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栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响
被引量：
1
1
作者
刘兆慧
尉升升
+2 位作者
于洪权
尹志鹏
王德君
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第6期463-469,共7页
阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时...
阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时间的变化量,总结了三种电荷面密度变化量在不同应力时间下的变化规律,分析了其对器件阈值电压不稳定性的影响,同时推测了长时间偏压作用下SiC MOSFET阈值电压稳定性的劣化机制。测试结果表明,栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度在不同偏压温度下随应力时间的变化规律不同,常温应力下器件阈值电压稳定性劣化主要与栅氧化层陷阱电荷有关,而高温下,则主要与界面陷阱电荷有关。
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关键词
SiC
MOSFET
阈值电压不稳定性
栅氧化层陷阱电荷
界面陷阱电荷
可动电荷
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职称材料
题名
栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响
被引量：
1
1
作者
刘兆慧
尉升升
于洪权
尹志鹏
王德君
机构
大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第6期463-469,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61874017)。
文摘
阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时间的变化量,总结了三种电荷面密度变化量在不同应力时间下的变化规律,分析了其对器件阈值电压不稳定性的影响,同时推测了长时间偏压作用下SiC MOSFET阈值电压稳定性的劣化机制。测试结果表明,栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度在不同偏压温度下随应力时间的变化规律不同,常温应力下器件阈值电压稳定性劣化主要与栅氧化层陷阱电荷有关,而高温下,则主要与界面陷阱电荷有关。
关键词
SiC
MOSFET
阈值电压不稳定性
栅氧化层陷阱电荷
界面陷阱电荷
可动电荷
Keywords
SiC MOSFET
threshold voltage instability
gate⁃oxide layer trap charge
interface trap charge
mobile charge
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响
刘兆慧
尉升升
于洪权
尹志鹏
王德君
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
1
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