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表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型: 1; 作者戴显英李志 +5 位作者张鹤鸣郝跃王琳查冬王晓晨付毅初《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期94-97,113,共5页; 基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电... 展开更多; 关键词阈值电压模型 Ge沟道pMOSFET 漏致势垒降低效应短沟道效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

二维短沟道MOSFET阈值电压分析模型被引量：3: 2; 作者李海霞毛凌锋《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期254-257,共4页; 随着器件尺寸的进一步减小,由量子效应导致的能带分裂对MOSFET中阈值电压特性的影响变得越来越重要。提出了一个包含量子效应(QME)的短沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)分析的阈值电压模型,该模型建立在求解包含量子校正的泊松方程... 展开更多; 关键词深亚微米半导体器件解析阈值电压模型量子机制效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型: 3; 作者万新恒张兴 +3 位作者谭静荣高文钰黄如王阳元《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1519-1521,共3页; 报道了全耗尽SOIMOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系 .模型计算结果与实验吻合较好 .该模型物理意义明确 ,参数提取方便 ,适合于低辐照总剂量条件下的加固SOI器件与电路的模拟 .讨论了抑制阈值电压漂移的方法 ... 展开更多; 关键词 SOI MOSFET 阈值电压漂移模型场效应晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

射频MEMS膜开关的力学解析模型: 4; 作者郑惟彬黄庆安李拂晓《微波学报》 CSCD 北大核心 2002年第3期39-42,48,共5页; MEMS开关以其固有的低功耗、低插损和低交叉调制损耗等特性 ,在微波领域表现出巨大的应用潜力。但是目前大部分的研究工作都集中在设计新型开关结构和开关制作工艺上 ,对开关力学模型的研究较少。本文根据材料力学 ,通过合理的假设和简... 展开更多; 关键词膜开关模型阈值电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型: 1; 作者戴显英李志张鹤鸣郝跃王琳查冬王晓晨付毅初; 机构西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期94-97,113,共5页; 基金国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(6139801-1); 文摘基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电压对阈值电压的影响进行了模型模拟分析.模拟结果表明,当沟道长度小于200nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压影响较大,而当沟道长度超过500nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响可以忽略.模型计算结果与实验结果吻合较好.; 关键词阈值电压模型 Ge沟道pMOSFET 漏致势垒降低效应短沟道效应; Keywords threshold voltage Ge channel pMOSFET DIBL SCE; 分类号 O141.4 [理学—基础数学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名二维短沟道MOSFET阈值电压分析模型被引量：3: 2; 作者李海霞毛凌锋; 机构苏州大学电子信息学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期254-257,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60606016); 文摘随着器件尺寸的进一步减小,由量子效应导致的能带分裂对MOSFET中阈值电压特性的影响变得越来越重要。提出了一个包含量子效应(QME)的短沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)分析的阈值电压模型,该模型建立在求解包含量子校正的泊松方程的基础上。分析在泊松方程中考虑量子效应后建立的分析的阈值电压模型可知:随着器件尺寸的减小,由量子效应和短沟道效应引起的阈值电压的升高变得越来越严重。本模型的优点是没有引入额外的物理参数。; 关键词深亚微米半导体器件解析阈值电压模型量子机制效应; Keywords sub-micron MOSFET analytical threshold model quantum mechanism effect; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型: 3; 作者万新恒张兴谭静荣高文钰黄如王阳元; 机构北京大学微电子学研究所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1519-1521,共3页; 基金高等学校博士学科点专项科研基金 (No .60 0 1 1 61 936) "973"国家重点基础研究发展规划项目(No G2 0 0 0 0 3650 3); 文摘报道了全耗尽SOIMOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系 .模型计算结果与实验吻合较好 .该模型物理意义明确 ,参数提取方便 ,适合于低辐照总剂量条件下的加固SOI器件与电路的模拟 .讨论了抑制阈值电压漂移的方法 .结果表明 ,对于全耗尽SOI加固工艺 ,辐照导致的埋氧层 (BOX)氧化物电荷对前栅的耦合是影响前栅阈值电压漂移的主要因素 ,但减薄埋氧层厚度并不能明显提高SOIMOSFET的抗辐照性能 .; 关键词 SOI MOSFET 阈值电压漂移模型场效应晶体管; Keywords SOI MOSFET radiation effects threshold voltage shift model dose rate; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名射频MEMS膜开关的力学解析模型: 4; 作者郑惟彬黄庆安李拂晓; 机构 MEMS教育部重点实验室南京电子器件研究所; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2002年第3期39-42,48,共5页; 文摘 MEMS开关以其固有的低功耗、低插损和低交叉调制损耗等特性 ,在微波领域表现出巨大的应用潜力。但是目前大部分的研究工作都集中在设计新型开关结构和开关制作工艺上 ,对开关力学模型的研究较少。本文根据材料力学 ,通过合理的假设和简化 ,推导出MEMS开关的静电力解析模型 ,并详细探讨开关阈值电压和开关几何尺寸及材料特性之间的关系。; 关键词膜开关模型阈值电压; Keywords Membrane switch, Modeling, Threshold voltage; 分类号 TN623 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型	戴显英李志张鹤鸣郝跃王琳查冬王晓晨付毅初	《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	二维短沟道MOSFET阈值电压分析模型	李海霞毛凌锋	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型	万新恒张兴谭静荣高文钰黄如王阳元	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	射频MEMS膜开关的力学解析模型	郑惟彬黄庆安李拂晓	《微波学报》 CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料