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隔离型达林顿管静态漏电失效分析
1
作者
王旭
段超
+1 位作者
龚欣
孟猛
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期629-632,共4页
分析了半导体器件静态漏电对高可靠设备造成的危害。对比了失效器件在不同偏压条件下的测试结果,结合器件芯片版图的设计特点以及制造工艺特点,对隔离型达林顿管静态漏电的失效现象进行了分析,通过故障树分析,排除了外部沾污、静电损伤...
分析了半导体器件静态漏电对高可靠设备造成的危害。对比了失效器件在不同偏压条件下的测试结果,结合器件芯片版图的设计特点以及制造工艺特点,对隔离型达林顿管静态漏电的失效现象进行了分析,通过故障树分析,排除了外部沾污、静电损伤、过电应力损伤等使用问题导致器件失效的可能性,提出了器件出现异常静态漏电流是因为采用扩散方法制作的pn结深度不足导致的假设,并利用磨角染色法证明了失效芯片隔离岛隔离墙pn结深度不足的假设,并提出了改进意见。
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关键词
高可靠设备
隔离型达林顿
静态漏电
失效分析
磨角染色法
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职称材料
题名
隔离型达林顿管静态漏电失效分析
1
作者
王旭
段超
龚欣
孟猛
机构
中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期629-632,共4页
文摘
分析了半导体器件静态漏电对高可靠设备造成的危害。对比了失效器件在不同偏压条件下的测试结果,结合器件芯片版图的设计特点以及制造工艺特点,对隔离型达林顿管静态漏电的失效现象进行了分析,通过故障树分析,排除了外部沾污、静电损伤、过电应力损伤等使用问题导致器件失效的可能性,提出了器件出现异常静态漏电流是因为采用扩散方法制作的pn结深度不足导致的假设,并利用磨角染色法证明了失效芯片隔离岛隔离墙pn结深度不足的假设,并提出了改进意见。
关键词
高可靠设备
隔离型达林顿
静态漏电
失效分析
磨角染色法
Keywords
high-reliability equipment
isolated darlington
static leakage-current
failure analysis
angle lap stain method
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
TN306 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
隔离型达林顿管静态漏电失效分析
王旭
段超
龚欣
孟猛
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014
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