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基于阴离子-石墨嵌层化合物的电化学电容器
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作者 王宏宇 樊慧 +1 位作者 王小红 齐力 《电化学》 CSCD 北大核心 2017年第5期497-506,共10页
石墨可以在高电势下电化学可逆存储阴离子,有望在高电压储能器件中担当正极材料.本文介绍了基于阴离子-石墨嵌层化合物型正极材料的高比能电容器的研究进展,剖析了影响电容器性能的各方面因素,探讨了一系列表征相关电极材料储能机制的... 石墨可以在高电势下电化学可逆存储阴离子,有望在高电压储能器件中担当正极材料.本文介绍了基于阴离子-石墨嵌层化合物型正极材料的高比能电容器的研究进展,剖析了影响电容器性能的各方面因素,探讨了一系列表征相关电极材料储能机制的方法和手段,揭示了溶剂化效应对阴离子插嵌石墨正极电化学行为的关键性作用,并进一步概述了该种正极材料近年来在新型储能器件-双离子电池中的发展态势,展望了其应用前景和即将面临的潜在问题. 展开更多
关键词 阴离子-石墨嵌层化合物 电化学电容器 溶剂化效应 离子电池
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FeCl_(3)-石墨层间化合物的制备及其对聚偏二氟乙烯膜电导率的影响
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作者 李欢 周继承 《现代化工》 CAS 北大核心 2025年第1期214-219,共6页
以FeCl_(3)和鳞片石墨为原料,通过改进熔融盐法制得高导电的FeCl_(3)插层的石墨层间化合物(FeCl_(3)-GICs);将其作为导电填料,以聚偏二氟乙烯(PVDF)为基体,制备了具有各向异性导电的FeCl_(3)-GICs/PVDF复合导电膜。利用多种表征方法对... 以FeCl_(3)和鳞片石墨为原料,通过改进熔融盐法制得高导电的FeCl_(3)插层的石墨层间化合物(FeCl_(3)-GICs);将其作为导电填料,以聚偏二氟乙烯(PVDF)为基体,制备了具有各向异性导电的FeCl_(3)-GICs/PVDF复合导电膜。利用多种表征方法对所制备的FeCl_(3)-GICs填料及复合导电膜进行结构分析和性能评测。结果表明,FeCl_(3)-GICs产品层间距从石墨原料的0.335 nm增加至0.94 nm;其粉末电导率从石墨原料的2.86×10^(4) S/m提高到9.09×10^(4) S/m,导电性能提高3倍以上。以FeCl_(3)-GIC为导电填料制备的复合导电膜不仅可以将PVDF膜的水平方向电导率提高10个数量级,且具有电导率分布的各向异性;此外,复合导电薄膜表现出极好的柔性与稳定性,具有良好的应用潜力。 展开更多
关键词 FeCl_(3)-石墨化合物 石墨高分子复合导电膜 电导率 各向异性 聚偏二氟乙烯膜
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熔盐法合成FeCl_3-石墨层间化合物的稳定性研究(英文)
3
作者 任慧 张同来 乔小晶 《含能材料》 EI CAS CSCD 2003年第3期138-140,148,共4页
采用熔盐法合成出FeCl3 石墨层间化合物 ,将其在空气或某些液体媒介中放置一段时间 ,运用XRD、TG DTG测试技术研究了FeCl3 GIC的结构稳定性与热稳定性。结果表明 ,FeCl3 GICs在空气中很稳定 ,在水、酸溶液中具有较好的稳定性 ,但在... 采用熔盐法合成出FeCl3 石墨层间化合物 ,将其在空气或某些液体媒介中放置一段时间 ,运用XRD、TG DTG测试技术研究了FeCl3 GIC的结构稳定性与热稳定性。结果表明 ,FeCl3 GICs在空气中很稳定 ,在水、酸溶液中具有较好的稳定性 ,但在碱性溶剂及某些有机溶剂中不稳定。FeCl3 GICs的热分解温度约为 3 3 0℃。 展开更多
关键词 无机化学 FeCl3-石墨化合物 三氯化铁 稳定性 熔盐法 热分解温度
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石墨嵌层化合物和石墨过度氧化物在浓硫酸中的热力学数据 被引量:1
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作者 姜荆 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 1990年第3期71-74,共4页
引言电化学阳极氧化是由石墨制备某些石墨嵌层化合物和石墨过度氧化物的最好方法之一:因为石墨被氧化的深度可以很便利地得以控制,无论采用恒电流法或是采用恒电位法,都是如此。从而人们可以得到具有不同阶层结构的石墨嵌层化合物(GIC)... 引言电化学阳极氧化是由石墨制备某些石墨嵌层化合物和石墨过度氧化物的最好方法之一:因为石墨被氧化的深度可以很便利地得以控制,无论采用恒电流法或是采用恒电位法,都是如此。从而人们可以得到具有不同阶层结构的石墨嵌层化合物(GIC)和石墨过度氧化物(GO)。有关石墨的硫酸嵌层化合物的某些热力学数据,由Aronson等人报道过,但后来由Metrot等人对结果进行了修正。 展开更多
关键词 石墨 化合物 石墨 硫酸 氧化物
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表征石墨嵌层化合物的有关中文命名的探讨
5
作者 姜荆 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 1990年第3期62-68,共7页
石墨嵌层化合物(GraphiteIntercalation Compound)简称GIC,在中文文献中,一般称为石墨层间化合物,还有文献称石墨夹层化合物、石墨间隙化合物,石墨嵌入化合物,石墨插入化合物等。这种新型碳材料近年来发展十分迅速,新物种不断涌现。有... 石墨嵌层化合物(GraphiteIntercalation Compound)简称GIC,在中文文献中,一般称为石墨层间化合物,还有文献称石墨夹层化合物、石墨间隙化合物,石墨嵌入化合物,石墨插入化合物等。这种新型碳材料近年来发展十分迅速,新物种不断涌现。有关命名尚无统一规定,建立GIC的中文命名规则,刻不容缓地提到议事日程。“表征石墨嵌层化合物的有关术语中文命名的探讨”一文的作者系由国家公费派赴西德杜依斯堡大学,以进修学者身份进行碳、石墨电化学性质及其应用的研究,达两年半以上,回国后又继续从事这方面的工作,在自已多年工作的基础上,参阅了国内外有关文献,对GIC有关问题提出自已的见解。本刊在此推荐给国内读者,恳望化学界,材料工程学界专家学者给予足够的关心,对文中有关问题展开讨论,以期使GIC中文命名达到满意的结果。 展开更多
关键词 石墨 化合物 命名 表征
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石墨嵌层化合物的X射线研究
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作者 尚野茫 姜荆 《武汉钢铁学院学报》 1994年第1期57-64,共8页
用电化学法在硫酸和高氯酸中将天然鳞片石墨合成了不同阶的石墨嵌层化合物(GIC)和石墨氧化物(GO);用X射线衍射法对GIC和GO的结构进行了测定,并考察了硫酸GIC和GO在空气中的稳定性,以及水洗涤、高温处理对GIC... 用电化学法在硫酸和高氯酸中将天然鳞片石墨合成了不同阶的石墨嵌层化合物(GIC)和石墨氧化物(GO);用X射线衍射法对GIC和GO的结构进行了测定,并考察了硫酸GIC和GO在空气中的稳定性,以及水洗涤、高温处理对GIC和GO的结构的影响。发现随着嵌化量的增加,石墨的002峰和004峰分裂成两个峰,各自的距离越来越远;GIC在空气中搁置时间越长,两个分裂峰越向石墨的原002峰和004峰靠近,表明GIC在空气中不稳定;经高温处理的GIC,从宏观看,体积膨胀,但微观上的层间距却趋于恢复石墨结构,这反映在它与石墨有相同的002峰。 展开更多
关键词 石墨化合物 X射线衍射 化合物
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高氯酸根阴离子在HOPG中嵌入行为的EC-STM研究 被引量:1
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作者 胡晓艳 ALIWOWE Alice +1 位作者 颜佳伟 毛秉伟 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期560-565,共6页
运用电化学扫描隧道显微镜(EC-STM)和循环伏安(CV)技术对高氯酸根阴离子ClO_4^-在高序热解石墨(HOPG)中的电化学嵌入行为进行了研究.通过观察嵌入前后石墨台阶处高度的变化,比较了不同高度的台阶对嵌入的影响,讨论了ClO_4^-离子嵌入石... 运用电化学扫描隧道显微镜(EC-STM)和循环伏安(CV)技术对高氯酸根阴离子ClO_4^-在高序热解石墨(HOPG)中的电化学嵌入行为进行了研究.通过观察嵌入前后石墨台阶处高度的变化,比较了不同高度的台阶对嵌入的影响,讨论了ClO_4^-离子嵌入石墨的可行性、可逆性和嵌入速率.研究表明,3层以上的台阶位才有可能观察到由四阶和三阶嵌入引起的台阶高度变化,4~8个原子层高度的石墨台阶可以实现ClO_4^-在台阶处较为可逆的四阶嵌入,但1~2层台阶处无法观察到嵌入引起的台阶高度变化,嵌入反应通常会伴随台阶的剥离和脱落现象.四阶的嵌入反应较三阶可逆,二阶和一阶时,嵌入所需反应电势较高,此时氧化反应较为剧烈,嵌入反应被掩盖,很难观察到台阶高度的变化,更多的形貌变化是台面和台阶处不可逆的损坏如剥落、断层、黑坑等. 展开更多
关键词 石墨化合物 高氯酸 阴离子 电化学扫描隧道显微镜
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锂离子电池石墨负极嵌脱锂机理研究 被引量:2
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作者 谷书华 张文静 +1 位作者 王力臻 张林森 《郑州轻工业学院学报(自然科学版)》 CAS 2012年第1期4-6,19,共4页
利用循环伏安、交流阻抗等方法考察了石墨电极的嵌脱锂机理.研究结果表明:石墨电极阳极过程的速度控制步骤是锂离子在石墨体相中的扩散步骤,其嵌脱锂过程分别在0.20/0.22 V,0.11/0.14 V,0.08/0.10 V(vs.Li/Li+)处存在3个明显的充放电平... 利用循环伏安、交流阻抗等方法考察了石墨电极的嵌脱锂机理.研究结果表明:石墨电极阳极过程的速度控制步骤是锂离子在石墨体相中的扩散步骤,其嵌脱锂过程分别在0.20/0.22 V,0.11/0.14 V,0.08/0.10 V(vs.Li/Li+)处存在3个明显的充放电平台,每个平台为1个两相共存区,可能分别对应3个锂石墨层间化合物的相变过程:LiG2(八阶)LiC36(四阶);LiC36(四阶)LiC12(二阶);LiC12(二阶)LiC6(一阶). 展开更多
关键词 离子电池 石墨负极 化合物 脱锂
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磺酰氯促进金属氯化物插层石墨以实现高效钠存储
9
作者 兰淑琴 任伟成 +7 位作者 王钊 于畅 余金河 刘迎宾 谢远洋 张秀波 王健健 邱介山 《新型炭材料(中英文)》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期538-548,共11页
金属氯化物-石墨插层化合物具有导电性优异,石墨层间距大等特点,可用作钠离子电池负极材料。然而,在传统金属氯化物插层石墨过程中,不可避免地用到氯气,既增加了实验操作的风险,也对实验设备提出更高要求。基于上述原因,本文创新性地使... 金属氯化物-石墨插层化合物具有导电性优异,石墨层间距大等特点,可用作钠离子电池负极材料。然而,在传统金属氯化物插层石墨过程中,不可避免地用到氯气,既增加了实验操作的风险,也对实验设备提出更高要求。基于上述原因,本文创新性地使用SO_(2)Cl_(2)作为氯源来促进BiCl_(3)插层石墨。该方法不仅有效提高了BiCl_(3)插层效率,也避免了直接使用氯气带来的安全性风险。采用该方法所合成的三氯化铋-石墨插层化合物(BiCl_(3)-GICs)的层间距为1.26 nm,BiCl_(3)插层含量高达42%。以其为负极材料,组装的钠离子电池具有高的比容量(213 mAh g^(-1)at 1 A g^(-1))和优异的倍率性能(170 mAh g^(-1)at 5 A g^(-1))。此外,原位拉曼光谱测试结果表明,首圈放电后石墨与插层的BiCl_(3)相互作用减弱,该过程有效促进了钠离子在石墨层内的存储。采用该方法可成功制备多种类型金属氯化物-石墨插层化合物,为开发高性能储能材料提供了可行思路。 展开更多
关键词 磺酰氯 金属氯化物-石墨化合物 强化过程 负极材料 离子电池
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三元型钾四氢呋喃-GIC的制备及稳定性研究 被引量:1
10
作者 肖敏 刘静静 +1 位作者 李贇 龚克成 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第1期53-59,共7页
 采用正交试验设计方法优化反应条件制备了纯1阶结构的钾 四氢呋喃 石墨插层化合物(K THF GIC),研究了1阶K THF GIC在空气中放置、溶剂洗涤以及加热处理时的稳定性,并对K、THF嵌入石墨层间以及从石墨层间脱嵌的过程进行了探讨。结果表...  采用正交试验设计方法优化反应条件制备了纯1阶结构的钾 四氢呋喃 石墨插层化合物(K THF GIC),研究了1阶K THF GIC在空气中放置、溶剂洗涤以及加热处理时的稳定性,并对K、THF嵌入石墨层间以及从石墨层间脱嵌的过程进行了探讨。结果表明:制备K THF GIC时,插层剂浓度和插层反应时间对产物结构的影响很大,较大的插层剂浓度,较长的反应时间有利于石墨反应完全;1阶K THF GIC的稳定性较差,K、THF容易从层间脱嵌,使得阶结构由1阶向高阶变化,高阶K THF GIC的稳定性相对1阶K THF GIC来说要好一些,即形成高阶K THF GIC后,K、THF从层间脱嵌的速率要慢些。 展开更多
关键词 三元型 -四氢呋喃-GIS 制备 稳定性研究 石墨化合物 石墨化合物 人工合成
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石墨烯吸附TiCl_(4)分子的条件控制及光电性能的理论研究
11
作者 苗中正 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第3期528-534,共7页
为研究石墨烯吸附TiCl_(4)分子的影响因素及其光电性能,探索复合物应用于传感器及透明导电薄膜的可能性,采用第一性原理与蒙特卡罗方法研究TiCl_(4)气体分子在石墨烯表面的吸附条件控制与光电性能。结果表明:(1)石墨烯对TiCl_(4)气体分... 为研究石墨烯吸附TiCl_(4)分子的影响因素及其光电性能,探索复合物应用于传感器及透明导电薄膜的可能性,采用第一性原理与蒙特卡罗方法研究TiCl_(4)气体分子在石墨烯表面的吸附条件控制与光电性能。结果表明:(1)石墨烯对TiCl_(4)气体分子具有较强的物理吸附作用,Cl原子吸附在其附近相距质心位置最远的碳原子顶位最稳定;(2)温度升高不利于TiCl_(4)气体分子吸附,气体逸度增加有利于吸附,TiCl_(4)气体分子插入石墨/双层石墨烯/多层石墨烯时宜将温度维持在TiCl_(4)沸点附近,并增加气体的压力;(3)TiCl_(4)的吸附对石墨烯的电子结构进行了调控,使费米能级附近的态密度显著提高,赝能隙减小,有效提高了导电性能;(4)在可见光区域,TiCl_(4)的吸附对体系的吸收性能影响不大,在提升透明导电薄膜导电性的同时未影响薄膜的光学性能。 展开更多
关键词 TiCl_(4)-石墨/石墨烯插化合物 吸附 密度泛函理论 蒙特卡罗方法 光电性能 透明导电薄膜
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石墨烯吸附Al_(2)Cl_(6)分子的第一性原理与Monte Carlo研究
12
作者 苗中正 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2022年第5期97-104,共8页
采用第一性原理与蒙特卡罗方法研究Al_(2)Cl_(6)气体分子在石墨烯表面的吸附性能与光电性质,结果表明:(1)石墨烯对Al_(2)Cl_(6)气体分子具有较强的物理吸附作用,两个Al原子的连线与石墨烯平面近乎平行且两个Al原子处于紧靠顶位的桥位位... 采用第一性原理与蒙特卡罗方法研究Al_(2)Cl_(6)气体分子在石墨烯表面的吸附性能与光电性质,结果表明:(1)石墨烯对Al_(2)Cl_(6)气体分子具有较强的物理吸附作用,两个Al原子的连线与石墨烯平面近乎平行且两个Al原子处于紧靠顶位的桥位位置时最稳定;(2)温度升高不利于Al_(2)Cl_(6)气体分子吸附并存在阶跃式降低,气体逸度增加有利于吸附并存在阶跃式升高,Al_(2)Cl_(6)气体分子插入石墨/双层石墨烯/多层石墨烯宜将温度维持在AlCl_(3)沸点附近,并增加气体的压力;(3)Al_(2)Cl_(6)的吸附对石墨烯的电子结构进行了调控,但没有明显改变石墨烯费米能级附近的态密度以及“赝能隙”;(4)Al_(2)Cl_(6)的吸附对体系光学参数的影响十分明显,静态介电常数提高近5倍,使体系屏蔽效应有较大增强,在长波波段的吸收性能、反射性能及光电导也有了明显提升. 展开更多
关键词 AlCl_(3)-石墨/石墨烯插化合物 金属氯化物 吸附 密度泛函理论 蒙特卡罗 光电性能
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低烟无卤阻燃聚烯烃的研究进展和应用前景 被引量:35
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作者 瞿保钧 陈伟 +2 位作者 谢荣才 王正洲 吴强 《功能高分子学报》 CAS CSCD 2002年第3期361-367,共7页
 结合近几年来在低烟无卤阻燃聚烯烃研究的系列工作,综述了该领域国内外研究的最新进展,重点论述了聚合物纳米插层化合物、可膨胀石墨体系、硅胶/碳酸钾体系、氢氧化镁和硼酸锌、有机磷系和磷-氮系膨胀型阻燃剂在无卤阻燃聚烯烃中所取...  结合近几年来在低烟无卤阻燃聚烯烃研究的系列工作,综述了该领域国内外研究的最新进展,重点论述了聚合物纳米插层化合物、可膨胀石墨体系、硅胶/碳酸钾体系、氢氧化镁和硼酸锌、有机磷系和磷-氮系膨胀型阻燃剂在无卤阻燃聚烯烃中所取得的主要成果,展望了其应用前景。 展开更多
关键词 无卤阻燃剂 聚烯烃 纳米插化合物 可膨胀石墨 氢氧化镁 -氮系膨胀型阻燃剂
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