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622Mbps BiCMOS PECL接口智能限幅放大器的设计与实现
1
作者
王蓉
王志功
+1 位作者
管志强
徐建
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期1267-1273,共7页
采用0.6μm BiCMOS工艺成功设计并实现了一个有伪发射极耦合逻辑(PECL)接口的新型622Mbps智能限幅放大器(LA)系统。该系统除了LA核心电路外,还包含了智能LA的接收信号强度指示(RSSI)模块、可变阈值丢失信号(LOS)检测模块、静噪控制电路...
采用0.6μm BiCMOS工艺成功设计并实现了一个有伪发射极耦合逻辑(PECL)接口的新型622Mbps智能限幅放大器(LA)系统。该系统除了LA核心电路外,还包含了智能LA的接收信号强度指示(RSSI)模块、可变阈值丢失信号(LOS)检测模块、静噪控制电路和PECL接口电路。该系统可工作于3.3V或5V兼容电源,功耗分别为110mW和175mW。测试结果表明,对于622Mbps的输入信号,LA达到4mV灵敏度和50dB动态范围。信号强度检测范围高达44dB,可变报警阈值范围为1～100mV,同时保证报警迟滞为4dB。包括焊盘和静电保护电路(ESD)在内的完整芯片面积为2.22mm^2。
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关键词
智能
限幅
放大器
(
la
)
自动静噪
接收信号强度指示(RSSI)
丢失信号(LOS)检测
伪发射极耦合逻辑(PECL)接口
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职称材料
基于0.18μm BiCMOS工艺的25Gbit/s光接收机前端电路设计
被引量：
2
2
作者
李硕
何进
+5 位作者
陈婷
薛喆
王豪
常胜
黄启俊
魏恒
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第2期87-93,共7页
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一款传输速率为25 Gbit/s的高速光接收机前端电路。前端电路主要包括跨阻放大器(TIA)、限幅放大器(LA)、直流偏移消除电路和输出缓冲级4部分。跨阻放大器采用了伪差分结构,相比于传统的单端转...
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一款传输速率为25 Gbit/s的高速光接收机前端电路。前端电路主要包括跨阻放大器(TIA)、限幅放大器(LA)、直流偏移消除电路和输出缓冲级4部分。跨阻放大器采用了伪差分结构,相比于传统的单端转差分电路,减少了共模噪声,增强了电路的稳定性。限幅放大器采用了Cherry-Hooper结构,利用射极跟随器作为反馈通路,降低了输出电阻,将输出电容与放大级隔离,从而拓展带宽,提高电路增益。直流偏移消除电路,有效消除了跨阻放大器输出端的直流偏移,提高了电路的稳定性。仿真结果表明,光接收机前端电路跨阻增益为65.4 dBΩ,带宽为25.3 GHz,灵敏度为-16.7 dBm,功耗为163 mW。
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关键词
光接收机
25
Gbit/s
跨阻
放大器
(TIA)
限幅
放大器
(
la
)
直流偏移消除
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职称材料
4×5Gbit/s VCSEL阵列驱动集成电路
被引量：
2
3
作者
陈强军
赵聪
+1 位作者
郭迪
孙向明
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第2期110-115,共6页
基于GSMC 130 nm工艺设计并制备了一款4通道垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列驱动电路芯片。该芯片核心电路主要包括限幅放大器(LA)、输出级驱动电路、带隙基准电压源、8 bit数模转换器(DAC)电路等。输出级驱动电路将LA输出的电压信号转...
基于GSMC 130 nm工艺设计并制备了一款4通道垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列驱动电路芯片。该芯片核心电路主要包括限幅放大器(LA)、输出级驱动电路、带隙基准电压源、8 bit数模转换器(DAC)电路等。输出级驱动电路将LA输出的电压信号转换成电流信号,并配合偏置电路驱动VCSEL,实现调制发光,其中LA采用有源电感峰化结构,其峰化强度可通过DAC进行配置,输出级驱动加入前馈电容补偿技术以拓展带宽。在典型输出配置(输入差分峰峰值200 mV、5 Gbit/s的PRBS7信号)下,每个通道可输出最大12.5 mA的调制电流和2 mA的偏置电流。芯片实测结果表明,在典型输出配置下得到干净清晰的5 Gbit/s眼图,每个通道的总抖动为31.535 ps,功耗为84.5 mW。
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关键词
垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列驱动
集成电路
限幅
放大器
(
la
)
有源电感峰化
前馈电容补偿技术
带宽拓展
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职称材料
题名
622Mbps BiCMOS PECL接口智能限幅放大器的设计与实现
1
作者
王蓉
王志功
管志强
徐建
机构
东南大学射频与光电集成电路研究所
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期1267-1273,共7页
基金
863计划(2007AA01Z2a5)资助项目
文摘
采用0.6μm BiCMOS工艺成功设计并实现了一个有伪发射极耦合逻辑(PECL)接口的新型622Mbps智能限幅放大器(LA)系统。该系统除了LA核心电路外,还包含了智能LA的接收信号强度指示(RSSI)模块、可变阈值丢失信号(LOS)检测模块、静噪控制电路和PECL接口电路。该系统可工作于3.3V或5V兼容电源,功耗分别为110mW和175mW。测试结果表明,对于622Mbps的输入信号,LA达到4mV灵敏度和50dB动态范围。信号强度检测范围高达44dB,可变报警阈值范围为1～100mV,同时保证报警迟滞为4dB。包括焊盘和静电保护电路(ESD)在内的完整芯片面积为2.22mm^2。
关键词
智能
限幅
放大器
(
la
)
自动静噪
接收信号强度指示(RSSI)
丢失信号(LOS)检测
伪发射极耦合逻辑(PECL)接口
Keywords
Intelligent limiting amplifier （
la
）, auto- squelch, received signal strength indicator （RSSI）, loss-of- signal （LOS） detection, pseud-emitter coupled
la
gic （PECL） interface
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
基于0.18μm BiCMOS工艺的25Gbit/s光接收机前端电路设计
被引量：
2
2
作者
李硕
何进
陈婷
薛喆
王豪
常胜
黄启俊
魏恒
机构
武汉大学物理科学与技术学院
中国电子科技集团公司第五十四研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第2期87-93,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61774113
61574102
+3 种基金
61404094)
中央高校基本科研资助项目(2042014kf0238)
中央高校基本科研业务费专项资金(重大培育项目)资助项目(2042017gf0052)
中国博士后科学基金资助项目(2012T50688)
文摘
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一款传输速率为25 Gbit/s的高速光接收机前端电路。前端电路主要包括跨阻放大器(TIA)、限幅放大器(LA)、直流偏移消除电路和输出缓冲级4部分。跨阻放大器采用了伪差分结构,相比于传统的单端转差分电路,减少了共模噪声,增强了电路的稳定性。限幅放大器采用了Cherry-Hooper结构,利用射极跟随器作为反馈通路,降低了输出电阻,将输出电容与放大级隔离,从而拓展带宽,提高电路增益。直流偏移消除电路,有效消除了跨阻放大器输出端的直流偏移,提高了电路的稳定性。仿真结果表明,光接收机前端电路跨阻增益为65.4 dBΩ,带宽为25.3 GHz,灵敏度为-16.7 dBm,功耗为163 mW。
关键词
光接收机
25
Gbit/s
跨阻
放大器
(TIA)
限幅
放大器
(
la
)
直流偏移消除
Keywords
optical receiver
25 Gbit/s
transimpedance amplifier(TIA)
limiting amplifier(
la
)
DC offset cancel
la
tion
分类号
TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
4×5Gbit/s VCSEL阵列驱动集成电路
被引量：
2
3
作者
陈强军
赵聪
郭迪
孙向明
机构
华中师范大学物理科学与技术学院像素实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第2期110-115,共6页
基金
国家自然科学基金面上项目(11875145).
文摘
基于GSMC 130 nm工艺设计并制备了一款4通道垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列驱动电路芯片。该芯片核心电路主要包括限幅放大器(LA)、输出级驱动电路、带隙基准电压源、8 bit数模转换器(DAC)电路等。输出级驱动电路将LA输出的电压信号转换成电流信号,并配合偏置电路驱动VCSEL,实现调制发光,其中LA采用有源电感峰化结构,其峰化强度可通过DAC进行配置,输出级驱动加入前馈电容补偿技术以拓展带宽。在典型输出配置(输入差分峰峰值200 mV、5 Gbit/s的PRBS7信号)下,每个通道可输出最大12.5 mA的调制电流和2 mA的偏置电流。芯片实测结果表明,在典型输出配置下得到干净清晰的5 Gbit/s眼图,每个通道的总抖动为31.535 ps,功耗为84.5 mW。
关键词
垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列驱动
集成电路
限幅
放大器
(
la
)
有源电感峰化
前馈电容补偿技术
带宽拓展
Keywords
vertical cavity surface emitting
la
ser(VCSEL)array driver
integrated circuit
limiting amplifier(
la
)
active inductor peaking
feedforward capacitance compensation technology
bandwidth expansion
分类号
TN40 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN248 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
622Mbps BiCMOS PECL接口智能限幅放大器的设计与实现
王蓉
王志功
管志强
徐建
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于0.18μm BiCMOS工艺的25Gbit/s光接收机前端电路设计
李硕
何进
陈婷
薛喆
王豪
常胜
黄启俊
魏恒
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
4×5Gbit/s VCSEL阵列驱动集成电路
陈强军
赵聪
郭迪
孙向明
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
2
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