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双n型深阱隔离式高压n型沟道LDMOS器件设计
被引量：
1
1
作者
孙尧
刘剑
+2 位作者
段文婷
陈瑜
陈华伦
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期603-607,共5页
为了进一步优化高压LDMOS器件的耐压和比导通电阻的关系,提出了一种新颖的隔离式双n型深阱高压n型沟道LDMOS器件结构。采用独特的双n型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单n型深阱,解决了垂直方向上的pnp(p型阱-DNW-p型衬底)穿通问题和...
为了进一步优化高压LDMOS器件的耐压和比导通电阻的关系,提出了一种新颖的隔离式双n型深阱高压n型沟道LDMOS器件结构。采用独特的双n型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单n型深阱,解决了垂直方向上的pnp(p型阱-DNW-p型衬底)穿通问题和横向漏端扩展区的耐压与比导通电阻的优化问题的矛盾。器件仿真和硅晶圆测试数据显示,在0.35μm的工艺平台上,采用新结构的器件在满足100 V的耐压下,比导通电阻达到122 mΩ·mm2。同时,非埋层工艺使成本大幅下降。
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关键词
双
n
型
深阱
隔离式高压n型沟道ldmos
击穿电压
比导通电阻
非埋层工艺
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职称材料
Linear推出无需外部浪涌保护的150V同步降压型DC／DC控制器
2
《电子产品世界》
2016年第7期76-76,共1页
凌力尔特公司近日推出一款高压非隔离式同步降压型开关稳压控制器LTC3895，该器件可驱动一个全N沟道MOSFET电源级。其4V至140V（150V绝对最大值）输入电压范围允许使用高压输入电源或具高压浪涌的输入工作，
关键词
DC/DC控制器
浪涌保护
降压
型
同步
n
沟
道
MOSFET
开关稳压控制器
高压
输入
非
隔离
式
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职称材料
题名
双n型深阱隔离式高压n型沟道LDMOS器件设计
被引量：
1
1
作者
孙尧
刘剑
段文婷
陈瑜
陈华伦
机构
上海华虹NEC电子有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期603-607,共5页
文摘
为了进一步优化高压LDMOS器件的耐压和比导通电阻的关系,提出了一种新颖的隔离式双n型深阱高压n型沟道LDMOS器件结构。采用独特的双n型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单n型深阱,解决了垂直方向上的pnp(p型阱-DNW-p型衬底)穿通问题和横向漏端扩展区的耐压与比导通电阻的优化问题的矛盾。器件仿真和硅晶圆测试数据显示,在0.35μm的工艺平台上,采用新结构的器件在满足100 V的耐压下,比导通电阻达到122 mΩ·mm2。同时,非埋层工艺使成本大幅下降。
关键词
双
n
型
深阱
隔离式高压n型沟道ldmos
击穿电压
比导通电阻
非埋层工艺
Keywords
double deep
n
-well
isolated HV
n
-cha
n
rel
ldmos
breakdow
n
voltage
specific o
n
resista
n
ce
n
o
n
-buried layer process
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Linear推出无需外部浪涌保护的150V同步降压型DC／DC控制器
2
出处
《电子产品世界》
2016年第7期76-76,共1页
文摘
凌力尔特公司近日推出一款高压非隔离式同步降压型开关稳压控制器LTC3895，该器件可驱动一个全N沟道MOSFET电源级。其4V至140V（150V绝对最大值）输入电压范围允许使用高压输入电源或具高压浪涌的输入工作，
关键词
DC/DC控制器
浪涌保护
降压
型
同步
n
沟
道
MOSFET
开关稳压控制器
高压
输入
非
隔离
式
分类号
TN624 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双n型深阱隔离式高压n型沟道LDMOS器件设计
孙尧
刘剑
段文婷
陈瑜
陈华伦
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
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职称材料
2
Linear推出无需外部浪涌保护的150V同步降压型DC／DC控制器
《电子产品世界》
2016
0
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职称材料
已选择
0
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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