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NPB/Alq_3双层有机电致发光器件薄膜厚度与器件性能的优化
被引量:
2
1
作者
锁钒
于军胜
+3 位作者
黎威志
邓静
林慧
蒋亚东
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期2050-2054,共5页
研究了以NPB为空穴传输层、Al_(q3)为发光层的双层异质结有机电致发光器件的薄膜厚度对器件性能的影响.制备了一系列具有不同NPB和Al_(q3)厚度的器件并测试了其电致发光特性.结果表明,器件电流随Al_(q3)与NPB厚度变化的关系并不相同.不...
研究了以NPB为空穴传输层、Al_(q3)为发光层的双层异质结有机电致发光器件的薄膜厚度对器件性能的影响.制备了一系列具有不同NPB和Al_(q3)厚度的器件并测试了其电致发光特性.结果表明,器件电流随Al_(q3)与NPB厚度变化的关系并不相同.不同有机层厚度双层器件的电流机制符合陷阱电荷限制(TCL)理论,随外加电压的增大,器件电流经历了欧姆电导区、TCL电流区、陷阱电荷限制.空间电荷限制(TCL-SCL)过渡区三个区域的变化.当有机层厚度匹配为NPB(20nm)/Al_(q3)(50nm)时可以获得性能优良的器件.器件的流明效率-电压关系曲线的变化规律是在低电压区较快达到最大值,然后随电压的增加逐渐降低.
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关键词
有机电致发光
NPB
ALQ3
薄膜厚度
陷阱
电荷
限制
(
tcl
)
器件性能
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职称材料
单层有机电致发光器件的电流传导机制的数值拟合分析
被引量:
2
2
作者
于军胜
锁钒
+2 位作者
黎威志
娄双玲
蒋亚东
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第8期1485-1489,共5页
采用真空蒸镀的方法制备了以八羟基喹啉铝(Alq3)为功能层的单层同质结有机电致发光器件,器件结构为indium-tin-oxide(ITO)/tris-(8-hydroxylquinoline)-aluminum(Alq3)(x nm)/Mg:Ag.通过改变有机功能层的厚度,采用陷阱电荷限制电流(TCLC...
采用真空蒸镀的方法制备了以八羟基喹啉铝(Alq3)为功能层的单层同质结有机电致发光器件,器件结构为indium-tin-oxide(ITO)/tris-(8-hydroxylquinoline)-aluminum(Alq3)(x nm)/Mg:Ag.通过改变有机功能层的厚度,采用陷阱电荷限制电流(TCLC)理论对器件电流的数值拟合方法具体地研究了不同薄膜厚度的有机半导体器件内部电流的传导机制,验证了实验结果和理论推导的一致性.结果表明,Alq3层厚度较低的单层器件随外加电压增大,器件电流经历了从欧姆电导区、TCLC区到TCLC-空间电荷限制电流(SCLC)过渡区三个区域的变化;而对于Alq3层厚度较高的单层器件,Alq3层中的陷阱机构增多,导致电流-电压曲线的SCLC区域消失.
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关键词
有机电致发光
电流传导
陷阱
电荷
限制
电流
薄膜厚度
数值拟合
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职称材料
一种喹啉类铝配合物的制备及其光电特性的研究
被引量:
2
3
作者
陈柳青
刘旭光
+2 位作者
许慧侠
王华
许并社
《中国材料进展》
CAS
CSCD
2009年第3期22-25,共4页
制备了一种高纯度的8-羟基喹啉铝的衍生物——三(5-氯-8-羟基喹啉)铝(AlClq3)。用核磁共振谱仪、元素分析仪、红外光谱仪确定了AlClq3的结构。通过差示扫描量热法、紫外可见吸收光谱、荧光发射光谱和光致发光光谱表征了Al-Clq3的热稳定...
制备了一种高纯度的8-羟基喹啉铝的衍生物——三(5-氯-8-羟基喹啉)铝(AlClq3)。用核磁共振谱仪、元素分析仪、红外光谱仪确定了AlClq3的结构。通过差示扫描量热法、紫外可见吸收光谱、荧光发射光谱和光致发光光谱表征了Al-Clq3的热稳定性以及能带结构。实验结果表明:AlClq3晶型转变温度为187℃,在紫外光的激发下,在乙醇溶液中的荧光发射峰的波长为535nm,为黄绿色荧光,禁带宽度3.16eV。用真空蒸镀法制备了黄绿光有机电致发光器件,其发射峰的波长为540nm。器件的电学特性由三(5-氯-8-羟基喹啉)铝控制,在低压时由注入电流限制,高压时由陷阱电荷传导机制控制。
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关键词
8-羟基喹啉铝衍生物
光物理性质
陷阱
电荷
限制
电致发光
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职称材料
电极材料对NPB/Alq_3有机电致发光器件性能的影响
被引量:
1
4
作者
于军胜
锁钒
+3 位作者
黎威志
林慧
李璐
蒋亚东
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期1821-1826,共6页
采用不同材料作为有机电致发光器件(OELDs)的电极,制备了基本结构为[阳极/NPB(40 nm)]/Alq_3(50 nm)/阴极]的异质结双层器件,并通过改变OELDs器件的阴极或阳极来研究电极材料对器件光电性能的影响.研究结果表明,各器件电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)...
采用不同材料作为有机电致发光器件(OELDs)的电极,制备了基本结构为[阳极/NPB(40 nm)]/Alq_3(50 nm)/阴极]的异质结双层器件,并通过改变OELDs器件的阴极或阳极来研究电极材料对器件光电性能的影响.研究结果表明,各器件电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)关系的基本特征与陷阱电荷限制电流(TCLC)机制的拟合情况相符.由于有机材料本身能级的无序性以及载流子迁移率对温度和电场的依赖性,不同电极的载流子注入能力与其功函数并无直接关系.双层器件中由于空穴传输层的引入,使得载流子复合区域位于有机层异质结界面处,降低了金属阴极对激子的猝灭作用,从而大大提高了器件性能.此外,金属电极OLEDs器件结构具有的微腔效应会导致发射光谱的位移和谱峰宽度变窄,这表明通过对金属电极的表面改性和优化可使器件性能超过常规结构的器件.
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关键词
有机电致发光
电极材料
陷阱
电荷
限制
电流
激子淬灭
器件性能
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职称材料
铁酸铋薄膜在小于矫顽电压下的阻变机制
5
作者
朱慧
张迎俏
+4 位作者
汪鹏飞
白子龙
孟晓
陈月圆
祁琼
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期443-447,共5页
为了研究利用脉冲激光沉积法制备于SrTiO_3衬底上的Au/BiFeO_3/SrRuO_3结构的阻变效应,实验通过测量样品的I-V特性曲线来表征样品的阻态变化.由于BiFeO_3与Au、SrRuO_3功函数的不同在Au/BiFeO_3、BiFeO_3/SrRuO_3两个接触界面形成稳定...
为了研究利用脉冲激光沉积法制备于SrTiO_3衬底上的Au/BiFeO_3/SrRuO_3结构的阻变效应,实验通过测量样品的I-V特性曲线来表征样品的阻态变化.由于BiFeO_3与Au、SrRuO_3功函数的不同在Au/BiFeO_3、BiFeO_3/SrRuO_3两个接触界面形成稳定的肖特基接触,通过改变外部电压控制陷阱能级填充的程度可以改变肖特基势垒高度,从而在施加电压小于矫顽电压时可以形成稳定的高低阻变化,表现出最大可达103高低阻电流比的I-V特性曲线.对I-V特性曲线进行不同导电机制的拟合表明:小于矫顽电压下空间电荷限制电流起到了主导作用,陷阱的填充与脱陷是主要的阻变机制.
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关键词
铁电阻变存储器
阻变效应
空间
电荷
限制
电流
陷阱
填充
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职称材料
Pt/(Ba_(0.65)Sr_(0.35))TiO_3/Pt漏电流特性研究
6
作者
何小祥
吴传贵
张万里
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第8期1298-1301,1305,共5页
利用射频(RF)溅射在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上沉积(Ba_(0.65)Sr_(0.35))TiO_3(BST)薄膜,制成Pt/BST/Pt平板电容,研究在正反偏压下BST薄膜漏电流的J-V和J-T特性。反偏压时,上电极Pt和BST薄膜形成肖特基接触,漏电流遵循肖特基发射机制。正偏压...
利用射频(RF)溅射在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上沉积(Ba_(0.65)Sr_(0.35))TiO_3(BST)薄膜,制成Pt/BST/Pt平板电容,研究在正反偏压下BST薄膜漏电流的J-V和J-T特性。反偏压时,上电极Pt和BST薄膜形成肖特基接触,漏电流遵循肖特基发射机制。正偏压时,BST薄膜和下电极Pt界面存在大量的界面态,使得漏电流遵循空间电荷限制电流(SCLC)机制,漏电流密度随偏压的增加而急剧增加,随测试温度的增加而减小产生了PTCR效应。利用深陷阱空间电荷限制电流模型,解释了BST薄膜的PTCR效应受ε_r(T)和V^((Tc/T)+1)的共同作用,其中ε_r(T)的作用占优。
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关键词
PTCR
BST薄膜
陷阱
填充
限制
电流
空间
电荷
限制
电流
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职称材料
题名
NPB/Alq_3双层有机电致发光器件薄膜厚度与器件性能的优化
被引量:
2
1
作者
锁钒
于军胜
黎威志
邓静
林慧
蒋亚东
机构
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期2050-2054,共5页
基金
国家自然科学基金(No.60425101)
教育部新世纪优秀人才计划(No.NCET-06-0812)
电子科大中青年学术带头人计划(No.060206)
文摘
研究了以NPB为空穴传输层、Al_(q3)为发光层的双层异质结有机电致发光器件的薄膜厚度对器件性能的影响.制备了一系列具有不同NPB和Al_(q3)厚度的器件并测试了其电致发光特性.结果表明,器件电流随Al_(q3)与NPB厚度变化的关系并不相同.不同有机层厚度双层器件的电流机制符合陷阱电荷限制(TCL)理论,随外加电压的增大,器件电流经历了欧姆电导区、TCL电流区、陷阱电荷限制.空间电荷限制(TCL-SCL)过渡区三个区域的变化.当有机层厚度匹配为NPB(20nm)/Al_(q3)(50nm)时可以获得性能优良的器件.器件的流明效率-电压关系曲线的变化规律是在低电压区较快达到最大值,然后随电压的增加逐渐降低.
关键词
有机电致发光
NPB
ALQ3
薄膜厚度
陷阱
电荷
限制
(
tcl
)
器件性能
Keywords
organic electroluminescence
NPB
Alq3
film thickness
trapped charge limited(
tcl
)
device performance
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
单层有机电致发光器件的电流传导机制的数值拟合分析
被引量:
2
2
作者
于军胜
锁钒
黎威志
娄双玲
蒋亚东
机构
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第8期1485-1489,共5页
基金
国家杰出青年基金(No.60425101)
教育部新世纪优秀人才计划(No.NCET-06-0812)
电子科大中青年学术带头人计划(No.060206)
文摘
采用真空蒸镀的方法制备了以八羟基喹啉铝(Alq3)为功能层的单层同质结有机电致发光器件,器件结构为indium-tin-oxide(ITO)/tris-(8-hydroxylquinoline)-aluminum(Alq3)(x nm)/Mg:Ag.通过改变有机功能层的厚度,采用陷阱电荷限制电流(TCLC)理论对器件电流的数值拟合方法具体地研究了不同薄膜厚度的有机半导体器件内部电流的传导机制,验证了实验结果和理论推导的一致性.结果表明,Alq3层厚度较低的单层器件随外加电压增大,器件电流经历了从欧姆电导区、TCLC区到TCLC-空间电荷限制电流(SCLC)过渡区三个区域的变化;而对于Alq3层厚度较高的单层器件,Alq3层中的陷阱机构增多,导致电流-电压曲线的SCLC区域消失.
关键词
有机电致发光
电流传导
陷阱
电荷
限制
电流
薄膜厚度
数值拟合
Keywords
organic electroluminescence
current conduction
trapped charge limited current
film thickness
numerical fitting
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种喹啉类铝配合物的制备及其光电特性的研究
被引量:
2
3
作者
陈柳青
刘旭光
许慧侠
王华
许并社
机构
太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室
出处
《中国材料进展》
CAS
CSCD
2009年第3期22-25,共4页
基金
国家自然科学基金(20671068)
山西省自然科学基金(20041066)
+1 种基金
山西省留学人员科研项目(200523)
山西省科技攻关项目(2006031121)资助
文摘
制备了一种高纯度的8-羟基喹啉铝的衍生物——三(5-氯-8-羟基喹啉)铝(AlClq3)。用核磁共振谱仪、元素分析仪、红外光谱仪确定了AlClq3的结构。通过差示扫描量热法、紫外可见吸收光谱、荧光发射光谱和光致发光光谱表征了Al-Clq3的热稳定性以及能带结构。实验结果表明:AlClq3晶型转变温度为187℃,在紫外光的激发下,在乙醇溶液中的荧光发射峰的波长为535nm,为黄绿色荧光,禁带宽度3.16eV。用真空蒸镀法制备了黄绿光有机电致发光器件,其发射峰的波长为540nm。器件的电学特性由三(5-氯-8-羟基喹啉)铝控制,在低压时由注入电流限制,高压时由陷阱电荷传导机制控制。
关键词
8-羟基喹啉铝衍生物
光物理性质
陷阱
电荷
限制
电致发光
Keywords
Alq3 derivates
photophysical properties
trap charge limited
electroluminescence
分类号
O428.3 [理学—声学]
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职称材料
题名
电极材料对NPB/Alq_3有机电致发光器件性能的影响
被引量:
1
4
作者
于军胜
锁钒
黎威志
林慧
李璐
蒋亚东
机构
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期1821-1826,共6页
基金
国家自然科学基金(60425101)
教育部新世纪优秀人才计划(NCET-06-08125)和电子科技大学中青年学术带头人计划(060206)资助项目
文摘
采用不同材料作为有机电致发光器件(OELDs)的电极,制备了基本结构为[阳极/NPB(40 nm)]/Alq_3(50 nm)/阴极]的异质结双层器件,并通过改变OELDs器件的阴极或阳极来研究电极材料对器件光电性能的影响.研究结果表明,各器件电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)关系的基本特征与陷阱电荷限制电流(TCLC)机制的拟合情况相符.由于有机材料本身能级的无序性以及载流子迁移率对温度和电场的依赖性,不同电极的载流子注入能力与其功函数并无直接关系.双层器件中由于空穴传输层的引入,使得载流子复合区域位于有机层异质结界面处,降低了金属阴极对激子的猝灭作用,从而大大提高了器件性能.此外,金属电极OLEDs器件结构具有的微腔效应会导致发射光谱的位移和谱峰宽度变窄,这表明通过对金属电极的表面改性和优化可使器件性能超过常规结构的器件.
关键词
有机电致发光
电极材料
陷阱
电荷
限制
电流
激子淬灭
器件性能
Keywords
Organic electroluminescence
Electrode material
tcl
C
Exciton quenching
Device performance
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
铁酸铋薄膜在小于矫顽电压下的阻变机制
5
作者
朱慧
张迎俏
汪鹏飞
白子龙
孟晓
陈月圆
祁琼
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
复旦大学微电子学院
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期443-447,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61201046)
北京市自然科学基金资助项目(4162013
2132023)
文摘
为了研究利用脉冲激光沉积法制备于SrTiO_3衬底上的Au/BiFeO_3/SrRuO_3结构的阻变效应,实验通过测量样品的I-V特性曲线来表征样品的阻态变化.由于BiFeO_3与Au、SrRuO_3功函数的不同在Au/BiFeO_3、BiFeO_3/SrRuO_3两个接触界面形成稳定的肖特基接触,通过改变外部电压控制陷阱能级填充的程度可以改变肖特基势垒高度,从而在施加电压小于矫顽电压时可以形成稳定的高低阻变化,表现出最大可达103高低阻电流比的I-V特性曲线.对I-V特性曲线进行不同导电机制的拟合表明:小于矫顽电压下空间电荷限制电流起到了主导作用,陷阱的填充与脱陷是主要的阻变机制.
关键词
铁电阻变存储器
阻变效应
空间
电荷
限制
电流
陷阱
填充
Keywords
Fe-resistive random access memory
resistive switching effect
space charge limited current
trapping effect
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
Pt/(Ba_(0.65)Sr_(0.35))TiO_3/Pt漏电流特性研究
6
作者
何小祥
吴传贵
张万里
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第8期1298-1301,1305,共5页
基金
国防预研基金(51412020505DZ0202)
文摘
利用射频(RF)溅射在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上沉积(Ba_(0.65)Sr_(0.35))TiO_3(BST)薄膜,制成Pt/BST/Pt平板电容,研究在正反偏压下BST薄膜漏电流的J-V和J-T特性。反偏压时,上电极Pt和BST薄膜形成肖特基接触,漏电流遵循肖特基发射机制。正偏压时,BST薄膜和下电极Pt界面存在大量的界面态,使得漏电流遵循空间电荷限制电流(SCLC)机制,漏电流密度随偏压的增加而急剧增加,随测试温度的增加而减小产生了PTCR效应。利用深陷阱空间电荷限制电流模型,解释了BST薄膜的PTCR效应受ε_r(T)和V^((Tc/T)+1)的共同作用,其中ε_r(T)的作用占优。
关键词
PTCR
BST薄膜
陷阱
填充
限制
电流
空间
电荷
限制
电流
Keywords
PTCR
BST thin films
TFLC
SCLC
分类号
TN604 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
NPB/Alq_3双层有机电致发光器件薄膜厚度与器件性能的优化
锁钒
于军胜
黎威志
邓静
林慧
蒋亚东
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
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职称材料
2
单层有机电致发光器件的电流传导机制的数值拟合分析
于军胜
锁钒
黎威志
娄双玲
蒋亚东
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
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职称材料
3
一种喹啉类铝配合物的制备及其光电特性的研究
陈柳青
刘旭光
许慧侠
王华
许并社
《中国材料进展》
CAS
CSCD
2009
2
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职称材料
4
电极材料对NPB/Alq_3有机电致发光器件性能的影响
于军胜
锁钒
黎威志
林慧
李璐
蒋亚东
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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职称材料
5
铁酸铋薄膜在小于矫顽电压下的阻变机制
朱慧
张迎俏
汪鹏飞
白子龙
孟晓
陈月圆
祁琼
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017
0
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职称材料
6
Pt/(Ba_(0.65)Sr_(0.35))TiO_3/Pt漏电流特性研究
何小祥
吴传贵
张万里
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
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职称材料
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