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栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响
被引量：
3
1
作者
刘兆慧
尉升升
+2 位作者
于洪权
尹志鹏
王德君
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第6期463-469,共7页
阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时...
阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时间的变化量,总结了三种电荷面密度变化量在不同应力时间下的变化规律,分析了其对器件阈值电压不稳定性的影响,同时推测了长时间偏压作用下SiC MOSFET阈值电压稳定性的劣化机制。测试结果表明,栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度在不同偏压温度下随应力时间的变化规律不同,常温应力下器件阈值电压稳定性劣化主要与栅氧化层陷阱电荷有关,而高温下,则主要与界面陷阱电荷有关。
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关键词
SiC
MOSFET
阈值电压
不
稳定性
栅氧化层陷阱电荷
界面陷阱电荷
可动电荷
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职称材料
选择区域外延槽栅结构GaN常关型MOSFET的研究
被引量：
2
2
作者
杨帆
何亮
+2 位作者
郑越
沈震
刘扬
《电源学报》
CSCD
2016年第4期14-20,共7页
高性能GaN常关型功率开关器件的实现是目前研究的热点。槽栅结构GaN常关型MOSFET以其栅压摆幅冗余度大、栅极漏电流小等优势受到广泛关注。制备槽栅结构GaN常关型MOSFET需要的刻蚀方法会在栅极沟道引入缺陷,影响器件的稳定性。首先,提...
高性能GaN常关型功率开关器件的实现是目前研究的热点。槽栅结构GaN常关型MOSFET以其栅压摆幅冗余度大、栅极漏电流小等优势受到广泛关注。制备槽栅结构GaN常关型MOSFET需要的刻蚀方法会在栅极沟道引入缺陷,影响器件的稳定性。首先,提出选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET,期望避免刻蚀对栅极沟道的损伤;再通过改进选择区域外延工艺(包括二次生长界面和异质结构界面的分离及抑制背景施主杂质),使得二次生长的异质结构质量达到标准异质结构水平。研究结果表明,选择区域外延方法能够有效保护栅极导通界面,使器件具备优越的阈值电压稳定性;同时也证明了选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET的可行性与优越性。
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关键词
AlGaN/GaN异质结构
常关型
MOSFET
选择区域外延
阈值电压稳定性
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职称材料
题名
栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响
被引量：
3
1
作者
刘兆慧
尉升升
于洪权
尹志鹏
王德君
机构
大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第6期463-469,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61874017)。
文摘
阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时间的变化量,总结了三种电荷面密度变化量在不同应力时间下的变化规律,分析了其对器件阈值电压不稳定性的影响,同时推测了长时间偏压作用下SiC MOSFET阈值电压稳定性的劣化机制。测试结果表明,栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度在不同偏压温度下随应力时间的变化规律不同,常温应力下器件阈值电压稳定性劣化主要与栅氧化层陷阱电荷有关,而高温下,则主要与界面陷阱电荷有关。
关键词
SiC
MOSFET
阈值电压
不
稳定性
栅氧化层陷阱电荷
界面陷阱电荷
可动电荷
Keywords
SiC MOSFET
threshold voltage instability
gate⁃oxide layer trap charge
interface trap charge
mobile charge
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
选择区域外延槽栅结构GaN常关型MOSFET的研究
被引量：
2
2
作者
杨帆
何亮
郑越
沈震
刘扬
机构
中山大学电子与信息工程学院电力电子及控制技术研究所
出处
《电源学报》
CSCD
2016年第4期14-20,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(51177175
61274039
+6 种基金
61574173)
国家高技术研究发展计划资助项目(863计划)(2014AA032606)
广东省科技计划资助项目(2014B050505009
2015B010132007)
广东省自然科学基金资助项目(2015A030312011)
广州市科技计划资助项目(201508010048)
集成光电子学国家重点联合实验室开放课题资助项目(IOSKL2014KF17)~~
文摘
高性能GaN常关型功率开关器件的实现是目前研究的热点。槽栅结构GaN常关型MOSFET以其栅压摆幅冗余度大、栅极漏电流小等优势受到广泛关注。制备槽栅结构GaN常关型MOSFET需要的刻蚀方法会在栅极沟道引入缺陷,影响器件的稳定性。首先,提出选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET,期望避免刻蚀对栅极沟道的损伤;再通过改进选择区域外延工艺(包括二次生长界面和异质结构界面的分离及抑制背景施主杂质),使得二次生长的异质结构质量达到标准异质结构水平。研究结果表明,选择区域外延方法能够有效保护栅极导通界面,使器件具备优越的阈值电压稳定性;同时也证明了选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET的可行性与优越性。
关键词
AlGaN/GaN异质结构
常关型
MOSFET
选择区域外延
阈值电压稳定性
Keywords
AlGaN/GaN heterostructure
normally-off
MOSFET
selective area growth
threshold voltage stability
分类号
O472.4 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响
刘兆慧
尉升升
于洪权
尹志鹏
王德君
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
选择区域外延槽栅结构GaN常关型MOSFET的研究
杨帆
何亮
郑越
沈震
刘扬
《电源学报》
CSCD
2016
2
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