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硅纳米孔柱阵列的场致电子发射被引量：1: 1; 作者富笑男符建华 +3 位作者罗艳伟李坤程莉娜李新建《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期2071-2073,2076,共4页; 测试了用水热技术制备的硅纳米孔柱阵列(silicon nanoporous pillar array(简称Si-NPA))的场致发射性能。测试结果显示,Si-NPA的开启电场为约1.48V/μm;在5V/μm的外加电场下,其发射电流密度为28.6μA/cm2;在外加电场4.4V/μm时,其电流... 展开更多; 关键词硅纳米孔柱阵列场致电子发射纳米硅多孔硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

场致发射硅尖阵列的研制被引量：5: 2; 作者吴海霞仲顺安 +2 位作者李文雄邵雷鲁雪峰《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期638-640,共3页; 研究真空微电子器件场致发射硅尖阵列的制作工艺.利用HNA湿法腐蚀工艺制作场致发射硅尖阵列,比较带胶腐蚀与不带胶腐蚀的不同.采用氧化削尖技术对硅尖进行锐化处理.制作了50×60硅尖阵列,同时给出了硅尖阵列的I-V特性.利用HNA湿法... 展开更多; 关键词真空微电子器件湿法腐蚀场致发射阴极阵列硅尖; 在线阅读下载PDF 职称材料

用化学方法制备硅场发射阵列被引量：3: 3; 作者元光金长春 +8 位作者金亿鑫宋航荆海朱希玲张宝林周天明宁永强蒋红王惟彪《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期341-345,共5页; 利用各向同性腐蚀液制备了硅微尖阵列。; 关键词真空微电子场发射硅微尖阵列 SEM; 在线阅读下载PDF 职称材料

阵列场发射电子源的新进展被引量：1: 4; 作者刘光诒夏善红 +1 位作者朱敏慧刘武《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2001年第5期497-502,共6页; 阵列场发射阴极与真空微电子学是当前国际电子学领域的研究热点之一,发展迅速,某些先进电子物理装置内的真空不加热电子源也有相应发展。根据这一趋势,按真空电子发射学科的特点,抓住其中研究与报道相对集中的阴极类型,进行了扼要的总... 展开更多; 关键词阵列场发射阴极规则阵列场发射体随机阵列场发射体电子源微电子; 在线阅读下载PDF 职称材料

碳场电子发射体的应用研究: 5; 作者刘光诒李宏彦 +5 位作者夏善红吕永积王建英吕庆年王德安丁耀根《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期88-92,共5页; 本研究涉及几种自制碳场电子发射体,介绍探索这些碳场电子发射体应用的过程中,在真空电子学、真空微/纳电子学(VME/VNE)领域内获得成功的方面。研究工作涉及到了一些新开发的真空微电子学与真空电子学器件,如采用耐高温碳场电子发射体(C... 展开更多; 关键词耐高温碳场电子发射体(CFE) 平滑型耐高温碳场电子发射体(SCFE) 阵列硅场电子发射体(si-fea) 碳纳米管薄膜场发射体(CNT) 寻址式碳纳米管阵列场发射体(CNT-FEA); 在线阅读下载PDF 职称材料

硅场致发射阵列的工艺研究被引量：1: 6; 作者刘善喜皮德富郑玉琦《真空科学与技术》 CSCD 1994年第2期129-132,共4页; 介绍了硅场致发射阵列工艺研究的初步结果。应用湿法化学腐蚀、硅锥切削及介质平坦化技术成功地制备出了理想形状的场致发射阵列。; 关键词场致发射阵列硅阴极电子学; 在线阅读下载PDF 职称材料

六硼化镧薄膜场致发射的特性: 7; 作者朱炳金陈泽祥 +2 位作者张强王小菊于涛《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期561-566,共6页; 阵列薄膜是在制备好的尖锥阵列上沉积其他材料的薄膜,以提高场发射阴极性能,它是一种有效的提高场发射阴极性能的方法。在n型硅片上先后采用氧化、光刻、干法刻蚀、氧化削尖等工艺,制备出曲率半径很小的硅尖锥场发射阵列,硅阵列中每个... 展开更多; 关键词六硼化镧硅尖锥阵列电子束蒸发场致发射阵列薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅纳米孔柱阵列的场致电子发射被引量：1: 1; 作者富笑男符建华罗艳伟李坤程莉娜李新建; 机构河南工业大学理学院郑州大学物理系; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期2071-2073,2076,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(10574112) 河南省教育厅自然科学基金资助项目(2007140003) +1 种基金河南工业大学博士基金资助项目(2007BS009); 文摘测试了用水热技术制备的硅纳米孔柱阵列(silicon nanoporous pillar array(简称Si-NPA))的场致发射性能。测试结果显示,Si-NPA的开启电场为约1.48V/μm;在5V/μm的外加电场下,其发射电流密度为28.6μA/cm2;在外加电场4.4V/μm时,其电流浮动率为13%。Si-NPA发射性能增强的原因是由于其独特的表面形貌和结构所致。; 关键词硅纳米孔柱阵列场致电子发射纳米硅多孔硅; Keywords silicon nanoporous pillar array（Si-NPA） field emission nano-silicon porous silicon; 分类号 O462.4 [理学—电子物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名场致发射硅尖阵列的研制被引量：5: 2; 作者吴海霞仲顺安李文雄邵雷鲁雪峰; 机构北京理工大学信息科学技术学院电子工程系; 出处《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期638-640,共3页; 基金国家部委预研项目(YJ961031); 文摘研究真空微电子器件场致发射硅尖阵列的制作工艺.利用HNA湿法腐蚀工艺制作场致发射硅尖阵列,比较带胶腐蚀与不带胶腐蚀的不同.采用氧化削尖技术对硅尖进行锐化处理.制作了50×60硅尖阵列,同时给出了硅尖阵列的I-V特性.利用HNA湿法腐蚀制备的硅尖结构与理论分析一致,锐化处理改善了硅尖阴极阵列的场致发射特性.; 关键词真空微电子器件湿法腐蚀场致发射阴极阵列硅尖; Keywords vacuum microelectronic devices wet etching field-emission cathode array silicon-tip; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用化学方法制备硅场发射阵列被引量：3: 3; 作者元光金长春金亿鑫宋航荆海朱希玲张宝林周天明宁永强蒋红王惟彪; 机构中国科学院长春物理研究所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期341-345,共5页; 文摘利用各向同性腐蚀液制备了硅微尖阵列。; 关键词真空微电子场发射硅微尖阵列 SEM; Keywords vacuum microelectronics, field emission, silicon tips array, SEM; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN383 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名阵列场发射电子源的新进展被引量：1: 4; 作者刘光诒夏善红朱敏慧刘武; 机构中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室华中师范大学物理系; 出处《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2001年第5期497-502,共6页; 基金国家自然科学基金(No.68971029 No.69971011) 国家863-512资助项目; 文摘阵列场发射阴极与真空微电子学是当前国际电子学领域的研究热点之一,发展迅速,某些先进电子物理装置内的真空不加热电子源也有相应发展。根据这一趋势,按真空电子发射学科的特点,抓住其中研究与报道相对集中的阴极类型,进行了扼要的总结、归纳与评价;对近年来信息显示学科领域内已发展为实用的阵列等离子体电子源也进行了简单的介绍。; 关键词阵列场发射阴极规则阵列场发射体随机阵列场发射体电子源微电子; Keywords Field emission array (FEA), Regular FEA, Random FEA, Plasma electron source array; 分类号 O462.4 [理学—电子物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碳场电子发射体的应用研究: 5; 作者刘光诒李宏彦夏善红吕永积王建英吕庆年王德安丁耀根; 机构中国科学院电子学研究所京东方电子材料事业部中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室广播科学研究院光电研究所北京瑞琦伟业技术开发有限公司中国科学院电子学研究所微波器件中心; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期88-92,共5页; 基金 Research sponsored bythe Chinese NNSFC(No.69871029 No.69971011); 文摘本研究涉及几种自制碳场电子发射体,介绍探索这些碳场电子发射体应用的过程中,在真空电子学、真空微/纳电子学(VME/VNE)领域内获得成功的方面。研究工作涉及到了一些新开发的真空微电子学与真空电子学器件,如采用耐高温碳场电子发射体(CFE)与平滑型碳场电子发射体(SCFE)的氖发光管,采用平滑型耐高温碳场电子发射体(SCFE)、阵列硅场电子发射体(Si-FEA)的封离式全玻璃平板真空荧光光源管(FP-VFLT),采用寻址式碳纳米管(CNT)薄膜阵列场电子发射体(CNT-FEA)的封离式全玻璃平板摄像管(FCT)与平板显像管(FDT),采用碳纳米管(CNT)薄膜场电子发射体的封离式全玻璃超薄平板字符管(FCT)。碳场电子发射体的应用研究工作也涉及到一种商用真空X射线管,及大面积碳纳米管(CNT)薄膜作为微波吸收材料的初步探讨。本文报导了这些研究工作达到的阶段成果。; 关键词耐高温碳场电子发射体(CFE) 平滑型耐高温碳场电子发射体(SCFE) 阵列硅场电子发射体(si-fea) 碳纳米管薄膜场发射体(CNT) 寻址式碳纳米管阵列场发射体(CNT-FEA); Keywords Carbon field electron emitter（CFE） Smooth high temperature resistant carbon field emitter（SCFE） Silicon field emitter array（si-fea） Carbon nanotubes film emitter（CNT） Addressed carbon nanotubes film field emitter（CNT-FEA）; 分类号 O462.4 [理学—电子物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅场致发射阵列的工艺研究被引量：1: 6; 作者刘善喜皮德富郑玉琦; 机构南京理工大学光电技术系华东光电集成器件研究所; 出处《真空科学与技术》 CSCD 1994年第2期129-132,共4页; 文摘介绍了硅场致发射阵列工艺研究的初步结果。应用湿法化学腐蚀、硅锥切削及介质平坦化技术成功地制备出了理想形状的场致发射阵列。; 关键词场致发射阵列硅阴极电子学; Keywords Vacuum microelectronics, Field emission arrays, Silicon cone cathode; 分类号 O462.4 [理学—电子物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名六硼化镧薄膜场致发射的特性: 7; 作者朱炳金陈泽祥张强王小菊于涛; 机构电子科技大学光电信息学院; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期561-566,共6页; 基金教育部留学回国人员启动基金资助项目; 文摘阵列薄膜是在制备好的尖锥阵列上沉积其他材料的薄膜,以提高场发射阴极性能,它是一种有效的提高场发射阴极性能的方法。在n型硅片上先后采用氧化、光刻、干法刻蚀、氧化削尖等工艺,制备出曲率半径很小的硅尖锥场发射阵列,硅阵列中每个硅尖锥的底半径约2μm,锥高约1.04μm,每个硅尖之间间隔6μm,尖端的曲率半径约50nm,锥角约56°,尖锥阵列的密度约106/cm2。为了降低硅尖锥的功函数及提高抗离子轰击能力,通过电子束蒸发在硅尖阵列上沉积六硼化镧(LaB6)薄膜,薄膜的厚度大约50nm,锥尖曲率半径变为约111nm。X射线衍射(XRD)分析结果表明,电子束沉积在硅尖端的LaB6具有良好的结晶特性。硅尖锥及不同的真空度下阵列薄膜的场致发射I-V特性及电流发射稳定性的测试结果表明:沉积LaB6的薄膜阴极阵列的总发射电流达到125μA,是纯硅尖锥阵列125倍。并且硅阵列六硼化镧薄膜具有良好的场发射稳定性,是一种理想的薄膜场发射阵列。; 关键词六硼化镧硅尖锥阵列电子束蒸发场致发射阵列薄膜; Keywords lanthanum hexaboride silicon spindt arrays electron beam evaporation field emission filmed arrays; 分类号 O642.4 [理学—物理化学] TN873.95 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	硅纳米孔柱阵列的场致电子发射	富笑男符建华罗艳伟李坤程莉娜李新建	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	场致发射硅尖阵列的研制	吴海霞仲顺安李文雄邵雷鲁雪峰	《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	用化学方法制备硅场发射阵列	元光金长春金亿鑫宋航荆海朱希玲张宝林周天明宁永强蒋红王惟彪	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1996	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	阵列场发射电子源的新进展	刘光诒夏善红朱敏慧刘武	《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心	2001	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	碳场电子发射体的应用研究	刘光诒李宏彦夏善红吕永积王建英吕庆年王德安丁耀根	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	硅场致发射阵列的工艺研究	刘善喜皮德富郑玉琦	《真空科学与技术》 CSCD	1994	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	六硼化镧薄膜场致发射的特性	朱炳金陈泽祥张强王小菊于涛	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料