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ECLD激光器三种模型的调谐特性比较
被引量：
1
1
作者
黄立平
潘炜
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第8期645-648,共4页
为了研究频率偏离增益峰值时光栅外腔半导体激光器的阈值特性,在以往研究双稳态的原简化模型的基础上,将H参量引入到载流子密度中,建立了H参量简化模型和H参量模型,并得到了计算调谐范围的解析式;采用数值计算和模拟的方法,在阈值载流...
为了研究频率偏离增益峰值时光栅外腔半导体激光器的阈值特性,在以往研究双稳态的原简化模型的基础上,将H参量引入到载流子密度中,建立了H参量简化模型和H参量模型,并得到了计算调谐范围的解析式;采用数值计算和模拟的方法,在阈值载流子密度按波长的分布图谱中得到激光器的调谐范围,比较了三种模型在表达调谐特性方面的差异。结果表明:新的两种模型能够从阈值载流子密度图谱中反映更多的调谐特性,H参量模型较H简化模型精确了一个二极管模式的间隔。
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关键词
激光技术
H参量模型
H参量简化模型
阈值载流子密度
调谐范围
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职称材料
题名
ECLD激光器三种模型的调谐特性比较
被引量：
1
1
作者
黄立平
潘炜
机构
青海民族学院电子工程与信息科学系
西南交通大学信息科学与技术学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第8期645-648,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(10174057
90201011)
+1 种基金
教育部科学技术研究重点项目(105148)
高等学校博士学科点专项科研基金(20070613058)
文摘
为了研究频率偏离增益峰值时光栅外腔半导体激光器的阈值特性,在以往研究双稳态的原简化模型的基础上,将H参量引入到载流子密度中,建立了H参量简化模型和H参量模型,并得到了计算调谐范围的解析式;采用数值计算和模拟的方法,在阈值载流子密度按波长的分布图谱中得到激光器的调谐范围,比较了三种模型在表达调谐特性方面的差异。结果表明:新的两种模型能够从阈值载流子密度图谱中反映更多的调谐特性,H参量模型较H简化模型精确了一个二极管模式的间隔。
关键词
激光技术
H参量模型
H参量简化模型
阈值载流子密度
调谐范围
Keywords
laser technology
H parameter model
H parameter simplified model
threshold carrier density
tuning range
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ECLD激光器三种模型的调谐特性比较
黄立平
潘炜
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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