道结结构的优化,共振隧穿和自旋依赖的库仑阻塞磁电阻等新效应以及磁性传感器、磁性随机存储器和自旋纳米振荡器及微波检测器等新器件逐渐成为科学和工业界所关注的研究与应用热点。对磁性隧道结(MTJ)材料及其器件应用研究和进展进行了简要介绍。 展开更多
关键词 电阻效应 穿电阻效应 道结 第一性原理计算 自旋转移力矩效应 库仑阻塞电阻 随机存储器
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抗外磁场干扰的双气隙TMR电流传感器研究
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作者 曹岚溪 梁先锋 +3 位作者 关蒙萌 鞠登峰 胡忠强 刘明 《传感器与微系统》 北大核心 2025年第6期16-20,共5页
电流传感器作为新型电力系统的重要组成部分,在强电磁干扰环境下的精度和稳定性面临极大挑战。本文提出了一种能够有效抵抗外部磁场干扰的隧穿磁电阻(TMR)磁敏直流电流传感器设计方案,利用聚磁环的双气隙结构,有效降低了外部共模信号干... 电流传感器作为新型电力系统的重要组成部分,在强电磁干扰环境下的精度和稳定性面临极大挑战。本文提出了一种能够有效抵抗外部磁场干扰的隧穿磁电阻(TMR)磁敏直流电流传感器设计方案,利用聚磁环的双气隙结构,有效降低了外部共模信号干扰,并结合外部屏蔽设计,进一步减弱了外部磁场对测量精度的影响。在±20 Ap量程范围内,该传感器的线性度误差优于0.5%,且在外部磁场干扰下的输出变化量小于0.014%,为复杂工况下的高精度直流电流信号感知提供了有效的解决方案。 展开更多
关键词 穿电阻 电流传感器 双气隙 屏蔽结构
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铁磁/半导体/铁磁隧道结中的隧穿磁电阻 被引量:2
3
作者 张红梅 《河北科技大学学报》 CAS 2007年第3期194-197,217,共5页
采用相干量子输运理论和传递矩阵方法研究了具有不同自旋指向的极化电子渡越铁磁/半导体/铁磁隧道结的隧穿几率和隧穿磁电阻。研究表明隧穿几率和隧穿磁电阻随半导体长度的改变发生周期性变化、随Rashba自旋轨道耦合强度的改变发生准周... 采用相干量子输运理论和传递矩阵方法研究了具有不同自旋指向的极化电子渡越铁磁/半导体/铁磁隧道结的隧穿几率和隧穿磁电阻。研究表明隧穿几率和隧穿磁电阻随半导体长度的改变发生周期性变化、随Rashba自旋轨道耦合强度的改变发生准周期变化,并且在两铁磁电极中磁矩取向平行时,选择适当的半导体的长度和Rashba自旋轨道耦合强度可以得到较大的隧穿磁电阻。 展开更多
关键词 道结 穿几率 穿电阻 自旋轨道耦合
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包裹SiO_2薄层的Fe_3O_4纳米颗粒体系中增强的隧穿磁电阻效应
4
作者 宋朋云 王峻峰 严慧娟 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期338-342,共5页
Fe3O4是一种半金属材料,在金属磁性氧化物当中有着较高的居里温度(858 K),因此在自旋电子应用当中有广阔的前景。通过在直径大约200 nm的单分散Fe3O4微球外包裹一层绝缘的SiO2壳层而人工引入晶界,再冷压烧结成块状制成样品。与包膜前相... Fe3O4是一种半金属材料,在金属磁性氧化物当中有着较高的居里温度(858 K),因此在自旋电子应用当中有广阔的前景。通过在直径大约200 nm的单分散Fe3O4微球外包裹一层绝缘的SiO2壳层而人工引入晶界,再冷压烧结成块状制成样品。与包膜前相比,样品的磁电阻效应大为增强,而且两者磁电阻的行为明显不同,后者在高场下出现一个线性关系,这是由SiO2晶界引起的,相关的探索给出了一条新的提高磁电阻效应的途径。 展开更多
关键词 FE3O4纳米颗粒 半金属 非本征电阻效应 自旋极化穿
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反铁磁Cr插入层对CoFe/MgO/CoFe磁性隧道结的隧穿磁电阻的影响 被引量:2
5
作者 初冰 卞宝安 吴亚敏 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期853-858,共6页
利用基于密度泛函理论和非平衡态格林函数的第一性原理计算研究了CoFe/MgO/CoFe磁性隧道结的隧穿磁电阻效应.给出了该隧道结隧穿磁电阻与偏压的依赖关系,并计算了平行结构与反平行结构相应的I-V特性曲线和传输谱.通过在一侧电极与势垒... 利用基于密度泛函理论和非平衡态格林函数的第一性原理计算研究了CoFe/MgO/CoFe磁性隧道结的隧穿磁电阻效应.给出了该隧道结隧穿磁电阻与偏压的依赖关系,并计算了平行结构与反平行结构相应的I-V特性曲线和传输谱.通过在一侧电极与势垒层之间插入反铁磁金属Cr层,观察到了隧穿磁电阻、电导随插入层Cr层数增加发生衰减和2个原子层周期的振荡现象,这主要是由于Cr拥有反铁磁结构,在Cr/MgO界面形成了与Cr磁矩取向相关的界面散射. 展开更多
关键词 道结 穿电阻 第一性原理计算 反铁Cr
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磁性隧道结中自旋相关的隧穿输运
6
作者 米仪琳 张铭 严辉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A03期1095-1099,共5页
全面回顾和总结了磁性隧道结中自旋相关的隧穿这一研究领域的理论和实验方面的最新研究进展。讨论了影响磁性隧道结的自旋极化和隧穿磁电阻的各种因素及反映铁磁层和铁磁/绝缘层界面电子结构在隧穿中重要作用的理论模型和近期实验,同... 全面回顾和总结了磁性隧道结中自旋相关的隧穿这一研究领域的理论和实验方面的最新研究进展。讨论了影响磁性隧道结的自旋极化和隧穿磁电阻的各种因素及反映铁磁层和铁磁/绝缘层界面电子结构在隧穿中重要作用的理论模型和近期实验,同时也讨论了绝缘势垒和铁磁/绝缘层界面中的无序性在隧穿过程中对自旋极化与磁电阻效应的影响。 展开更多
关键词 道结 自旋极化 穿电阻
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磁性隧道结自旋极化电子隧穿的温度特性
7
作者 刘彩霞 刘波粒 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 1999年第2期125-128,共4页
基于自由电子模型,研究了铁磁金属/绝缘体(半导体)/铁磁金属(FM/I(S)/FM)隧道结自旋极化电子隧穿的温度特性。从结论可以定性地解释有关的实验现象。
关键词 道结 自旋极化度 穿电阻 超导体 温度
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磁性隧道结自旋极化电子隧穿的温度特性
8
作者 王世来 王俊忠 《浙江海洋学院学报(自然科学版)》 CAS 1999年第1期15-18,共4页
基于自由电子模型,我们研究了铁磁金属/绝缘体(半导体)/铁磁金属(FM/I(S)/FM)隧道结自旋极化电子隧穿的温度特性。从我们的结论可以定性地解释有关的实验现象。
关键词 道结 自旋极化 电子穿 电阻
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隧穿磁阻电流传感器谐波测量特性研究 被引量:1
9
作者 钱森 陈川 +3 位作者 张强 梁云 郭经红 司文荣 《中国测试》 CAS 北大核心 2021年第S02期175-179,共5页
为揭示隧穿磁阻电流传感器在新型电力系统中工频及谐波测量特性,搭建工频及谐波激励下的磁敏电流传感器校验平台,以霍尔电流传感器为比对测试分析隧穿磁阻电流传感器的功耗、线性度、正反行程误差、谐波含量测量准确度。结果表明,隧穿... 为揭示隧穿磁阻电流传感器在新型电力系统中工频及谐波测量特性,搭建工频及谐波激励下的磁敏电流传感器校验平台,以霍尔电流传感器为比对测试分析隧穿磁阻电流传感器的功耗、线性度、正反行程误差、谐波含量测量准确度。结果表明,隧穿磁阻传感器功耗相比霍尔电流传感器具有明显的优势。工频电流激励下线性度误差低于1%,满足线性度要求中等水平的测量场景,但谐波测量误差较大,且随着谐波次数增大,误差变大。 展开更多
关键词 电流传感器 谐波 线性度 功耗 穿电阻传感器
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基于隧穿磁阻效应的非侵入式高灵敏度电流传感器研究 被引量:1
10
作者 胡正勇 司文荣 +3 位作者 崔律 牛芝雅 钱森 陈川 《中国测试》 CAS 北大核心 2022年第S02期139-142,共4页
隧穿磁阻器件是新一代磁半导体传感器,其具有高灵敏度、可实现交直流混合测量的特点。该研究介绍一种基于隧穿磁阻器件的高灵敏度非侵入式表贴电流传感器设计方法。该传感器可非侵入式安装在铜排表面实现毫安级微弱电流的测量。计算毫... 隧穿磁阻器件是新一代磁半导体传感器,其具有高灵敏度、可实现交直流混合测量的特点。该研究介绍一种基于隧穿磁阻器件的高灵敏度非侵入式表贴电流传感器设计方法。该传感器可非侵入式安装在铜排表面实现毫安级微弱电流的测量。计算毫安级电流在铜排表面产生的感应磁场大小并提出了隧穿磁阻器件的参数选型依据。进一步设计信号调理电路并提出利用分段拟合算法弥补高灵敏度隧穿磁阻器件线性范围较小的缺陷。最后,搭建测试验证平台验证传感器设计方法。结果表明,所设计的传感器可覆盖毫安至1A的测量范围,在百毫安范围内,绝对误差小于1mA,在百毫安至1A范围内,传感器的相对误差小于2%。 展开更多
关键词 电流传感器 拟合算法 线性度 非侵入式 穿电阻传感器
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颗粒表面覆Cu的La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3复合颗粒系统中的低场高磁电阻效应 被引量:12
11
作者 袁松柳 方重华 +2 位作者 缪菊红 刘胜 夏正才 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期623-628,共6页
用化学方法将Cu有关的材料引入到La2/3Ca1/3MnO3颗粒表面以形成复合颗粒系统.低磁场(0.3T)下磁电阻与温度关系测量表明,伴随着Cu有关材料的引入,磁电阻图像发生了明显变化.对纯La2/3Cal/3MnO3颗粒系统,磁电阻随温度降低而单调增加;而对... 用化学方法将Cu有关的材料引入到La2/3Ca1/3MnO3颗粒表面以形成复合颗粒系统.低磁场(0.3T)下磁电阻与温度关系测量表明,伴随着Cu有关材料的引入,磁电阻图像发生了明显变化.对纯La2/3Cal/3MnO3颗粒系统,磁电阻随温度降低而单调增加;而对复合颗粒系统,磁电阻最明显的特征是绝缘体-金属转变温度附近表现出尖的磁电阻峰,且有较高的磁电阻值.结合低场磁化实验对实验结果进行了讨论. 展开更多
关键词 金属颗粒 自旋极化穿 低场电阻 电阻
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La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3/MgO复合体系中的电输运和磁电阻效应 被引量:6
12
作者 任光明 袁松柳 +3 位作者 缪菊红 余功奇 肖循 尹诗岩 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期715-719,共5页
用化学方法制备了(1-x)La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3(LCMO)/xMgO颗粒复合体系.通过选择不同的前期预烧温度(T_s1)控制LCMO原粉的颗粒大小.研究表明,MgO的含量和LCMO的前期预烧温度对复合体系的电输运和磁电阻效应有显著的影响.对T_s1=1100... 用化学方法制备了(1-x)La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3(LCMO)/xMgO颗粒复合体系.通过选择不同的前期预烧温度(T_s1)控制LCMO原粉的颗粒大小.研究表明,MgO的含量和LCMO的前期预烧温度对复合体系的电输运和磁电阻效应有显著的影响.对T_s1=1100℃的样品,仅在纯LCMO和x=1mol%的复合样品中可以观察到绝缘体金属转变.而对T_s1=900℃的样品,在x=7mol%的复合样品中还可以观察到绝缘体金属转变,其最大低场磁电阻(H=0.3T)从纯LCMO的5%增加到27%.SEM形貌分析表明MgO含量增加或LCMO前期预烧温度升高都使复合体系中LCMO颗粒之间的联结性减弱.运用自旋极化隧穿机理,对实验结果进行了讨论. 展开更多
关键词 颗粒边界效应 低场电阻 自旋极化穿 弱联结
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稀土锰氧化物的低场磁电阻效应 被引量:27
13
作者 王克锋 刘俊明 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2003年第2期192-211,共20页
具有庞磁电阻效应的掺杂稀土锰氧化物因为其高的自旋极化率和自旋极化输运行为而表现出显著的低场磁电阻效应。这一效应在氧化物自旋电子学中有着深远的潜在应用前景。本文综述了国内外近年来在锰氧化物低场磁电阻增强这一研究领域的进... 具有庞磁电阻效应的掺杂稀土锰氧化物因为其高的自旋极化率和自旋极化输运行为而表现出显著的低场磁电阻效应。这一效应在氧化物自旋电子学中有着深远的潜在应用前景。本文综述了国内外近年来在锰氧化物低场磁电阻增强这一研究领域的进展和存在的一些问题。全文分三个部分 ,首先概述了基于自旋极化散射和自旋极化隧穿两种输运机制的磁电阻理论 ;然后重点介绍掺杂稀土锰氧化物低场磁电阻增强的主要研究进展 ,这些进展背后的基本物理图象是通过人为引入自旋无序介质形成自旋极化散射和自旋极化隧穿 ,从而增强其低场磁电阻 ;第三部分讨论了基于掺杂稀土锰氧化物的磁性隧道结制备和输运性质。本文最后提出了锰氧化物低场磁电阻增强研究应该关注的一些物理问题。 展开更多
关键词 稀土掺杂 锰氧化物 低场电阻效应 自旋电子学 自旋极化散射 自旋极化穿 性材料
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Nb^(5+)的掺杂引起La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3增强的磁电阻效应 被引量:1
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作者 黄宝歆 王军华 +3 位作者 原晓波 王成建 刘宜华 梅良模 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1548-1550,共3页
将Nb2O5掺杂到用溶胶-凝胶法制备的La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)微粉中,XRD测量结果表明所有样品均为单相菱面结构。随着Nb5+掺杂量的增加,材料电阻率发生显著变化。在x=0.06的掺杂样品中得到最高为1110Ω.cm电阻率(x是掺入的Nb离子与母体材... 将Nb2O5掺杂到用溶胶-凝胶法制备的La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)微粉中,XRD测量结果表明所有样品均为单相菱面结构。随着Nb5+掺杂量的增加,材料电阻率发生显著变化。在x=0.06的掺杂样品中得到最高为1110Ω.cm电阻率(x是掺入的Nb离子与母体材料的摩尔比),比LSMO高5个数量级,这是由于晶界处以及颗粒内部增加的自旋相关的散射和隧穿效应所致。Nb5+离子的掺杂使样品的低场磁电阻(LFMR)和高场磁电阻(HFMR)效应都有所增强。77K下,0.1和1T磁场下在x=0.07样品中分别得到25%和42%的磁电阻效应,分别是LSMO样品的2倍和1.7倍。室温下x=0.03样品的磁电阻最大,为7%。其中,LFMR来源于颗粒晶界处电子的自旋相关隧穿及散射作用,而HFMR来源于表面层的自旋非共线结构。 展开更多
关键词 稀土掺杂锰氧化物 电阻效应 自旋相关散射 自旋相关穿
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固相反应法制备La_(0.6)Sr_(0.25)K_(0.15)MnO_3+xAg复合材料及其磁电阻效应研究 被引量:2
15
作者 户立春 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期895-899,共5页
采用固相反应法使提前制备好的La0.6Sr0.25K0.15MnO3与AgNO3复合,制备了La0.6Sr0.25K0.15MnO3+xAg(x=0.04,0.06,0.08)系列复合样品。我们在样品的相结构、磁性质及其磁电阻效应方面进行了研究。通过相结构的研究发现:... 采用固相反应法使提前制备好的La0.6Sr0.25K0.15MnO3与AgNO3复合,制备了La0.6Sr0.25K0.15MnO3+xAg(x=0.04,0.06,0.08)系列复合样品。我们在样品的相结构、磁性质及其磁电阻效应方面进行了研究。通过相结构的研究发现:复合样品中除了有钙钛矿主相外还有少量Ag相和Mn3O3相。通过对样品的磁性测量发现:复合样品对母体样品的比饱和磁化强度和居里温度的影响很小。复合后,母体样品的磁电阻温度稳定性得到很好改善。当x=0.04时,在290—352K的温度范围内,磁电阻值稳定在5.0%±0.2%;当x=0.06时,在260—307K的温度范围内,磁电阻值保持在3.8%±0.2%;在282~339K内x=0.08的复合样品的磁电阻值保持在5.03%±0.12%。本征磁电阻与隧穿磁电阻竞争的结果是导致磁电阻值的温度稳定性的机制。 展开更多
关键词 温度稳定性 本征电阻 穿电阻
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MgO单晶势垒磁性隧道结的第一性原理计算和实验研究 被引量:3
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作者 王琰 张佳 +2 位作者 张晓光 王守国 韩秀峰 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2009年第4期375-391,共17页
在MgO单晶势垒磁性隧道结中发现的室温高隧穿磁电阻现象,是近些年自旋电子学以及磁性隧道结磁电阻材料研究中的又一重大突破。本文主要评述和介绍2001年以来MgO单晶势垒磁性隧道结第一性原理计算和实验上的重要进展,以及介绍利用Layer-... 在MgO单晶势垒磁性隧道结中发现的室温高隧穿磁电阻现象,是近些年自旋电子学以及磁性隧道结磁电阻材料研究中的又一重大突破。本文主要评述和介绍2001年以来MgO单晶势垒磁性隧道结第一性原理计算和实验上的重要进展,以及介绍利用Layer-KKR第一性原理计算方法研究的Fe(001)/MgO/Fe、Fe(001)/FeO/MgO/Fe、Fe(001)/Mg/MgO/Fe、Fe(001)/Co/MgO/Co/Fe和Fe(001)/MgO/Fe/MgO/Fe等基于单晶MgO(001)单势垒及双势垒磁性隧道结材料的电子结构和自旋相关输运性质研究的最新进展。这些第一性原理定量计算的结果,不仅从物理上增强了对MgO单晶势垒磁性隧道结的电子结构和自旋相关输运特性的了解,而且对于研究新型室温磁电阻隧道结材料及其在自旋电子学器件中的广泛应用,具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 自旋电子学 道结(MTJ) 穿电阻(tmr) MgO(001)单晶势垒 第一性原理计算
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磁电子学器件应用原理 被引量:46
17
作者 蔡建旺 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2006年第2期180-227,共48页
本文介绍几种重要的磁电子器件的基本结构和工作原理,包括巨磁电阻与隧穿磁电阻传感器、巨磁电阻隔离器、巨磁电阻与隧穿磁电阻硬盘读出磁头、磁电阻随机存取存储器、自旋转移磁化反转与微波振荡器。自旋晶体管作为未来磁电子学或自旋... 本文介绍几种重要的磁电子器件的基本结构和工作原理,包括巨磁电阻与隧穿磁电阻传感器、巨磁电阻隔离器、巨磁电阻与隧穿磁电阻硬盘读出磁头、磁电阻随机存取存储器、自旋转移磁化反转与微波振荡器。自旋晶体管作为未来磁电子学或自旋电子学时代的基本元素,目前大都还处在概念型阶段,本文也将对几种自旋晶体管的大致原理作简要介绍。 展开更多
关键词 凝聚态物理学 电子学器件 综述 电阻 穿电阻 自旋转移
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中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室M02课题组
18
作者 周栋 《中国材料进展》 CAS CSCD 2013年第6期382-383,共2页
中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室M02课题研究组,其研究方向为“自旋电子学材料、物理和器件”,研究课题主要集中在巨磁电阻(GMR)和隧穿磁电阻(TMR)效应相关的材料、物理及其器件设计原理等方面;同时包括有机薄膜、半金... 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室M02课题研究组,其研究方向为“自旋电子学材料、物理和器件”,研究课题主要集中在巨磁电阻(GMR)和隧穿磁电阻(TMR)效应相关的材料、物理及其器件设计原理等方面;同时包括有机薄膜、半金属和磁性半导体等复合磁性隧道结以及低维磁性纳米线和纳米管的制备研究等。韩秀峰研究员担任该课题组组长,现有在职研究员1名、副研究员3名、助理研究员1名和在站博士后1名、在渎硕博连读研究生12名以及国外博士留学生2名,是一支有较强科研攻关能力和一定国际学术影响力的研究团队. 展开更多
关键词 中国科学院物理研究所 国家重点实验室 课题组 自旋电子学 穿电阻 性纳米线 道结
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铒单离子磁体(C_(18)H_(23)Er)器件的自旋极化输运
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作者 周洁 王正川 《中国科学院大学学报(中英文)》 CSCD 北大核心 2018年第3期302-307,共6页
研究单分子磁体的自旋极化输运性质。搭建由扫描隧道显微镜钴针尖、铒单离子磁体以及金(111)衬底所构成的分子器件模型。在小偏压下,计算铒单离子磁体在正立和倒立2种构型下的自旋极化电流曲线,发现此单分子磁体器件的隧穿磁电阻最高达1... 研究单分子磁体的自旋极化输运性质。搭建由扫描隧道显微镜钴针尖、铒单离子磁体以及金(111)衬底所构成的分子器件模型。在小偏压下,计算铒单离子磁体在正立和倒立2种构型下的自旋极化电流曲线,发现此单分子磁体器件的隧穿磁电阻最高达120%,自旋过滤效率在70%~100%。对比2种构型下的整流比,发现倒立构型有较大的整流比。通过分析体系的透射谱、分子投影哈密顿量、器件投影态密度等,对上述物理效应的根源进行解释。 展开更多
关键词 单离子 自旋过滤 自旋整流 穿电阻效应
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自旋角动量转移效应的实验研究 被引量:5
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作者 姜勇 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2008年第3期215-235,共21页
近几年来,自旋角动量转移效应引起了人们越来越多的关注。这种效应会带来所谓的新一代电流驱动磁性存储或逻辑器件,例如运用自旋角动量转移效应进行数据写入的磁随机存储器、磁纳米线跑道存储器以及电流驱动的微波发生器等等。本文简单... 近几年来,自旋角动量转移效应引起了人们越来越多的关注。这种效应会带来所谓的新一代电流驱动磁性存储或逻辑器件,例如运用自旋角动量转移效应进行数据写入的磁随机存储器、磁纳米线跑道存储器以及电流驱动的微波发生器等等。本文简单介绍了近几年国际上在自旋角动量转移效应实验研究方面的一些重要成果。 展开更多
关键词 自旋角动量转移 电流驱动 电阻 穿电阻
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