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一种具有0.5dB噪声系数的450～470MHz单片集成LNA
被引量：
1
1
作者
曾健平
戴志伟
+2 位作者
杨浩
张海英
郑新年
《湖南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期91-94,共4页
基于0．5μm赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺，设计制造了一款工作于450-470MHz频段的单片集成低噪声放大器（LNA），该LNA采用阻容负反馈的方式实现输入阻抗匹配，减小了无源元件占有的芯片面积，达到了单片集成的目的，同时降低...
基于0．5μm赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺，设计制造了一款工作于450-470MHz频段的单片集成低噪声放大器（LNA），该LNA采用阻容负反馈的方式实现输入阻抗匹配，减小了无源元件占有的芯片面积，达到了单片集成的目的，同时降低了使用成本,测试结果表明，该单片集成LNA具有40dB左右的增益和约0．5dB的噪声系数，其低噪声性能十分优秀，这得益于pHEMT管不引入高损耗的片上电感所带来的好处及其本身优异的低噪声特性．
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关键词
低噪声放大器
阻容负反馈
单片集成
低频段
PHEMT
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职称材料
题名
一种具有0.5dB噪声系数的450～470MHz单片集成LNA
被引量：
1
1
作者
曾健平
戴志伟
杨浩
张海英
郑新年
机构
湖南大学物理与微电子科学学院
中国科学院微电子研究所
出处
《湖南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期91-94,共4页
基金
国家科技重大专项资助项目(2010ZX03007-002)
文摘
基于0．5μm赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺，设计制造了一款工作于450-470MHz频段的单片集成低噪声放大器（LNA），该LNA采用阻容负反馈的方式实现输入阻抗匹配，减小了无源元件占有的芯片面积，达到了单片集成的目的，同时降低了使用成本,测试结果表明，该单片集成LNA具有40dB左右的增益和约0．5dB的噪声系数，其低噪声性能十分优秀，这得益于pHEMT管不引入高损耗的片上电感所带来的好处及其本身优异的低噪声特性．
关键词
低噪声放大器
阻容负反馈
单片集成
低频段
PHEMT
Keywords
low noise amplifier （LNA）
resistive-shunt feedback
monolithic
low frequency
pHEMT
分类号
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种具有0.5dB噪声系数的450～470MHz单片集成LNA
曾健平
戴志伟
杨浩
张海英
郑新年
《湖南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
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