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随机变PRF和脉宽的无人机噪声SAR体制研究(英文) 被引量:1
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作者 常文胜 陶海红 +2 位作者 胡学成 阮婷 孙光才 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2020年第6期7-14,29,共9页
无人机合成孔径雷达(SAR)的抗干扰性能是决定其能否适应现代战场环境的重要因素。为了提高SAR的抗干扰性能,提出了一种随机变脉冲重复频率(PRF)和脉宽的噪声SAR成像新体制。首先,在建立成像模型的基础上对成像算法进行了推导;然后,对随... 无人机合成孔径雷达(SAR)的抗干扰性能是决定其能否适应现代战场环境的重要因素。为了提高SAR的抗干扰性能,提出了一种随机变脉冲重复频率(PRF)和脉宽的噪声SAR成像新体制。首先,在建立成像模型的基础上对成像算法进行了推导;然后,对随机PRF和随机脉宽的实现方法进行了分析;最后,通过对发射线性调频信号的传统SAR体制与随机变PRF和脉宽的噪声SAR体制在转发式干扰影响下的成像性能进行了仿真比较。仿真结果表明:文中提出的噪声SAR体制相比传统SAR体制具有较好的抗干扰性能。 展开更多
关键词 合成孔径雷达成像 随机变脉冲重复频率和脉宽 噪声合成孔径雷达体制 转发式干扰 抗干扰性能
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63.2W高峰值功率窄脉宽全光纤脉冲光纤激光器 被引量:6
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作者 张大勇 张昆 +3 位作者 朱辰 李尧 王雄飞 张利明 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期1234-1237,共4页
报道了一种基于主振荡功率放大结构的全光纤脉冲光纤激光器。种子光源是一个直接脉冲调制的1064 nm的外腔光纤布拉格光栅半导体激光器。峰值功率为1000 m W的种子LD经两级掺Yb^(3+)双包层光纤放大后,在100 k Hz重复频率下,获得了平均功... 报道了一种基于主振荡功率放大结构的全光纤脉冲光纤激光器。种子光源是一个直接脉冲调制的1064 nm的外腔光纤布拉格光栅半导体激光器。峰值功率为1000 m W的种子LD经两级掺Yb^(3+)双包层光纤放大后,在100 k Hz重复频率下,获得了平均功率63.2 W、脉冲宽度14.3 ns、光谱宽度(FWHM)4.552 nm、光束质量M^2=1.09的脉冲激光输出。在此实验基础上研制了光纤激光器样机。 展开更多
关键词 光纤激光器 重复频率 全光纤化 脉冲
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基于DE150的高速大电流窄脉宽半导体激光电源 被引量:9
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作者 冯志辉 岳永坚 +1 位作者 刘恩海 周武林 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期489-492,共4页
总结了一种基于射频MOSFET管的高速大电流窄脉宽半导体激光驱动源设计方法,运用PSpice对整个驱动电路进行了仿真,最后利用DE150-201N09A MOSFET管制作了面积为12cm2的电路板,测试结果表明半导体激光器输出电流脉宽10ns左右、上升时间4ns... 总结了一种基于射频MOSFET管的高速大电流窄脉宽半导体激光驱动源设计方法,运用PSpice对整个驱动电路进行了仿真,最后利用DE150-201N09A MOSFET管制作了面积为12cm2的电路板,测试结果表明半导体激光器输出电流脉宽10ns左右、上升时间4ns,最大脉冲电流27A,最高重复频率可达50 kHz。 展开更多
关键词 半导体激光驱动源 脉冲电流 上升时间 重复频率 DE150
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100W全光纤化高重频窄脉宽光纤激光器 被引量:5
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作者 张大勇 张昆 +1 位作者 李尧 赵鸿 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期93-97,共5页
报道了一种基于主振荡功率放大结构工作的全光纤化高重复频率窄脉冲宽度光纤激光器.种子源是一个直接电脉冲调制的1 063 nm光纤耦合输出半导体激光器.为了抑制放大器中产生的放大自发辐射光,将种子激光的脉冲波形调制为二阶超高斯型.峰... 报道了一种基于主振荡功率放大结构工作的全光纤化高重复频率窄脉冲宽度光纤激光器.种子源是一个直接电脉冲调制的1 063 nm光纤耦合输出半导体激光器.为了抑制放大器中产生的放大自发辐射光,将种子激光的脉冲波形调制为二阶超高斯型.峰值功率为950 mW的半导体激光器经过2级大模场掺镱双包层光纤放大器(纤芯分别为10μm和30μm)功率放大后,最终获得了平均功率为101 W、重复频率为200 kHz、脉冲宽度为14.77 ns、峰值功率为34.2 kW、3 dB光谱宽度为0.261 nm、光束质量M^2为1.17的脉冲激光输出.与传统的纳秒级脉冲光纤激光器相比,该激光器峰值功率高、光束质量优、光谱宽度窄、结构简单,可广泛应用于激光雷达、遥感探测、倍频和光参量震荡等领域. 展开更多
关键词 激光器 光纤激光器 重复频率 脉冲
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高重频可调小型高功率半导体激光电源研究 被引量:5
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作者 张延超 孙兰君 +2 位作者 付石友 刘立宝 田兆硕 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期731-734,共4页
为了获得高功率、高重频半导体激光脉冲,设计了一种体积小、重量轻、造价低的纳米级大功率半导体激光器驱动电源。采用改进的单稳态触发器产生窄脉冲,经放大后驱动快速开关MOSFET获得大电流窄脉冲;电源脉冲电流驱动能力0A~80A,脉冲上... 为了获得高功率、高重频半导体激光脉冲,设计了一种体积小、重量轻、造价低的纳米级大功率半导体激光器驱动电源。采用改进的单稳态触发器产生窄脉冲,经放大后驱动快速开关MOSFET获得大电流窄脉冲;电源脉冲电流驱动能力0A~80A,脉冲上升时间2.8ns,下降时间3.8ns,脉冲宽度5ns~500ns范围内可调,最小5.2ns,重复频率可达200kHz。用该电源实验测试了激光波长为905nm的半导体激光器,在重复频率为10kHz时,激光脉冲峰值功率达到70W以上。结果表明,采用窄脉冲驱动MOSFET可以得到高重复频率10ns以内的大电流窄脉冲,可以驱动大功率半导体激光器,若驱动100A以上的激光器需进一步研究。 展开更多
关键词 激光技术 激光器 半导体激光电源 MOSFET开关 脉冲 度可调 重复频率
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