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用于远红外探测的Si:P阻挡杂质带红外探测器研制被引量：3: 1; 作者廖开升李志锋 +4 位作者王超李梁周孝好李宁戴宁《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期37-41,共5页; 提出了全外延技术方案制备阻挡杂质带薄膜,避免了离子注入制备背电极层影响外延薄膜质量的技术难点.基于硅器件工艺设计制作了Si：P阻挡杂质带红外探测器.测量了器件的光电流响应谱和暗电流特性曲线,指认了叠加在光电流响应谱上的尖锐... 展开更多; 关键词阻挡杂质带暗电流远红外太赫兹; 在线阅读下载PDF 职称材料

离子注入型硅掺砷阻挡杂质带长波红外探测器的研究被引量：3: 2; 作者王超李宁 +2 位作者戴宁石旺舟胡古今《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期290-294,共5页; 研究了基于离子注入技术制备硅掺砷阻挡杂质带探测器的工艺,通过优化工艺条件和相关器件的结构与材料参数,制造了具有良好光电响应性能的长波红外探测器。在温度5 K,-3.8 V工作偏压下,探测器的峰值响应波长为23.8μm,黑体响应率为3.7 A/... 展开更多; 关键词阻挡杂质带长波红外探测器硅掺砷离子注入工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

近表面加工技术制备的高性能Ge:B阻挡杂质带探测器被引量：1: 3; 作者潘昌翊牟浩 +5 位作者姚晓梅胡桃王宇王超邓惠勇戴宁《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期389-394,共6页; 阻挡杂质带(BIB)探测器是当前远红外天文探测领域的主流探测器。通过近表面加工技术成功制备出了高性能的Ge:B BIB探测器,响应波数范围从50 cm^(-1)到400 cm^(-1)。在3.5 K温度和30 mV工作电压下,器件在峰值响应84.9 cm^(-1)处的响应率... 展开更多; 关键词阻挡杂质带探测器界面势垒激发模式; 在线阅读下载PDF 职称材料

外延阻挡杂质带探测器的抗反射被引量：1: 4; 作者王超姚尧 +3 位作者文政绩郝加明胡古今戴宁《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期459-464,共6页; 传统外延阻挡杂质带探测器由于其材料物性和特殊的结构设计存在很强的反射,这些能量损失非常不利于器件的探测性能。报道了一种类光栅双层超构表面微结构阵列,并将此人工微结构引入到外延阻挡杂质带红外探测器以抑制对入射光的反射。实... 展开更多; 关键词阻挡杂质带红外探测器减反双层超表面; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅基阻挡杂质带太赫兹探测器及其成像研究被引量：1: 5; 作者王兵兵王晓东 +4 位作者陈雨璐张传胜臧元章潘鸣曹俊诚《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第9期1867-1872,共6页; 太赫兹探测及成像技术是推动太赫兹科学技术发展的基础和关键.为了实现高灵敏太赫兹探测及成像,设计了一种台面型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器,详细介绍了其结构及探测机理,描述了其制备工艺流程,并搭建了黑体响应测试系统.结果表明,4.2... 展开更多; 关键词阻挡杂质带太赫兹探测器峰值响应率扫描成像分辨率; 在线阅读下载PDF 职称材料

可用于多波段融合的超结构/阻挡杂质带复合结构探测器(特邀): 6; 作者崔慧源陈雨璐王晓东《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第1期99-111,共13页; 太赫兹辐射是指频率在30μm~1 mm范围内的电磁波,具有穿透性强、安全性高、特征性强及定向性好等特点,因此,太赫兹技术在天文观测、安全监控、物质鉴定及生物医学等领域具有广阔的应用前景。阻挡杂质带探测器具有灵敏度高、阵列规模大... 展开更多; 关键词阻挡杂质带太赫兹光电探测器超结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅基BIB红外探测器研究进展被引量：3: 7; 作者马兴招唐利斌 +3 位作者张玉平左文彬王善力姬荣斌《红外技术》 CSCD 北大核心 2023年第1期1-14,共14页; 以锗基和硅基为主的阻挡杂质带(blocked impurity band,BIB)红外探测器的兴起有力推进了红外天文学的快速发展,其中硅基BIB红外探测器在特定波长的航天航空领域有着不可替代的地位。国外对硅基BIB红外探测器的研究已有40多年,以美国航... 展开更多; 关键词硅基阻挡杂质带红外探测器天文探测; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于远红外探测的Si:P阻挡杂质带红外探测器研制被引量：3: 1; 作者廖开升李志锋王超李梁周孝好李宁戴宁; 机构中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期37-41,共5页; 基金国家重点基础研究发展计划(2011CB922004) 国家自然科学基金(61290304 +1 种基金 61376053) 上海技术物理研究所知识创新项目(QDX-64)资助的课题~~; 文摘提出了全外延技术方案制备阻挡杂质带薄膜,避免了离子注入制备背电极层影响外延薄膜质量的技术难点.基于硅器件工艺设计制作了Si：P阻挡杂质带红外探测器.测量了器件的光电流响应谱和暗电流特性曲线,指认了叠加在光电流响应谱上的尖锐杂质峰对应阻挡层中磷原子的杂质跃迁.研究了器件在低温下小偏压范围内的暗电流起源.通过对计算结果分析,排除了该区域暗电流起源于热激发电导和跳跃式电导的可能,指出暗电流来自器件对冷屏的光电响应.器件工作温度5 K,工作偏压1.6 V时,响应波段覆盖2.5-40μm,峰值波长28.8μm,峰值响应率20.1 A/W,峰值探测率3.7×10^13cm·Hz1/2/W（背景光子通量低于1013ph/cm^2·s）.; 关键词阻挡杂质带暗电流远红外太赫兹; Keywords blocked impurity band dark current far infrared terahertz; 分类号 TN36 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名离子注入型硅掺砷阻挡杂质带长波红外探测器的研究被引量：3: 2; 作者王超李宁戴宁石旺舟胡古今; 机构中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室中国科学院大学上海师范大学数理学院物理系; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期290-294,共5页; 基金国家自然科学基金(11933006,61805060,61290304,10904158,10990103) 国家重点基础研究发展计划项目(2013CB632802,2011CB922004)。; 文摘研究了基于离子注入技术制备硅掺砷阻挡杂质带探测器的工艺,通过优化工艺条件和相关器件的结构与材料参数,制造了具有良好光电响应性能的长波红外探测器。在温度5 K,-3.8 V工作偏压下,探测器的峰值响应波长为23.8μm,黑体响应率为3.7 A/W,3.2 V时最大探测率为5.2×10^13 cm·Hz^1/2/W。性能指标堪与文献报道的结果相媲美甚至更好,展示了离子注入工艺在制作阻挡杂质带探测器方面的潜在优势,特别是离子注入工艺与目前的微电子电路技术相兼容,能将探测器与读出电路集成到一块芯片上,在降低成本的同时提高探测器成像性能。; 关键词阻挡杂质带长波红外探测器硅掺砷离子注入工艺; Keywords blocked impurity band long-wavelength infrared detectors Si:As ion-implant process; 分类号 TN36 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名近表面加工技术制备的高性能Ge:B阻挡杂质带探测器被引量：1: 3; 作者潘昌翊牟浩姚晓梅胡桃王宇王超邓惠勇戴宁; 机构中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室中国科学院大学中国科学院大学杭州高等研究院; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期389-394,共6页; 基金 Supported by National Natural Science Foundation of China(11933006) the Frontier Science Research Project(Key Programs)of the Chinese Academy of Sciences(QYZDJ-SSW-SLH018)。; 文摘阻挡杂质带(BIB)探测器是当前远红外天文探测领域的主流探测器。通过近表面加工技术成功制备出了高性能的Ge:B BIB探测器,响应波数范围从50 cm^(-1)到400 cm^(-1)。在3.5 K温度和30 mV工作电压下,器件在峰值响应84.9 cm^(-1)处的响应率达到21.46 A·W^(-1),探测率达到4.34×10^(14)cm·Hz^(1/2)·W^(-1)。研究了BIB探测器中界面势垒对响应光谱的影响。提出了一种新的激发模式—电极区内的载流子可以通过光激发的方式越过势垒。此外,还发现了一种增强BIB探测器在小波数处相对响应强度的方法。; 关键词阻挡杂质带探测器界面势垒激发模式; Keywords blocked impurity band interfacial barrier excitation model far infrared; 分类号 TN36 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名外延阻挡杂质带探测器的抗反射被引量：1: 4; 作者王超姚尧文政绩郝加明胡古今戴宁; 机构中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室中国科学院大学上海师范大学数理学院物理系国科大杭州高等研究院物理与光电工程学院江苏省光伏科学与工程协同创新中心; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期459-464,共6页; 基金国家重点研发计划(2017YFA0205800) 国家自然科学基金(11933006,61805060,61290304)。; 文摘传统外延阻挡杂质带探测器由于其材料物性和特殊的结构设计存在很强的反射,这些能量损失非常不利于器件的探测性能。报道了一种类光栅双层超构表面微结构阵列,并将此人工微结构引入到外延阻挡杂质带红外探测器以抑制对入射光的反射。实验结果显示,具有超构表面微结构阵列的器件在波长30μm处反射率低于3%,在25.3∼32.2μm波段范围内反射率低于20%。同时,该超表面减反微结构对入射光的偏振还具有很强的选择性,符合第四代焦平面发展需求。; 关键词阻挡杂质带红外探测器减反双层超表面; Keywords blocked impurity band infrared detector antireflection bilayer metasurfaces; 分类号 TN36 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅基阻挡杂质带太赫兹探测器及其成像研究被引量：1: 5; 作者王兵兵王晓东陈雨璐张传胜臧元章潘鸣曹俊诚; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院太赫兹固态技术重点实验室中国科学院大学材料与光电研究中心中国电子科技集团公司第五十研究所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第9期1867-1872,共6页; 基金国家自然科学基金(No.61705201,No.61927813,No.61975225) 国家重点研发计划(No.2017YFA0701005) 上海市科学技术委员会(No.18590780100)。; 文摘太赫兹探测及成像技术是推动太赫兹科学技术发展的基础和关键.为了实现高灵敏太赫兹探测及成像,设计了一种台面型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器,详细介绍了其结构及探测机理,描述了其制备工艺流程,并搭建了黑体响应测试系统.结果表明,4.2K温度条件下,3.8V工作偏压时,探测器峰值响应率可达55A/W,响应频段覆盖6.7~60THz.此外,搭建了一套两维扫描成像系统,实现了高分辨率被动成像.实验结果表明,成像系统空间分辨率可达400μm、温度分辨率约为7.5mK.; 关键词阻挡杂质带太赫兹探测器峰值响应率扫描成像分辨率; Keywords blocked impurity band terahertz detector peak responsivity scanning imaging resolution; 分类号 O471.5 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名可用于多波段融合的超结构/阻挡杂质带复合结构探测器(特邀): 6; 作者崔慧源陈雨璐王晓东; 机构中国电子科技集团公司第五十研究所; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第1期99-111,共13页; 基金中国电科集团项目资助。; 文摘太赫兹辐射是指频率在30μm~1 mm范围内的电磁波,具有穿透性强、安全性高、特征性强及定向性好等特点,因此,太赫兹技术在天文观测、安全监控、物质鉴定及生物医学等领域具有广阔的应用前景。阻挡杂质带探测器具有灵敏度高、阵列规模大、探测谱段宽等核心优势,是太赫兹辐射探测的优良选择。阻挡杂质带探测器目前主要采用三种材料体系,分别为Si、Ge、GaAs。基于这三种材料体系的阻挡杂质带探测器可实现在3~500μm的超宽波段探测。超结构是由亚波长结构单元构成人工复合结构,在光电探测器上引入超结构,利用等离激元共振、偶极共振调控特性,可以将电磁场能量强烈的局域在金属/探测器界面位置。因此,超结构与阻挡杂质带结合,可有效调控探测峰位、缩小探测峰半高宽、强化光谱分辨能力,并有望大规模应用于3~500μm的多波段融合探测。同时,超结构与阻挡杂质带探测器结合,可进一步提高器件响应率,减小器件尺寸,降低工艺难度。文中简要叙述了阻挡杂质带探测器的工作机理,介绍了国内外阻挡杂质带探测器的研究历史及研究现状。最后,在探测器波段调控、光谱分辨、增强吸收等角度详细介绍了Si、Ge、GaAs基超结构/阻挡杂质带复合结构探测器的研究现状,并结合目前该技术发展瓶颈问题,在高纯材料生长、光场局域效应机理研究等方面提出了下一步的研究展望。; 关键词阻挡杂质带太赫兹光电探测器超结构; Keywords blocking-impurity-band terahertz photodetector superstructure; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅基BIB红外探测器研究进展被引量：3: 7; 作者马兴招唐利斌张玉平左文彬王善力姬荣斌; 机构昆明物理研究所云南大学材料与能源学院云南省先进光电材料与器件重点实验室; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2023年第1期1-14,共14页; 基金国家重点研发计划(2019YFB2203404) 云南省创新团队项目(2018HC020)。; 文摘以锗基和硅基为主的阻挡杂质带(blocked impurity band,BIB)红外探测器的兴起有力推进了红外天文学的快速发展,其中硅基BIB红外探测器在特定波长的航天航空领域有着不可替代的地位。国外对硅基BIB红外探测器的研究已有40多年,以美国航空航天局(NASA)为主的科研机构已经实现了硅基BIB红外探测器在天文领域的诸多应用,而国内对硅基BIB红外探测器的研究尚处于起步阶段。本文首先阐述了硅基BIB红外探测器的工作原理,然后简单概述了器件结构和制备工艺,并对不同类型的硅基BIB探测器的性能进行了对比分析,之后介绍了其在天文探测中的应用,最后对硅基BIB红外探测器未来的发展进行了展望。; 关键词硅基阻挡杂质带红外探测器天文探测; Keywords silicon-based BIB infrared detector astronomical detection; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	用于远红外探测的Si:P阻挡杂质带红外探测器研制	廖开升李志锋王超李梁周孝好李宁戴宁	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2016	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	离子注入型硅掺砷阻挡杂质带长波红外探测器的研究	王超李宁戴宁石旺舟胡古今	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2020	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	近表面加工技术制备的高性能Ge:B阻挡杂质带探测器	潘昌翊牟浩姚晓梅胡桃王宇王超邓惠勇戴宁	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	外延阻挡杂质带探测器的抗反射	王超姚尧文政绩郝加明胡古今戴宁	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2021	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	硅基阻挡杂质带太赫兹探测器及其成像研究	王兵兵王晓东陈雨璐张传胜臧元章潘鸣曹俊诚	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2021	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	可用于多波段融合的超结构/阻挡杂质带复合结构探测器(特邀)	崔慧源陈雨璐王晓东	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	硅基BIB红外探测器研究进展	马兴招唐利斌张玉平左文彬王善力姬荣斌	《红外技术》 CSCD 北大核心	2023	3	在线阅读下载PDF 职称材料