阴极真空电弧沉积MgO薄膜的椭偏光谱研究 被引量：1

1

作者 刘毅 林晓东 +2 位作者 朱道云 陈弟虎 何振辉 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期26-30,共5页

采用阴极真空电弧离子沉积技术在硅基片上制备出了MgO薄膜。利用椭圆偏振光谱、原子力显微镜及扫描电子显微镜分别对不同氧流量下制备的MgO薄膜的厚度,光学常数,表面粗糙度及表面形貌进行了分析,并对椭圆偏振光谱的光学粗糙度结果和原... 采用阴极真空电弧离子沉积技术在硅基片上制备出了MgO薄膜。利用椭圆偏振光谱、原子力显微镜及扫描电子显微镜分别对不同氧流量下制备的MgO薄膜的厚度,光学常数,表面粗糙度及表面形貌进行了分析,并对椭圆偏振光谱的光学粗糙度结果和原子力显微镜的均方根粗糙度结果进行了对比和分析。结果表明,不同氧流量下制备出的MgO薄膜,表面粗糙度及薄膜颗粒随着氧流量的增加而增大。椭偏光谱与AFM得到的表面粗糙度存在线性一致关系,表明椭偏光谱可作为一种很好的无损分析手段。 展开更多

关键词 阴极真空电弧离子沉积 MgO薄膜 椭圆偏振光谱 表面粗糙度

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真空阴极电弧沉积(Ti,Al)N薄膜的应用研究 被引量：12

2

作者 付志强 蔡育平 +1 位作者 袁镇海 林松盛 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2001年第8期25-26,42,共3页

为了提高TiN涂层刀具的耐磨性 ,采用钛铝合金靶 ,以真空阴极电弧沉积法制备了(Ti,Al)N涂层。对膜层形貌成分、组织结构及硬度进行了测试及研究 ,并试验了 (Ti,Al)N涂层高速钢钻头及YG6硬质合金刀具的使用寿命。结果表明 :(Ti ,Al)N涂层... 为了提高TiN涂层刀具的耐磨性 ,采用钛铝合金靶 ,以真空阴极电弧沉积法制备了(Ti,Al)N涂层。对膜层形貌成分、组织结构及硬度进行了测试及研究 ,并试验了 (Ti,Al)N涂层高速钢钻头及YG6硬质合金刀具的使用寿命。结果表明 :(Ti ,Al)N涂层硬度高达HV0 .1,15370 0 ,(Ti,Al)N涂层使高速钢钻头及YG6硬质合金刀具的使用寿命显著提高。 展开更多

关键词 真空阴极电弧沉积 涂层刀具 氮化铝 氮化钛

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脉冲真空电弧离子镀沉积速率的研究 被引量：5

3

作者 蔡长龙 王季梅 +3 位作者 弥谦 杭凌侠 严一心 徐均琪 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期27-29,共3页

薄膜沉积速率是影响薄膜性能的重要参数 ,研究它对于沉积优良的类金刚石薄膜具有重要的作用。针对脉冲真空电弧离子镀的具体工艺参数 ,研究了各种工艺参数对类金刚石薄膜沉积速率的影响 ,找出了影响类金刚石薄膜沉积速率的主要参数 。

关键词 脉冲真空电弧离子镀 沉积速率 研究 类金刚石薄膜

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真空阴极电弧沉积碳氮膜的研究 被引量：1

4

作者 袁镇海 付志强 +3 位作者 邓其森 林松盛 郑健红 戴达煌 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第4期329-331,共3页

以氮气为反应气体 ,用真空阴极电弧沉积法沉积了CNx膜 ,并利用金相显微镜、Auger电子谱仪、FTIR及XRD对其进了分析。结果表明 :真空阴极电弧沉积法可以制备含N量高。

关键词 真空阴极电弧沉积 氮气 碳氮膜 制备 结构 化学成分

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真空等离子沉积中真空电弧的产生及触发电路的设计 被引量：1

5

作者 袁安富 程仲元 王珉 《南京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期47-50,共4页

在真空等离子沉积中 ,首先要触发真空电弧 ,由于等离子沉积本身所具有的复杂性 ,要成功地触发真空电弧必须考虑很多因素 ,如 :阴极的材料、电极的结构、阴阳两电极之间的间隙、电极的表面状态、触发方式等。文中对影响触发电弧的因素以... 在真空等离子沉积中 ,首先要触发真空电弧 ,由于等离子沉积本身所具有的复杂性 ,要成功地触发真空电弧必须考虑很多因素 ,如 :阴极的材料、电极的结构、阴阳两电极之间的间隙、电极的表面状态、触发方式等。文中对影响触发电弧的因素以及在设计触发电路时需要考虑的因素作了一定的分析 ,并在此基础上 。 展开更多

关键词 触发电路 等离子沉积 电弧喷涂 设计 真空

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沉积气压对电弧离子镀制备MgO薄膜的结构及性能的影响 被引量：2

6

作者 朱道云 郑昌喜 +2 位作者 王明东 陈弟虎 何振辉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1316-1319,共4页

采用阴极真空电弧离子沉积技术在玻璃及Si衬底上成功地制备了具有择优结晶取向的透明MgO薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及紫外-可见吸收光谱仪分别对MgO薄膜微观结构、表面形貌及可见光透过率进行了测试与分析。XRD... 采用阴极真空电弧离子沉积技术在玻璃及Si衬底上成功地制备了具有择优结晶取向的透明MgO薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及紫外-可见吸收光谱仪分别对MgO薄膜微观结构、表面形貌及可见光透过率进行了测试与分析。XRD结果表明,所制备的MgO薄膜具有NaCl型立方结构的(100)、(110)和(111)3种结晶取向,在沉积气压为0.7～3.0Pa的范围内,薄膜的择优结晶取向随沉积气压的升高先由(100)转变为(110),最后变为(111)。SEM图表明随着沉积气压的升高,MgO薄膜的晶粒逐渐变小,薄膜结晶质量变差。在380～900nm范围内,沉积气压为0.7Pa下制备的MgO薄膜其可见光透过率高于90%,随着沉积气压的升高,薄膜的可见光透过率有所下降。 展开更多

关键词 阴极真空电弧离子沉积 沉积气压 MgO薄膜 等离子体显示板

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阴极电弧沉积TiN薄膜研究 被引量：5

7

作者 谢致薇 罗广南 +1 位作者 袁镇海 戴达煌 《真空科学与技术》 CSCD 1992年第5期403-407,共5页

对真空阴极电弧沉积TiN装饰膜的沉积工艺和膜层性能的关系进行了研究。结果表明:适当选择N_2分压和负偏压对于改善基体表面离子轰击清洗效果、减少液滴分布、保证膜层颜色和提高膜层耐蚀性至关重要。另外,X射线织构分析表明:(220)织构... 对真空阴极电弧沉积TiN装饰膜的沉积工艺和膜层性能的关系进行了研究。结果表明:适当选择N_2分压和负偏压对于改善基体表面离子轰击清洗效果、减少液滴分布、保证膜层颜色和提高膜层耐蚀性至关重要。另外,X射线织构分析表明:(220)织构随负偏压加大而增加,而(111)织构则随N_2分压增大而增加,这可由离子轰击诱导织构效应解释。 展开更多

关键词 薄膜 氮化钛 阴极电弧沉积 真空

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真空电弧沉积技术中的弧源设计 被引量：2

8

作者 程仲元 王珉 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第2期120-127,共8页

讨论了真空电弧沉积中弧源设计的有关问题 ,如电弧运行模式、电弧极性、点火方式、电弧的约束方式以及宏观粒子抑制方式等。分析表明 ,合理选择电弧运行模式和电弧极性 ,以满足涂料粒子蒸发与离化的要求 ;选择合适的弧源结构 ,加强对电... 讨论了真空电弧沉积中弧源设计的有关问题 ,如电弧运行模式、电弧极性、点火方式、电弧的约束方式以及宏观粒子抑制方式等。分析表明 ,合理选择电弧运行模式和电弧极性 ,以满足涂料粒子蒸发与离化的要求 ;选择合适的弧源结构 ,加强对电弧的约束与烧蚀的控制 ,或用过滤弧源 ,以抑制宏观粒子对涂层的污染 。 展开更多

关键词 真空电弧 沉积 弧源设计 涂层 离子镀 VAD

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阴极真空弧沉积中MEVVA源两种工作状态的比较

9

作者 王广甫 田人和 +2 位作者 吴瑜光 张孝吉 张荟星 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期366-369,共4页

介绍了阴极真空弧沉积中，弧源在阴极接地和阳极接地2种不同工作状态下的工作特性．发现阳极接地时，因沉积靶室入口法兰的第二阳极作用，聚焦磁场对孤源放电稳定性的影响不如阴极接地时明显．因此可以加较高的聚焦磁场，从而获得电流... 介绍了阴极真空弧沉积中，弧源在阴极接地和阳极接地2种不同工作状态下的工作特性．发现阳极接地时，因沉积靶室入口法兰的第二阳极作用，聚焦磁场对孤源放电稳定性的影响不如阴极接地时明显．因此可以加较高的聚焦磁场，从而获得电流较大和较稳定的沉积离子束． 展开更多

关键词 真空弧沉积 阳极接地 等离子体源 阴极 MEVVA源

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真空阴极弧离子镀阴极斑点的移动研究

10

作者 李刘合 夏立芳 +2 位作者 白羽 马欣新 孙跃 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第6期416-420,共5页

建立了真空阴极弧离子镀圆形平面靶侧面引弧时 ,阴极斑点的受力模型 ,分析了影响电弧运动的因素 ,改进了圆形平面靶侧面形状 。

关键词 真空 阴极弧离子镀 阴极斑点 电弧

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过滤管道作为第二阳极的磁过滤阴极真空弧沉积系统

11

作者 王广甫 张荟星 张孝吉 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期775-778,共4页

建立了一台磁过滤脉冲阴极真空弧沉积装置 .通过在 90°磁过滤管道和阴极之间加一30～ 60V的正偏压使系统沉积速率得到了大幅度提高 .研究和观察表明 ,此时在过滤管道和阴极之间产生了阴极真空弧放电 ,并因此使阴极消耗率大幅度增... 建立了一台磁过滤脉冲阴极真空弧沉积装置 .通过在 90°磁过滤管道和阴极之间加一30～ 60V的正偏压使系统沉积速率得到了大幅度提高 .研究和观察表明 ,此时在过滤管道和阴极之间产生了阴极真空弧放电 ,并因此使阴极消耗率大幅度增大 .对此放电回路及其和MEVVA阳极 展开更多

关键词 阴极真空弧 等离子体沉积 磁过滤管道 第二阳极

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磁过滤阴极真空弧沉积装置研究中的等效电路方法

12

作者 王广甫 张荟星 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2003年第1期16-18,共3页

提出了模拟磁过滤阴极真空弧放电等离子体沉积装置阴极弧放电过程的等效电路 ,并用此电路定性研究了各参数对弧放电的影响 。

关键词 磁过滤阴极 真空弧放电等离子体沉积装置 阴极弧放电过程 等效电路 薄膜 制备

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阴极真空弧沉积中靶室第二阳极作用对系统性能的影响

13

作者 王广甫 张荟星 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第1期68-70,共3页

介绍了阴极真空弧沉积中 ,弧源在阴极接地和阳极接地两种不同工作状态下的工作特性。发现阳极接地时 ,因沉积靶室入口法兰的第二阳极作用 ,聚焦磁场对弧源放电稳定性的影响不如阴极接地时明显。因此可以加较高的聚焦磁场 。

关键词 阴极真空弧沉积 靶室 第二阳极作用 MEVVA等离子体源 薄膜 制备

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基于磁过滤阴极真空弧沉积技术制备AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜及其性能研究

14

作者 陈淑年 廖斌 欧阳晓平 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期674-680,共7页

基于磁过滤阴极真空弧沉积技术研究了负偏压对AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的形貌、元素以及微观结构的影响,进而讨论了AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的成膜及结晶机制.通过SEM、EDS、XRD和TEM对薄膜的形貌与结构等性能进行测试分析,实验... 基于磁过滤阴极真空弧沉积技术研究了负偏压对AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的形貌、元素以及微观结构的影响,进而讨论了AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的成膜及结晶机制.通过SEM、EDS、XRD和TEM对薄膜的形貌与结构等性能进行测试分析,实验结果表明:不同沉积离子能量条件下,薄膜具有优异的表面品质;随着沉积离子能量的不断增加,薄膜厚度随之减小;同时,沉积离子能量对高熵晶相的调控有明显效果,沉积离子能量的增加使AlCrTiZrMo高熵合金薄膜微结构从非晶相(am)转变为相稳定的am+FCC纳米复合结构. 展开更多

关键词 磁过滤阴极真空弧 非晶高熵合金薄膜 沉积离子能量

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径向放电的等离子体阴极脉冲电子束实验研究 被引量：5

15

作者 田微 盖斐 +2 位作者 张俊敏 何顺帆 王黎 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第6期1338-1344,共7页

本文研究和设计了静电聚焦型的径向放电真空电弧等离子体阴极脉冲电子束源。在分析轴向放电的真空电弧等离子体阴极稳定性的基础上,改进结构,设计了径向放电的真空电弧等离子体阴极,由于表面比较狭窄,产生真空电弧后,阴极斑点的高速移... 本文研究和设计了静电聚焦型的径向放电真空电弧等离子体阴极脉冲电子束源。在分析轴向放电的真空电弧等离子体阴极稳定性的基础上,改进结构,设计了径向放电的真空电弧等离子体阴极,由于表面比较狭窄,产生真空电弧后,阴极斑点的高速移动也都位于直径小于2mm的环形阴极内表面上,从而使得电子发射效率较为稳定。并以此为发射阴极,设计径向放电结构的空心阳极等离子体阴极电子束源,该电子束源为无磁场引导的皮尔斯型电子束源,其主要由等离子体阴极和静电聚焦系统两部分组成。实验测量过程中,采用法拉第筒测量了电子束的相关参数,得到比较稳定的脉冲电子束。 展开更多

关键词 脉冲电子束 等离子体阴极 真空电弧等离子体 径向放电

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空心阳极等离子体阴极提取电子束的实验分析 被引量：3

16

作者 陈俊 陈仕修 +1 位作者 盖斐 江海燕 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期560-564,共5页

低气压下真空电弧放电产生高电子密度的等离子体,从等离子体中能提取电子束。为了研究一种新型空心阳极-等离子体阴极结构的放电机理,在相同电压和阴阳极间隙下,对新型结构与两平板电极结构进行电弧放电实验,通过测量阴极电压、放电回... 低气压下真空电弧放电产生高电子密度的等离子体,从等离子体中能提取电子束。为了研究一种新型空心阳极-等离子体阴极结构的放电机理,在相同电压和阴阳极间隙下,对新型结构与两平板电极结构进行电弧放电实验,通过测量阴极电压、放电回路电流以及收集极电流来比较两者的特点。结果表明:前者的阴极电位波形在放电开始之后明显低于两平板电极的阴极电位波形,存在明显的电位下垂现象;同时收集极电流在放电回路电流不大时呈现出只有负半波情况。从真空电弧放电机理具体分析解释了收集极电流呈半波的原因,同时采用等效电路模型和等效电位函数对阴极电位下垂做了详细的分析,认为是阳极附近聚集大量电子,因此有未被补偿的负空间电荷,形成电位梯度较大的阻极电位降,电弧等离子体近似为电中性,导致阴极电位下降。 展开更多

关键词 电子束 真空电弧 空心阳极 等离子体阴极 阴极电位下垂 半波现象

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退火对电弧离子镀制备的ZnO薄膜的影响

17

作者 王明东 郑婷 +3 位作者 朱道云 何振辉 陈弟虎 闻立时 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期156-161,共6页

采用阴极电弧离子镀在Si、Al2O3以及玻璃衬底上制备出具有择优取向的ZnO薄膜,并对其进行退火处理。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光光谱(PL)、紫外-可见光光谱仪对ZnO薄膜的结构、表面形貌和光学性能进行分析。XR... 采用阴极电弧离子镀在Si、Al2O3以及玻璃衬底上制备出具有择优取向的ZnO薄膜,并对其进行退火处理。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光光谱(PL)、紫外-可见光光谱仪对ZnO薄膜的结构、表面形貌和光学性能进行分析。XRD结果表明,所制备的ZnO薄膜具有很好的ZnO(002)择优取向,退火使ZnO(002)衍射峰向高角度方向偏移。SEM结果表明,随着退火温度升高,表面晶粒由隆起的山脉或塔状变为平面状,晶粒002面呈六边状。PL谱结果表明,随着退火温度的升高,紫外发光峰强度逐渐增强,可见光发光峰强度逐渐相对减弱。紫外可见光透过谱结果表明,退火使可见光透过率增高,光学带隙发生红移。 展开更多

关键词 阴极电弧离子沉积 ZNO薄膜 退火

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阴极电弧制备TiAlN薄膜工艺参数的正交分析研究 被引量：6

18

作者 陈锋光 孙丽丽 +2 位作者 成浩 柯培玲 汪爱英 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期41-45,共5页

为深入理解不同工艺参数对阴极电弧制备TiAlN薄膜性质的影响重要性,文中设计了L9(34)正交试验表,研究了基体负偏压、N2流量、阴极弧流对TiAlN沉积速率、表面粗糙度的影响,给出了工艺参数优化组合。结果表明:负偏压对TiAlN薄膜的沉积速... 为深入理解不同工艺参数对阴极电弧制备TiAlN薄膜性质的影响重要性,文中设计了L9(34)正交试验表,研究了基体负偏压、N2流量、阴极弧流对TiAlN沉积速率、表面粗糙度的影响,给出了工艺参数优化组合。结果表明:负偏压对TiAlN薄膜的沉积速率影响最大,其次是N2流量、弧流;对表面粗糙度的影响次序则为N2流量、弧流、负偏压。薄膜沉积速率随N2流量的升高而增大,随负偏压增加先增加后降低,随弧流的增大变化不明显。薄膜表面粗糙度随N2流量的升高逐渐减小,随负偏压的增加而增加,随弧流的增大而增大。 展开更多

关键词 正交分析 TIALN 阴极电弧离子镀 沉积速率 表面粗糙度

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不同偏压的Cr离子刻蚀对TiAlN涂层硬质合金的影响

19

作者 向艺桐 熊计 +1 位作者 向清洲 郭智兴 《工具技术》 北大核心 2024年第11期23-29,共7页

本文采用阴极电弧沉积技术在不同偏压下进行Cr离子刻蚀硬质合金,并在其表面沉积TiAlN涂层,研究不同偏压下的Cr离子刻蚀对涂层硬质合金的影响。Cr离子刻蚀后,硬质合金基体表面粗糙度显著增加,且在基体表面能检测到更多的Cr元素;Cr离子刻... 本文采用阴极电弧沉积技术在不同偏压下进行Cr离子刻蚀硬质合金,并在其表面沉积TiAlN涂层,研究不同偏压下的Cr离子刻蚀对涂层硬质合金的影响。Cr离子刻蚀后,硬质合金基体表面粗糙度显著增加,且在基体表面能检测到更多的Cr元素;Cr离子刻蚀可在清洁基板的同时增加基体表面粗糙度,使得涂层与基体间的机械互锁增强,进而提高结合力;从涂层与基体界面的HR-TEM图像可以发现,在Cr离子刻蚀处理后的基体上涂层呈外延生长,有利于提高结合强度。此外,当刻蚀偏压为-200V时,基体表面沉积的Cr层能够降低涂层与基体间的残余应力,可将涂层与基体的结合力从61N提高至77N。随着刻蚀偏压的提高,涂层硬质合金的耐磨性增加,其磨损机理为磨料磨损和黏着磨损。 展开更多

关键词 离子刻蚀 TIALN 硬质合金 阴极电弧沉积

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专利名称：真空电弧蒸发源及使用它的薄膜形成装置

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《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期36-36,共1页

关键词 真空电弧蒸发源 薄膜形成装置 阴极蒸发 等离子体 叠层薄膜

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