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高k介质阶梯变宽度SOI LDMOS
被引量：
3
1
作者
姚佳飞
郭宇锋
+3 位作者
李曼
王子轩
胡善文
夏天
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第7期1781-1786,共6页
本文提出了一种具有高k介质阶梯变宽度结构的新型的SOI LDMOS器件,该器件通过在漂移区内引入介质区域使得漂移区的宽度呈阶梯变化.借助三维器件仿真软件DAVINCI对其势场分布及耐压特性进行了深入分析.首先,阶梯变宽度结构能够在漂移区...
本文提出了一种具有高k介质阶梯变宽度结构的新型的SOI LDMOS器件,该器件通过在漂移区内引入介质区域使得漂移区的宽度呈阶梯变化.借助三维器件仿真软件DAVINCI对其势场分布及耐压特性进行了深入分析.首先,阶梯变宽度结构能够在漂移区内引入新的电场峰值来优化势场分布,提高击穿电压.其次,采用高k材料作为侧壁介质区域可以进一步优化漂移区内势场分布,并提高漂移区浓度来降低导通电阻.结果表明,与常规结构相比,新器件的击穿电压可提高42%,导通电阻可降低37.5%,其FOM优值是常规器件的3.2倍.
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关键词
阶梯
变
宽度
高k介质
击穿电压
导通电阻
绝缘体上硅
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职称材料
基于Bresenham算法的快速直线脉冲增量插补算法
被引量：
3
2
作者
王宝仁
李金松
+1 位作者
吕国娜
董洁
《机床与液压》
北大核心
2018年第20期155-158,共4页
通过对Bresenham直线生成算法进行改进,提出一种适用于电脑绣花机的快速平面直线脉冲增量插补算法。阐述Bresenham算法的基本原理,以及基本原理在插补中的应用,通过提出两个结论并加以证明对算法进行了改进。新算法在插补应用过程中只...
通过对Bresenham直线生成算法进行改进,提出一种适用于电脑绣花机的快速平面直线脉冲增量插补算法。阐述Bresenham算法的基本原理,以及基本原理在插补中的应用,通过提出两个结论并加以证明对算法进行了改进。新算法在插补应用过程中只进行整数运算,每次插补可以得到多个进给步的两坐标轴进给脉冲增量。通过编写代码对新算法进行实现,并通过试验对比,展现新算法在直线生成中的运算效率明显高于传统插补算法。
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关键词
脉冲增量插补算法
BRESENHAM算法
阶梯宽度
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职称材料
题名
高k介质阶梯变宽度SOI LDMOS
被引量：
3
1
作者
姚佳飞
郭宇锋
李曼
王子轩
胡善文
夏天
机构
南京邮电大学
射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室
佛蒙特大学
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第7期1781-1786,共6页
基金
国家自然科学基金(No.61704084
No.61574081)
+1 种基金
江苏省高校自然科学面上项目(No.17KJB510042)
射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室开放课题(No.KFJJ20170302)
文摘
本文提出了一种具有高k介质阶梯变宽度结构的新型的SOI LDMOS器件,该器件通过在漂移区内引入介质区域使得漂移区的宽度呈阶梯变化.借助三维器件仿真软件DAVINCI对其势场分布及耐压特性进行了深入分析.首先,阶梯变宽度结构能够在漂移区内引入新的电场峰值来优化势场分布,提高击穿电压.其次,采用高k材料作为侧壁介质区域可以进一步优化漂移区内势场分布,并提高漂移区浓度来降低导通电阻.结果表明,与常规结构相比,新器件的击穿电压可提高42%,导通电阻可降低37.5%,其FOM优值是常规器件的3.2倍.
关键词
阶梯
变
宽度
高k介质
击穿电压
导通电阻
绝缘体上硅
Keywords
step width
high-k dielectric
breakdown voltage
on-resistance
SOI
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于Bresenham算法的快速直线脉冲增量插补算法
被引量：
3
2
作者
王宝仁
李金松
吕国娜
董洁
机构
山东科技大学机械电子工程学院
出处
《机床与液压》
北大核心
2018年第20期155-158,共4页
文摘
通过对Bresenham直线生成算法进行改进,提出一种适用于电脑绣花机的快速平面直线脉冲增量插补算法。阐述Bresenham算法的基本原理,以及基本原理在插补中的应用,通过提出两个结论并加以证明对算法进行了改进。新算法在插补应用过程中只进行整数运算,每次插补可以得到多个进给步的两坐标轴进给脉冲增量。通过编写代码对新算法进行实现,并通过试验对比,展现新算法在直线生成中的运算效率明显高于传统插补算法。
关键词
脉冲增量插补算法
BRESENHAM算法
阶梯宽度
Keywords
Pulse increment interpolation algorithm
Bresenham algorithm
Step width
分类号
TG659 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高k介质阶梯变宽度SOI LDMOS
姚佳飞
郭宇锋
李曼
王子轩
胡善文
夏天
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于Bresenham算法的快速直线脉冲增量插补算法
王宝仁
李金松
吕国娜
董洁
《机床与液压》
北大核心
2018
3
在线阅读
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职称材料
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