理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以...理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以减弱隔离氧化层上压降的不均衡性,提高SOI双槽隔离结构的临界击穿电压.Sentaurus器件仿真软件的模拟结果和华润上华半导体有限公司0.5μm 200 V SOI工艺平台下的流片测试结果均证明,减小槽间距和增大沟槽纵横比是提高双槽隔离结构临界击穿电压的有效方法,同时也证明了该耐压模型的正确性.展开更多
传统金属屏蔽材料以反射电磁波为主,易产生二次辐射,且存在高密度、高硬度及易腐蚀等问题。因此,开发新型的以吸收电磁波为主的柔性聚合物电磁屏蔽材料成为研究热点。文中利用超声分散辅助液相沉积技术,将单壁碳纳米管包覆在具有动态性...传统金属屏蔽材料以反射电磁波为主,易产生二次辐射,且存在高密度、高硬度及易腐蚀等问题。因此,开发新型的以吸收电磁波为主的柔性聚合物电磁屏蔽材料成为研究热点。文中利用超声分散辅助液相沉积技术,将单壁碳纳米管包覆在具有动态性的聚二甲基硅氧烷粉末表面,并通过热压工艺制备了复合材料。由扫描电子显微镜分析,表明单壁碳纳米管在聚合物基体中形成了隔离网络结构。通过矢量网络分析仪测试电磁屏蔽性能,单壁碳管质量分数为1%时,在X波段电磁屏蔽性能超过20 dB;当质量分数为5%时,屏蔽效能高达70 d B,而且吸收损耗占比高达93%。此外,复合材料中聚合物基体的动态性与碳管的光电特性相结合,可以实现在热、电、近红外光等多种刺激下的自修复。展开更多
文摘理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以减弱隔离氧化层上压降的不均衡性,提高SOI双槽隔离结构的临界击穿电压.Sentaurus器件仿真软件的模拟结果和华润上华半导体有限公司0.5μm 200 V SOI工艺平台下的流片测试结果均证明,减小槽间距和增大沟槽纵横比是提高双槽隔离结构临界击穿电压的有效方法,同时也证明了该耐压模型的正确性.
文摘传统金属屏蔽材料以反射电磁波为主,易产生二次辐射,且存在高密度、高硬度及易腐蚀等问题。因此,开发新型的以吸收电磁波为主的柔性聚合物电磁屏蔽材料成为研究热点。文中利用超声分散辅助液相沉积技术,将单壁碳纳米管包覆在具有动态性的聚二甲基硅氧烷粉末表面,并通过热压工艺制备了复合材料。由扫描电子显微镜分析,表明单壁碳纳米管在聚合物基体中形成了隔离网络结构。通过矢量网络分析仪测试电磁屏蔽性能,单壁碳管质量分数为1%时,在X波段电磁屏蔽性能超过20 dB;当质量分数为5%时,屏蔽效能高达70 d B,而且吸收损耗占比高达93%。此外,复合材料中聚合物基体的动态性与碳管的光电特性相结合,可以实现在热、电、近红外光等多种刺激下的自修复。
