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薄膜绝缘层对陶瓷厚膜电致发光显示器件的影响 被引量：1
1
作者 蒋玉蓉 周代兵 +2 位作者 薛唯 喻志农 卢维强 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期472-475,共4页
采用丝网印刷技术,在Al_2O_3陶瓷板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层制备出陶瓷厚膜基板,进而制备了新型厚膜电致发光显示器(TDEL),整个器件结构为陶瓷基板/内电极/厚膜绝缘层/发光层/薄膜绝缘层/ITO透明电极。对用不同薄膜绝缘材料制备... 采用丝网印刷技术,在Al_2O_3陶瓷板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层制备出陶瓷厚膜基板,进而制备了新型厚膜电致发光显示器(TDEL),整个器件结构为陶瓷基板/内电极/厚膜绝缘层/发光层/薄膜绝缘层/ITO透明电极。对用不同薄膜绝缘材料制备的显示器件的特性进行测试、比较、分析,结果表明薄膜绝缘介质层对器件的阈值电压、发光亮度均有一定的影响,以复合绝缘层的性能最优。最后对器件的衰减特性进行了初步分析。 展开更多
关键词 陶瓷厚膜 薄膜绝缘层 陶瓷厚膜电致发光显示器件 丝网印刷技术
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无机厚膜电致发光显示器件的研究 被引量：2
2
作者 薛唯 周代兵 +2 位作者 蒋玉蓉 喻志农 卢维强 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期131-133,146,共4页
采用丝网印刷技术 ,在 Al2 O3陶瓷基板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层 ,制备出陶瓷厚膜基板 ,进而制备了新型厚膜电致发光显示器 (TDEL) .整个器件结构为陶瓷基板 /内电极 /厚膜绝缘层 /发光层 /薄膜绝缘层 / ITO透明电极 .测试了器件... 采用丝网印刷技术 ,在 Al2 O3陶瓷基板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层 ,制备出陶瓷厚膜基板 ,进而制备了新型厚膜电致发光显示器 (TDEL) .整个器件结构为陶瓷基板 /内电极 /厚膜绝缘层 /发光层 /薄膜绝缘层 / ITO透明电极 .测试了器件的阈值电压、亮度与电压、亮度与频率关系 ,并对器件衰减特性进行了分析 .结果显示厚膜电致发光器件比薄膜电致发光器件有更低的阈值电压和较小的介电损耗 。 展开更多
关键词 陶瓷厚膜 绝缘层 电致发光
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陶瓷厚膜无机电致发光显示器中ZnS∶Mn发光层的优化制备
3
作者 喻志农 薛唯 +1 位作者 蒋玉蓉 卢维强 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期153-155,165,共4页
为了提高陶瓷厚膜无机电致发光显示器的亮度,采用陶瓷基片/内电极/陶瓷厚膜/发光层/上绝缘层/透明电极的器件结构系统研究了ZnS∶Mn发光层的制备工艺.结果表明当优化的发光层厚度为600 nm,沉积温度为280℃时制备ZnS∶Mn发光层可以获得... 为了提高陶瓷厚膜无机电致发光显示器的亮度,采用陶瓷基片/内电极/陶瓷厚膜/发光层/上绝缘层/透明电极的器件结构系统研究了ZnS∶Mn发光层的制备工艺.结果表明当优化的发光层厚度为600 nm,沉积温度为280℃时制备ZnS∶Mn发光层可以获得器件的最大亮度.在高温500℃退火时,器件的亮度-驱动电压曲线最优.发光层结晶性的改善和Mn+的均匀扩散,使得优化的沉积温度和退火温度制备的ZnS∶Mn发光层具有良好的光电特性. 展开更多
关键词 陶瓷厚膜 无机电致发光显示器 ZnS:Mn发光层
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以陶瓷厚膜为绝缘层的绿色薄膜电致发光器件 被引量：4
4
作者 唐春玖 朱文清 +4 位作者 赵伟明 刘祖刚 蒋雪茵 张志林 许少鸿 《液晶与显示》 CAS CSCD 1999年第1期39-41,共3页
首次报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ∶Ｅｒ作发光层的绿色薄膜电致发光器件（ＣＴＦＥＬ）。器件结构为陶瓷基片／内电极／陶瓷厚膜／发光层（ＺｎＳ∶Ｅｒ）／透明电极（ＺｎＯ∶Ａｌ）。发光层是用电子束蒸发制备的... 首次报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ∶Ｅｒ作发光层的绿色薄膜电致发光器件（ＣＴＦＥＬ）。器件结构为陶瓷基片／内电极／陶瓷厚膜／发光层（ＺｎＳ∶Ｅｒ）／透明电极（ＺｎＯ∶Ａｌ）。发光层是用电子束蒸发制备的，透明电极是采用溅射法制备的。器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光，研究了器件的亮度－电压和效率－电压等特性。 展开更多
关键词 陶瓷厚膜 绝缘层 薄膜 电致发光器件
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红色ZnSSm,Cl陶瓷厚膜电致发光器件 被引量：1
5
作者 唐春玖 刘祖刚 +4 位作者 赵伟明 朱文清 蒋雪茵 张志林 许少鸿 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期364-365,共2页
９４年国际电致发光讨论会上，报导了一种新型的显示器［１］，引起了研究者广泛的兴趣．这类显示器的创新表现在采用丝网印刷的几十个微米量级的高介电常数的陶瓷厚膜来替代无机薄膜电致发光器件中的薄膜绝缘层．因为陶瓷厚膜的制备方... ９４年国际电致发光讨论会上，报导了一种新型的显示器［１］，引起了研究者广泛的兴趣．这类显示器的创新表现在采用丝网印刷的几十个微米量级的高介电常数的陶瓷厚膜来替代无机薄膜电致发光器件中的薄膜绝缘层．因为陶瓷厚膜的制备方法比较简单，采用丝网印刷技术，具有... 展开更多
关键词 陶瓷厚膜 薄膜 电致发光器件 硫化锌 钐
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陶瓷绝缘体电致发光器件对比度的增强
6
作者 李碧琳 《液晶与显示》 CAS CSCD 1991年第2期42-43,共2页
交流薄膜电致发光器件（AC TFEL）已实现商品化,主要因为它们有长的寿命和优良的性能。这种器件需要高的驱动电压,典型值为200伏。为了降低驱动电压,已经研制出一些新的具有高介电常数的绝缘材料来代替通常使用的 Y<sub>2</sub... 交流薄膜电致发光器件（AC TFEL）已实现商品化,主要因为它们有长的寿命和优良的性能。这种器件需要高的驱动电压,典型值为200伏。为了降低驱动电压,已经研制出一些新的具有高介电常数的绝缘材料来代替通常使用的 Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>等。 展开更多
关键词 电致发光器件 薄膜电致发光 驱动电压 高介电常数 陶瓷层 偏振滤光片 电极系统 灰度级 热击穿 显示器件
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发光与发光器件
7
《中国光学》 EI CAS 2000年第4期5-6,共2页
TN104.3 2000042279镝-镧-钛铁试剂荧光体系的协同发光效应及其分析应用=Columinescence effect of dysprosiumlanthanumtiron system and its application[刊,中]/王磊(山东医科大学药学系.山东(250012))
关键词 协同发光效应 荧光体系 薄膜电致发光器件 光谱分析 钛铁试剂 光谱学 荧光强度 山东 陶瓷厚膜 医科大学
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发光与发光器件
8
《中国光学》 EI CAS 1999年第5期4-5,共2页
TN383.1 99052823AlGaInP橙色发光二极管的研制=Development ofAlGaInP orange light emitting diodes[刊,中]/王国宏,马骁宇,王树堂,曹青,彭怀德,李玉璋,陈良惠（中科院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心.北京（100083））//半... TN383.1 99052823AlGaInP橙色发光二极管的研制=Development ofAlGaInP orange light emitting diodes[刊,中]/王国宏,马骁宇,王树堂,曹青,彭怀德,李玉璋,陈良惠（中科院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心.北京（100083））//半导体技术.—1998,23（4）.—10—12利用LP—MOCVD外延生长AlGaInP DH橙包发光二极管。在20mA工作条件下发光波长峰值为628nm,FWHM为26um,15°(2θ<sub>1/2</sub>)视角封装后亮度达310 mcd;在80 mA工作条件下亮度达1000 mcd。分析了生长过程中杂质向有源区扩散对发光光谱的影响。 展开更多
关键词 发光二极管 电致发光器件 工作条件 半导体技术 陶瓷厚膜 国家工程研究中心 光电子器件 有机电致发光 聚苯胺 发光光谱
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