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a-Si/CIS叠层太阳能电池的光诱导性能衰退和稳定性分析
被引量：
2
1
作者
林鸿生
马雷
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002年第1期33-36,共4页
基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效...
基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效应不会给a Si/CIS叠层结构中的a Si∶H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,因而没有发生a Si/CIS叠层太阳能电池顶电池 (p i na Si∶H)的光诱导性能衰退 ,a Si/CIS叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。
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关键词
光诱导性能衰退
a-Si:H
隙态密度分布
Newton-Raphson解法
稳定性
a-Si:H太阳能电池
硅太阳能电池
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职称材料
a—SiC/c—Si异质结太阳能电池中a—SiC:H薄膜的设计分析
2
作者
林鸿生
段开敏
马雷
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第12期70-74,共5页
通过应用 Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解 Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡 ｐ＋（ａ－ＳｉＣ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析。给出了ｐ＋（ａ－ＳｉＣ：Ｈ）膜厚及其ｐ型掺杂浓度设...
通过应用 Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解 Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡 ｐ＋（ａ－ＳｉＣ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析。给出了ｐ＋（ａ－ＳｉＣ：Ｈ）膜厚及其ｐ型掺杂浓度设计，还讨论了ｐ＋（ａ－ｓｉＣ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结太阳能电池稳定性。
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关键词
碳化硅
硅
薄膜
异质结太阳能电池
a-SiC:H
隙态密度分布
载流子收集
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职称材料
a-Si/poly-Si叠层太阳电池稳定性的数值模拟分析
3
作者
林鸿生
段开敏
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期245-248,共4页
通过应用Scharfetter Gummel解法数值求解Poisson方程 ,对热平衡态a Si/ poli Si叠层太阳电池的光稳定性进行计算机数值模拟 ,详细分析光照射前后a Si/ poli Si叠层太阳电池中电场强度分布 ,指出在光照射下 ,光生空穴俘获造成的a Si:H...
通过应用Scharfetter Gummel解法数值求解Poisson方程 ,对热平衡态a Si/ poli Si叠层太阳电池的光稳定性进行计算机数值模拟 ,详细分析光照射前后a Si/ poli Si叠层太阳电池中电场强度分布 ,指出在光照射下 ,光生空穴俘获造成的a Si:H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si:H薄膜中的电场强度 ,没有给a Si/ poli Si叠层结构中的a Si:H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,不会发生a Si/poli Si叠层太阳电池的光诱导性能衰退 ,因而a Si/ poli Si叠层结构太阳电池具有较高的稳定性。
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关键词
a-Si:H光诱导性能衰退
a-Si:H
隙态密度分布
Newton-Raphson解法
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职称材料
题名
a-Si/CIS叠层太阳能电池的光诱导性能衰退和稳定性分析
被引量：
2
1
作者
林鸿生
马雷
机构
中国科学技术大学物理系
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002年第1期33-36,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 (No .698760 2 4)
文摘
基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效应不会给a Si/CIS叠层结构中的a Si∶H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,因而没有发生a Si/CIS叠层太阳能电池顶电池 (p i na Si∶H)的光诱导性能衰退 ,a Si/CIS叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。
关键词
光诱导性能衰退
a-Si:H
隙态密度分布
Newton-Raphson解法
稳定性
a-Si:H太阳能电池
硅太阳能电池
Keywords
light induced degradation in a Si∶H,Density of states in a Si∶H,Newton Raphson solution
分类号
TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
a—SiC/c—Si异质结太阳能电池中a—SiC:H薄膜的设计分析
2
作者
林鸿生
段开敏
马雷
机构
中国科学技术大学物理系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第12期70-74,共5页
基金
国家自然科学基金(69876024)
文摘
通过应用 Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解 Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡 ｐ＋（ａ－ＳｉＣ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析。给出了ｐ＋（ａ－ＳｉＣ：Ｈ）膜厚及其ｐ型掺杂浓度设计，还讨论了ｐ＋（ａ－ｓｉＣ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结太阳能电池稳定性。
关键词
碳化硅
硅
薄膜
异质结太阳能电池
a-SiC:H
隙态密度分布
载流子收集
Keywords
heterojunction solar cell； newton-raphson solution technique； density of states in a-SiC:H； carrier collection
分类号
TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
a-Si/poly-Si叠层太阳电池稳定性的数值模拟分析
3
作者
林鸿生
段开敏
机构
中国科学技术大学物理系
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期245-248,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 5 9872 0 3 7)
文摘
通过应用Scharfetter Gummel解法数值求解Poisson方程 ,对热平衡态a Si/ poli Si叠层太阳电池的光稳定性进行计算机数值模拟 ,详细分析光照射前后a Si/ poli Si叠层太阳电池中电场强度分布 ,指出在光照射下 ,光生空穴俘获造成的a Si:H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si:H薄膜中的电场强度 ,没有给a Si/ poli Si叠层结构中的a Si:H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,不会发生a Si/poli Si叠层太阳电池的光诱导性能衰退 ,因而a Si/ poli Si叠层结构太阳电池具有较高的稳定性。
关键词
a-Si:H光诱导性能衰退
a-Si:H
隙态密度分布
Newton-Raphson解法
Keywords
light induced degradation in a Si∶H
density of states in a Si∶H
Newton Raphson solution
分类号
TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
a-Si/CIS叠层太阳能电池的光诱导性能衰退和稳定性分析
林鸿生
马雷
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
a—SiC/c—Si异质结太阳能电池中a—SiC:H薄膜的设计分析
林鸿生
段开敏
马雷
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
a-Si/poly-Si叠层太阳电池稳定性的数值模拟分析
林鸿生
段开敏
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
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职称材料
已选择
0
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