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题名基于第一性原理计算的ZrO_2材料的掺杂阻变特性
被引量：2
- 1
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作者
周星
王建军
高珊
陈军宁
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机构
安徽大学电子信息工程学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第10期760-764,共5页
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基金
核高基国家重大专项(2009ZX01031-001-004)
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文摘
阻变式随机存储器(RRAM)是目前新型存储器领域的研究热点。基于ZrO2材料,选取Al和Ag作为杂质元素。采用第一性原理方法计算了掺杂条件下ZrO2中氧空位的形成能、氧空位之间的作用能等重要参量。Al(富余)掺杂下,氧空位之间的相互作用能成负值,相互吸引抱团形成导电细丝,阻变特性明显改善,氧空位主导细丝形成。这与相关的实验结果是一致的。Ag掺杂下,Ag的金属性强,氧空位之间相互作用能全为正值,相互排斥。通过模拟观察,Ag主导了细丝形成,并改善了ZrO2材料的阻变特性。
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关键词
阻变式随机存储器（RRAM）
掺杂
导电细丝
相互作用能
氧空位
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Keywords
resistive random access memory （RRAM）
doping
filaments
interaction energy
oxygen vacancy
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分类号
TN304.21
[电子电信—物理电子学]
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题名基于RRAM的运用MIG逻辑设计的加法器电路
被引量：3
- 2
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作者
刘文楷
范冬宇
戴澜
张锋
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机构
北方工业大学电子信息与工程学院
中国科学院微电子研究所微电子重点研究室
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2017年第12期50-54,共5页
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基金
国家自然科学基金项目(61474134)
北京市未来芯片技术高精尖创新中心科研基金资助项目(KYJJ2016007)
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文摘
本文采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种基于阻变随机存储器(RRAM)的加法器电路.区别于传统的蕴含逻辑(IMP)型加法器,本设计选取新型的多数表决器逻辑(Majority-Inverter Graph,MIG)实现加法运算.文中设计并验证了基于MIG逻辑的一位全加器的全部运算,证明了新逻辑在存储器计算方面的可行性.与传统RRAM一位全加器相比较,本设计的一位全加器因为采用新的逻辑方法使得RRAM多个单元可以并行进行数据操作,从而减少了运算步骤,及原有冗长运算引起的误差,有效提高了运算速度,为存储器内部计算提供了新的思路.
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关键词
阻变随机存储器
多数表决器逻辑
存储器计算
加法器
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Keywords
RRAM
MIG
In-memory computing
full adders
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分类号
TN431.2
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名1T1R结构RRAM的故障可测性设计
被引量：1
- 3
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作者
陈传兵
许晓欣
李晓燕
李颖弢
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机构
兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期388-393,400,共7页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61774079,61664001)
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文摘
阻变随机存储器（RRAM）中存在的故障严重影响产品的可靠性和良率。采用精确高效的测试方法能有效缩短工艺优化周期,降低测试成本。基于SMIC 28 nm工艺平台,完成了1T1R结构的1 Mbit RRAM模块的流片。详细分析了测试中的故障响应情况,并定义了一种故障识别表达式。在March算法的基础上,提出针对RRAM故障的有效测试算法,同时设计了可以定位故障的内建自测试（BIST）电路。仿真结果表明,该测试方案具有占用引脚较少、测试周期较短、故障定位准确、故障覆盖率高的优势。
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关键词
1T1R结构
阻变随机存储器(RRAM)
内建自测试(BIST)
故障类型
测试算法
故障定位
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Keywords
one transistor one resistance （1T1R） structure
resistive random access memory（RRAM）
build-in-self-test （BIST）
fault type
detection algorithm
fault location
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分类号
TN407
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种基于斯坦福RRAM模型的参数提取方法
- 4
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作者
孙海燕
张硕
张晓波
戴澜
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机构
北方工业大学信息学院
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第8期670-675,共6页
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文摘
阻变随机存取存储器(RRAM)是一种新型非易失性存储器件,比主流的闪存(Flash)器件具有更快的读/写速度、更低的编程电压和功耗。然而由于工艺不成熟等因素,RRAM准确的器件模型需要在已有的斯坦福物理模型基础上,对多达6个曲线拟合参数反复进行调整,具有一定的建模难度。提出了一种简并参数的建模方法,通过器件实测数据计算出其中4个曲线拟合参数I_(0)、g_(0)、γ_(0)、β。该方法大大降低了将物理模型适配为实际模型的建模难度,且由于基于实测数据,该建模方法理论上对不同工艺具有适配性。最后在不同工艺条件下制作了基于HfO_(x)材料的RRAM器件,并验证了该方法的有效性、先进性和准确性。
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关键词
阻变随机存取存储器(RRAM)
非易失性存储器
器件模型
HfOx材料
导电细丝理论
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Keywords
resistive random access memory(RRAM)
non-volatile memory
device model
HfOx material
conductive filament theory
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分类号
TP333.8
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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