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横向高压器件LDMOS与LIGBT的特性分析
被引量：
2
1
作者
张国海
高勇
周宝霞
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第6期27-30,45,共5页
给出了横向高压器件ＬＤＭＯＳ、ＬＩＧＢＴ以及具有阳极短路结构的ＬＩＧＢＴ的输出特性、开关特性及耐压特性等模拟曲线，并对这三种器件的结构和性能进行了较系统的分析与对比。
关键词
LDMOS
LIGBT
阳极短路结构
功率集成电路
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职称材料
题名
横向高压器件LDMOS与LIGBT的特性分析
被引量：
2
1
作者
张国海
高勇
周宝霞
机构
西安理工大学电子工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第6期27-30,45,共5页
文摘
给出了横向高压器件ＬＤＭＯＳ、ＬＩＧＢＴ以及具有阳极短路结构的ＬＩＧＢＴ的输出特性、开关特性及耐压特性等模拟曲线，并对这三种器件的结构和性能进行了较系统的分析与对比。
关键词
LDMOS
LIGBT
阳极短路结构
功率集成电路
Keywords
LDMOS LIGBT Shorted anode structure
分类号
TN432.03 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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1
横向高压器件LDMOS与LIGBT的特性分析
张国海
高勇
周宝霞
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998
2
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