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阵列式碳纳米管雷达波吸收性能研究 被引量:14
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作者 孙晓刚 程利 杜国平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1114-1118,共5页
研究了阵列式碳纳米管的雷达波吸收性能。采用化学气相沉积(CVD)工艺制备阵列式碳纳米管薄膜,并采用SEM和TEM对其进行观测。观测显示:阵列式碳纳米管薄膜中碳纳米管排列规则,有很好的定向性,直径30~50nm。阵列式碳纳米管薄膜平铺在铝... 研究了阵列式碳纳米管的雷达波吸收性能。采用化学气相沉积(CVD)工艺制备阵列式碳纳米管薄膜,并采用SEM和TEM对其进行观测。观测显示:阵列式碳纳米管薄膜中碳纳米管排列规则,有很好的定向性,直径30~50nm。阵列式碳纳米管薄膜平铺在铝板上并用环氧树脂固定制成试样,采用反射率扫频测量系统HP8757E矢量网络分析仪检测阵列式碳纳米管吸波性能。结果表明:阵列式碳纳米管在2~18GHz频段的较高频段表现出良好的吸波性能。吸波性能随薄膜厚度不同而改变。阵列式碳纳米管薄膜厚度为0.2mm时,雷达波吸收性能最佳,峰值R为-15.87dB,波峰出现在17.83GHz,带宽分别为4.25GHz(R<-10dB)和6.40GHz(R<-5dB)。 展开更多
关键词 阵列式碳纳米管 雷达吸波吸波性能 纳米吸波材料
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转换垂直阵列式碳纳米管基底的研究 被引量:3
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作者 曾效舒 付燮莲 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期173-177,共5页
描述了一种将阵列式排列的碳纳米管膜完整地从沉积基底上逐层分离组装到新基底的技术。用扫描电镜研究了被分离的碳纳米管膜的形貌、黏结层的特点,并且对被分离的膜和膜与新基底的导电特性分别做了测试。电镜形貌分析表明构成碳纳米管... 描述了一种将阵列式排列的碳纳米管膜完整地从沉积基底上逐层分离组装到新基底的技术。用扫描电镜研究了被分离的碳纳米管膜的形貌、黏结层的特点,并且对被分离的膜和膜与新基底的导电特性分别做了测试。电镜形貌分析表明构成碳纳米管膜的碳纳米管在被分离后可以保持原来的形貌,也可以呈弯曲状,这取决于分离膜时作用于膜表面的压力。电阻测试表明膜的表面电阻为10Ω,而膜与基底的电阻在有黏结层条件下小于0.1Ω。 展开更多
关键词 阵列式碳纳米管 软基底 组装膜 压敏胶
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阵列式碳纳米管微波受激发射光子 被引量:1
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作者 孙晓刚 姚军 +3 位作者 曹宏辉 高明 吴毅强 黎先财 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1358-1361,共4页
采用化学气相沉积工艺(CVD)制备阵列式碳纳米管(ACNT)薄膜并检测薄膜的微波性能。当ACNT薄膜受到微波照射时,强烈地发射光子,产生耀眼的的白光,红外测温仪显示温度高达1200℃,但ACNT并不氧化燃烧。ACNT薄膜经球磨成粉状后,光子发射性能... 采用化学气相沉积工艺(CVD)制备阵列式碳纳米管(ACNT)薄膜并检测薄膜的微波性能。当ACNT薄膜受到微波照射时,强烈地发射光子,产生耀眼的的白光,红外测温仪显示温度高达1200℃,但ACNT并不氧化燃烧。ACNT薄膜经球磨成粉状后,光子发射性能消失,在微波照射下ACNT粉末和普通碳纳米管(MWCNT)表现相近,吸收微波能量后开始燃烧并发出红色的火焰,实测温度为720℃。研究显示ACNT具有优异的场发射性能。 展开更多
关键词 化学气相沉积 阵列式碳纳米管 微波性能
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转换阵列式碳纳米管薄膜至铝箔上的工艺 被引量:2
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作者 杜招红 曾效舒 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期92-95,共4页
描述了一种将阵列式碳纳米管(CNTs)膜从石英基底转移至新基底(铝箔)上的工艺。用SEM检测了转移至铝箔上后各层膜的形貌并测试了铝箔CNTs膜的电阻。结果表明转基底工艺可以显著提高CNTs薄膜的利用率。去除90%不干胶后铝基CNTs薄膜的电阻... 描述了一种将阵列式碳纳米管(CNTs)膜从石英基底转移至新基底(铝箔)上的工艺。用SEM检测了转移至铝箔上后各层膜的形貌并测试了铝箔CNTs膜的电阻。结果表明转基底工艺可以显著提高CNTs薄膜的利用率。去除90%不干胶后铝基CNTs薄膜的电阻可以达到0.3Ω以下。 展开更多
关键词 阵列式碳纳米管 铝箔 电阻
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碳场电子发射体的应用研究
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作者 刘光诒 李宏彦 +5 位作者 夏善红 吕永积 王建英 吕庆年 王德安 丁耀根 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期88-92,共5页
本研究涉及几种自制碳场电子发射体,介绍探索这些碳场电子发射体应用的过程中,在真空电子学、真空微/纳电子学(VME/VNE)领域内获得成功的方面。研究工作涉及到了一些新开发的真空微电子学与真空电子学器件,如采用耐高温碳场电子发射体(C... 本研究涉及几种自制碳场电子发射体,介绍探索这些碳场电子发射体应用的过程中,在真空电子学、真空微/纳电子学(VME/VNE)领域内获得成功的方面。研究工作涉及到了一些新开发的真空微电子学与真空电子学器件,如采用耐高温碳场电子发射体(CFE)与平滑型碳场电子发射体(SCFE)的氖发光管,采用平滑型耐高温碳场电子发射体(SCFE)、阵列硅场电子发射体(Si-FEA)的封离式全玻璃平板真空荧光光源管(FP-VFLT),采用寻址式碳纳米管(CNT)薄膜阵列场电子发射体(CNT-FEA)的封离式全玻璃平板摄像管(FCT)与平板显像管(FDT),采用碳纳米管(CNT)薄膜场电子发射体的封离式全玻璃超薄平板字符管(FCT)。碳场电子发射体的应用研究工作也涉及到一种商用真空X射线管,及大面积碳纳米管(CNT)薄膜作为微波吸收材料的初步探讨。本文报导了这些研究工作达到的阶段成果。 展开更多
关键词 耐高温碳场电子发射体(CFE) 平滑型耐高温碳场电子发射体(SCFE) 阵列硅场电子发射体(Si-FEA) 碳纳米管薄膜场发射体(CNT) 寻址碳纳米管阵列场发射体(CNT-FEA)
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