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场效应晶体管随机电报信号噪声的探测及分析被引量：3: 1; 作者孙玮孙钊王鹏《西安工业大学学报》 CAS 2013年第12期957-960,967,共5页; 为了快速准确自动识别随机电报信号,文中基于Sagittarius操作平台,提出了一种适用于工业生产环境的场效应晶体管随机电报信号噪声的全自动测量系统,分析了随机电报信号噪声的识别算法.研究结果表明:以40nm低能耗CMOS工艺的实际产品验证... 展开更多; 关键词场效应晶体管随机电报信号噪声自动识别 Sagittarius操作平台; 在线阅读下载PDF 职称材料

短沟道MOS器件随机电报信号噪声的检测与分析被引量：4: 2; 作者陈晓娟樊欣欣吴洁《半导体技术》 CSCD 北大核心 2016年第3期234-239,共6页; 随机电报信号(RTS)噪声是表征短沟道器件可靠性的重要敏感参数,能敏感地反映MOS器件中的边界陷阱,为探测小尺寸器件中的缺陷提供了有效的手段。为了能够准确测量出RTS,采用了无噪声偏置电路,设计了两级抑噪电路。在两通道三个运算放大... 展开更多; 关键词随机电报信号(RTS)噪声短沟道MOS器件噪声测量 LMS算法可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

随机电报信号噪声时间参数的提取方法被引量：2: 3; 作者樊欣欣禹旺明陈晓娟《半导体技术》 CSCD 北大核心 2016年第4期286-291,共6页; 随机电报信号(RTS)噪声是表征短沟道MOS器件可靠性的重要敏感参数,利用RTS噪声可确定半导体器件内部陷阱的位置。为了能够准确提取RTS噪声信号的时间特征参量,采用了经验模态分解(EMD)方法处理器件内部被激发的本征低频噪声信号,并提出... 展开更多; 关键词随机电报信号(RTS)噪声能量等效 EMD算法短沟道MOS器件可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米MOS器件RTS噪声测量与分析被引量：5: 4; 作者张鹏庄奕琪 +3 位作者鲍立马中发包军林李伟华《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1041-1045,共5页; 提出了一种基于虚拟仪器的纳米MOS器件随机电报信号噪声测量方法.应用虚拟仪器平台采集随机电报信号噪声的时间序列,采用逐点差分和高斯函数拟合方法,提取了随机电报信号噪声的相对幅度,再通过数字滤波和指数函数拟合方法提取随机电报... 展开更多; 关键词随机电报信号噪声噪声测量虚拟仪器纳米MOS器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名场效应晶体管随机电报信号噪声的探测及分析被引量：3: 1; 作者孙玮孙钊王鹏; 机构武夷学院机电工程学院西安工业大学电子信息工程学院; 出处《西安工业大学学报》 CAS 2013年第12期957-960,967,共5页; 基金陕西省自然科学基础研究计划(2011JE010); 文摘为了快速准确自动识别随机电报信号,文中基于Sagittarius操作平台,提出了一种适用于工业生产环境的场效应晶体管随机电报信号噪声的全自动测量系统,分析了随机电报信号噪声的识别算法.研究结果表明:以40nm低能耗CMOS工艺的实际产品验证了Sagittarius全自动测量系统的测试方法及分析算法,实现了MOSFETs随机电报信号噪声的快速、精确测量,满足了随机电报信号噪声的自动分析功能.; 关键词场效应晶体管随机电报信号噪声自动识别 Sagittarius操作平台; Keywords MOSFETs random telegraph signal noise autoidentification sagittarius operation platform; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名短沟道MOS器件随机电报信号噪声的检测与分析被引量：4: 2; 作者陈晓娟樊欣欣吴洁; 机构长春理工大学电子信息工程学院东北电力大学信息工程学院北华大学电气信息工程学院; 出处《半导体技术》 CSCD 北大核心 2016年第3期234-239,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61271115); 文摘随机电报信号(RTS)噪声是表征短沟道器件可靠性的重要敏感参数,能敏感地反映MOS器件中的边界陷阱,为探测小尺寸器件中的缺陷提供了有效的手段。为了能够准确测量出RTS,采用了无噪声偏置电路,设计了两级抑噪电路。在两通道三个运算放大器的基础上,设计了RTS噪声测量放大器,提出一种改进的变步长LMS数字滤波器算法,构造了步长函数和误差的相关值之间的非线性表达式。实验结果表明,在较小的RTS时间常数下,相同精度时,参量提取的误差比传统方法减小20%,同时新算法具有更快的收敛速度,良好的稳态误差性。; 关键词随机电报信号(RTS)噪声短沟道MOS器件噪声测量 LMS算法可靠性; Keywords random telegraph signal（RTS） noise short-channel MOS device noise measurement LMS algorithm reliability; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名随机电报信号噪声时间参数的提取方法被引量：2: 3; 作者樊欣欣禹旺明陈晓娟; 机构东北电力大学信息工程学院中国烟草总公司湖南省公司长春理工大学电子信息工程学院; 出处《半导体技术》 CSCD 北大核心 2016年第4期286-291,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61271115); 文摘随机电报信号(RTS)噪声是表征短沟道MOS器件可靠性的重要敏感参数,利用RTS噪声可确定半导体器件内部陷阱的位置。为了能够准确提取RTS噪声信号的时间特征参量,采用了经验模态分解(EMD)方法处理器件内部被激发的本征低频噪声信号,并提出了利用能量等效的方法对RTS噪声的时间参量进行提取。实验结果表明,噪声的滤波效果优于传统的算法,降低了系统的背景噪声,相同采样点时,参量提取的误差比传统方法可减小40%,相同精度时,采样点仅为传统方法采样数目的 1/20,提高了提取参量的灵敏度。; 关键词随机电报信号(RTS)噪声能量等效 EMD算法短沟道MOS器件可靠性; Keywords random telegraph signal（RTS） noise energy equivalent EMD algorithm short channel MOS device reliability; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米MOS器件RTS噪声测量与分析被引量：5: 4; 作者张鹏庄奕琪鲍立马中发包军林李伟华; 机构西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1041-1045,共5页; 基金国家自然科学基金资助(60276028 60676053); 文摘提出了一种基于虚拟仪器的纳米MOS器件随机电报信号噪声测量方法.应用虚拟仪器平台采集随机电报信号噪声的时间序列,采用逐点差分和高斯函数拟合方法,提取了随机电报信号噪声的相对幅度,再通过数字滤波和指数函数拟合方法提取随机电报信号噪声时常数.通过对90 nm MOS器件的测量分析,结果表明该方法不但计算速度远高于传统方法,而且在相同精度要求下,需要的采样点仅为传统方法的1/10.在随机电报信号时常数较小的情况下,测量精度为传统方法的几倍到几十倍.; 关键词随机电报信号噪声噪声测量虚拟仪器纳米MOS器件; Keywords RTS noise noise measurement virtual-instrument nano-MOS devices; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	场效应晶体管随机电报信号噪声的探测及分析	孙玮孙钊王鹏	《西安工业大学学报》 CAS	2013	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	短沟道MOS器件随机电报信号噪声的检测与分析	陈晓娟樊欣欣吴洁	《半导体技术》 CSCD 北大核心	2016	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	随机电报信号噪声时间参数的提取方法	樊欣欣禹旺明陈晓娟	《半导体技术》 CSCD 北大核心	2016	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	纳米MOS器件RTS噪声测量与分析	张鹏庄奕琪鲍立马中发包军林李伟华	《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	5	在线阅读下载PDF 职称材料