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基于阱式阶梯电子阻挡层的深紫外激光二极管性能研究
1
作者
魏士钦
王瑶
+3 位作者
王梦真
王芳
刘俊杰
刘玉怀
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第1期62-68,共7页
为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种阱式阶梯电子阻挡层(EBL)结构。利用Crosslight软件对矩形、阶梯形和阱式阶梯形三种不同的结构分别进行了仿真研究,详细对比分析了三种结构器件的能带图、辐射复合率...
为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种阱式阶梯电子阻挡层(EBL)结构。利用Crosslight软件对矩形、阶梯形和阱式阶梯形三种不同的结构分别进行了仿真研究,详细对比分析了三种结构器件的能带图、辐射复合率、电子空穴浓度、P−I以及V−I特性等,结果表明阱式阶梯EBL对电子的泄露抑制效果最好,从而使得器件的光学和电学性能得到优化。
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关键词
激光技术
深紫外激光二极管
ALGAN
阱式阶梯电子阻挡层
电子
泄露
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职称材料
题名
基于阱式阶梯电子阻挡层的深紫外激光二极管性能研究
1
作者
魏士钦
王瑶
王梦真
王芳
刘俊杰
刘玉怀
机构
郑州大学信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心
郑州唯独电子科技有限公司
郑州大学产业技术研究院有限公司
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第1期62-68,共7页
基金
国家重点研发计划(2016YFE0118400)
宁波市“科技创新2025”重大专项(2019B10129)。
文摘
为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种阱式阶梯电子阻挡层(EBL)结构。利用Crosslight软件对矩形、阶梯形和阱式阶梯形三种不同的结构分别进行了仿真研究,详细对比分析了三种结构器件的能带图、辐射复合率、电子空穴浓度、P−I以及V−I特性等,结果表明阱式阶梯EBL对电子的泄露抑制效果最好,从而使得器件的光学和电学性能得到优化。
关键词
激光技术
深紫外激光二极管
ALGAN
阱式阶梯电子阻挡层
电子
泄露
Keywords
laser techniques
deep ultraviolet laser diode
AlGaN
well-type ladder electron barrier
electron leakage
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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作者
出处
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被引量
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1
基于阱式阶梯电子阻挡层的深紫外激光二极管性能研究
魏士钦
王瑶
王梦真
王芳
刘俊杰
刘玉怀
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023
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