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硝酸盐污秽作用下绝缘子的交流闪络特性 被引量:5
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作者 黄青丹 张东东 +3 位作者 宋浩永 吴培伟 张志劲 蒋兴良 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期3922-3928,共7页
污秽成分会影响绝缘子的闪络特性,研究硝酸盐对绝缘子闪络特性的影响有长远的意义。为此,依次用氯化钠及几种常见的硝酸盐KNO_3、NH_4NO_3、NaNO_3、Ca(NO_3)_2、Mg(NO_3)_2来模拟可溶物,开展了不同污秽成分下耐污型绝缘子串XP4–160的... 污秽成分会影响绝缘子的闪络特性,研究硝酸盐对绝缘子闪络特性的影响有长远的意义。为此,依次用氯化钠及几种常见的硝酸盐KNO_3、NH_4NO_3、NaNO_3、Ca(NO_3)_2、Mg(NO_3)_2来模拟可溶物,开展了不同污秽成分下耐污型绝缘子串XP4–160的交流污闪试验。试验过程中采用浸污法进行染污,并采用恒压升降法进行加压,得到了不同可溶物成分、不同等值盐密(ESDDρ)下绝缘子的交流闪络电压梯度(EL),然后结合试验结果和硝酸盐的理化性质分析了硝酸盐对绝缘子闪络特性的影响。研究结果表明:利用现有的闪络电压计算方法来预测硝酸盐下绝缘子的EL值,相对误差可达到24%;所采用的几种硝酸盐下绝缘子的EL值均大于氯化钠下的EL;硝酸钾对应较低的闪络电压梯度,硝酸钙对应较高的闪络电压梯度;硝酸盐下的绝缘子污秽影响特征指数b值在0.18~0.25之间;污秽成分为5种硝酸盐中的1种或几种时,绝缘子闪络电压梯度可用25.60.21ESDDρ-来表达。研究结果可为不同污秽成分下绝缘子闪络电压的计算提供参考。 展开更多
关键词 绝缘子 交流闪络 等值盐密 硝酸盐 闪络电压梯度 闪络电压计算
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