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碳化硅门极可关断晶闸管的研究进展
被引量:
2
1
作者
周才能
岳瑞峰
王燕
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期89-95,共7页
由于SiC材料的理想特性使SiC门极可关断晶闸管(GTO)的发展受到广泛关注。SiC GTO是一种用于控制大电流的高功率开关器件,具有开关速度高、功耗低以及控制电路的复杂程度低等优点,在高压、高温开关电路应用中有着独特的优势。阐述了近十...
由于SiC材料的理想特性使SiC门极可关断晶闸管(GTO)的发展受到广泛关注。SiC GTO是一种用于控制大电流的高功率开关器件,具有开关速度高、功耗低以及控制电路的复杂程度低等优点,在高压、高温开关电路应用中有着独特的优势。阐述了近十几年来SiC GTO的研究进展,在介绍SiC GTO的等效模型和工作原理的基础上,重点介绍了SiC GTO在阻断电压、传导电流、正向压降和载流子寿命调控等方面的研究现状,详细讨论了提高SiC GTO阻断性能的5种不同的结终端技术和实现载流子寿命调控的具体方法,给出了典型SiC GTO器件的传导电流和正向压降,并对影响CTO性能的主要因素进行了分析。同时,对SiC GTO的未来发展趋势进行了展望。
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关键词
碳化硅
门极可关断晶闸管
(GTO)
结终端(JTE)
阻断电压
少子寿命
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职称材料
地铁列车可关断晶闸管牵引变流器综合测试技术研究
被引量:
2
2
作者
李小波
吴浩
+1 位作者
翁晓韬
胡方家
《城市轨道交通研究》
北大核心
2010年第9期17-20,共4页
牵引变流器是地铁列车的关键部件,主要由牵引控制单元和变流模块构成,在牵引方式上有直流(斩波器)和交流(逆变器)之分。以上海轨道交通1、2号线列车的门极可关断晶闸管(GTO)牵引变流器为技术背景,基于虚拟仪器技术,对控制器和变流模块...
牵引变流器是地铁列车的关键部件,主要由牵引控制单元和变流模块构成,在牵引方式上有直流(斩波器)和交流(逆变器)之分。以上海轨道交通1、2号线列车的门极可关断晶闸管(GTO)牵引变流器为技术背景,基于虚拟仪器技术,对控制器和变流模块的测试方法进行了整合,提出了GTO牵引变流器的综合测试方案。该方法不仅能够对各部件实施分部测试,还可以对整体进行综合测试。测试方法方便有效,使部件在现场维修、测试过程中能够模拟在线工作状态,便于查找故障信息,为列车牵引系统的各种检修和部件国产化开发提供了必要的技术准备。
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关键词
地铁列车
门极可关断晶闸管
牵引变流器
虚拟仪器
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职称材料
一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管
被引量:
3
3
作者
高吴昊
陈万军
+7 位作者
刘超
陶宏
夏云
谯彬
施宜军
邓小川
李肇基
张波
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第4期276-280,312,共6页
门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件。目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高。提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关断(IEB-GTO)晶闸管结构,相比于常规GTO晶闸...
门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件。目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高。提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关断(IEB-GTO)晶闸管结构,相比于常规GTO晶闸管结构,该结构有着更高的阴极注入效率,从而减小了器件的导通电阻和功耗。仿真结果表明,当导通电流为1 000 A/cm^2时,IEB-GTO晶闸管的比导通电阻比常规GTO晶闸管下降了约45.5%;在脉冲峰值电流为6 000 A、半周期为1 ms的宽脉冲放电过程中,器件的最大导通压降比常规GTO晶闸管降低了约58.5%。
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关键词
4H-SIC
门极可
关断
(GTO)
晶闸管
注入效率
缓冲层
脉冲功率
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职称材料
抵御换相失败的新型IGCT直流混合换相换流器
4
作者
许超群
余占清
+4 位作者
董昱
曾嵘
葛睿
屈鲁
赵彪
《新型电力系统》
2024年第4期406-417,共12页
基于电网换相换流器的常规直流输电技术是远距离大容量输电的首选方案,但其换相失败问题严重威胁直流多落点电网安全稳定运行。由于晶闸管固有的半控特性,已有方法难以显著降低换相失败风险。文章提出一种新型的基于集成门极换流可关断...
基于电网换相换流器的常规直流输电技术是远距离大容量输电的首选方案,但其换相失败问题严重威胁直流多落点电网安全稳定运行。由于晶闸管固有的半控特性,已有方法难以显著降低换相失败风险。文章提出一种新型的基于集成门极换流可关断晶闸管(integrated gate commutated thyristor,IGCT)的混合换相换流器,实现具有主动换流特点的新型换流原理,有效抵御换相失败,提升多直流馈入电网的安全稳定水平。该文在换相失败机理分析的基础上,提出了新型IGCT直流混合换相换流器的拓扑结构、核心器件机理分析,提出了相对应的抵御换相失败的新型换流开关一体化工作方式,并最终,在PSCAD/EMTDC电磁暂态仿真中验证了换流机理,搭建了20 kV级样机并通过实验验证了所提出混合换相换流器的有效性和正确性。
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关键词
直流输电
换相失败
混合换相换流器
集成
门极
换流
可关断
晶闸管
(IGCT)
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职称材料
矿用异步电动机分级离散变频软启动方式研究
被引量:
3
5
作者
王东峰
张开如
+1 位作者
王毅
王永立
《工矿自动化》
北大核心
2016年第12期50-55,共6页
针对传统矿用异步电动机软启动方式存在电动机启动电流大、启动转矩小、无法实现重载或满载启动的缺点,在原有的分级离散变频原理基础上,对调压电路、保护电路等进行了改进,提出了一种改进的矿用异步电动机分级离散变频软启动方式。主...
针对传统矿用异步电动机软启动方式存在电动机启动电流大、启动转矩小、无法实现重载或满载启动的缺点,在原有的分级离散变频原理基础上,对调压电路、保护电路等进行了改进,提出了一种改进的矿用异步电动机分级离散变频软启动方式。主调压电路采用门极可关断晶闸管GTO代替传统的可控硅晶闸管来调节电源频率,并用理想型开关组代替三相断路器来控制其关断,从而防止过电压或过电流对电路造成损害,达到保护电路的目的。Matlab仿真结果表明,改进的分级离散变频软启动方式不仅能降低启动电流,增大启动转矩,还能有效保护电路。
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关键词
异步电动机
软启动
分级离散变频
门极可关断晶闸管
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职称材料
飞速发展的电力电子技术
6
作者
瞿文龙
《中国集成电路》
2003年第49期1-4,10,共5页
半导体器件的出现为电子学的发展开辟了一个新纪元。电子学包含两个分支:微电子学和电力电子学。微电子学的一个发展趋势是半导体器件做得越来越小,集成度越来越高。而电力电子学的一个重要发展方向是器件朝大容量发展。微电子技术以信...
半导体器件的出现为电子学的发展开辟了一个新纪元。电子学包含两个分支:微电子学和电力电子学。微电子学的一个发展趋势是半导体器件做得越来越小,集成度越来越高。而电力电子学的一个重要发展方向是器件朝大容量发展。微电子技术以信息处理为对象;而电力电子技术以电能处理为对象。电力电子是将输入端电源通过静止的方法对其进行有效的变换、控制和调节使其达到输出端要求的一门技术。微电子技术的迅猛发展带来了计算机。
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关键词
电力电子技术
半导体器件
二极管
门极可关断晶闸管
绝缘栅双极型晶体管
功率场效应管
双极型晶体管
电力系统
电源
电力传动
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职称材料
大功率半导体技术现状及其进展
被引量:
14
7
作者
刘国友
王彦刚
+3 位作者
李想
Arthur SU
李孔竞
杨松霖
《机车电传动》
北大核心
2021年第5期1-11,共11页
介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等领域的研发进展和应用现状;最后讨论了大功率半导体技术面临的...
介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等领域的研发进展和应用现状;最后讨论了大功率半导体技术面临的技术挑战和发展趋势。
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关键词
功率半导体器件
硅材料
晶闸管
门极可关断晶闸管
集成
门极
换流
晶闸管
绝缘栅双极晶体管
金属氧化物半导体场效应晶体管
宽禁带
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职称材料
10kV SiC GTO器件特性研究
8
作者
程琳
罗佳敏
+4 位作者
龚存昊
张有润
唐毅
门富媛
都小利
《电子与封装》
2022年第3期12-17,共6页
基于第三代宽禁带半导体材料4H-SiC的超高压门极可关断晶闸管(Gate Turn-Off Thyristor,GTO)器件,在双向载流子注入和电导调制效应的作用下,器件在耐高压的同时获得高通态电流,在功率密度和可靠性等方面可以满足超大功率应用的要求。考...
基于第三代宽禁带半导体材料4H-SiC的超高压门极可关断晶闸管(Gate Turn-Off Thyristor,GTO)器件,在双向载流子注入和电导调制效应的作用下,器件在耐高压的同时获得高通态电流,在功率密度和可靠性等方面可以满足超大功率应用的要求。考虑到正向阻断电压、正向导通压降和脉冲电路下的开启时间等,提出了10 kV 4H-SiC GTO器件,借助Silvaco TCAD仿真研究了GTO器件的正向导通特性、正向阻断特性、动态开关特性和脉冲放电特性,得出了其正向导通压降为4.605 V,正向阻断电压为14.78 kV,开启时间为55 ns,关断时间为13.3 ns。
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关键词
4H-SIC
门极可关断晶闸管
脉冲放电特性
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职称材料
题名
碳化硅门极可关断晶闸管的研究进展
被引量:
2
1
作者
周才能
岳瑞峰
王燕
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期89-95,共7页
文摘
由于SiC材料的理想特性使SiC门极可关断晶闸管(GTO)的发展受到广泛关注。SiC GTO是一种用于控制大电流的高功率开关器件,具有开关速度高、功耗低以及控制电路的复杂程度低等优点,在高压、高温开关电路应用中有着独特的优势。阐述了近十几年来SiC GTO的研究进展,在介绍SiC GTO的等效模型和工作原理的基础上,重点介绍了SiC GTO在阻断电压、传导电流、正向压降和载流子寿命调控等方面的研究现状,详细讨论了提高SiC GTO阻断性能的5种不同的结终端技术和实现载流子寿命调控的具体方法,给出了典型SiC GTO器件的传导电流和正向压降,并对影响CTO性能的主要因素进行了分析。同时,对SiC GTO的未来发展趋势进行了展望。
关键词
碳化硅
门极可关断晶闸管
(GTO)
结终端(JTE)
阻断电压
少子寿命
Keywords
SiC
gate turn-off thyristors (GTO)
junction termination extension (JTE)
breakdown voltage
minority carrier lifetime
分类号
TN335 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
地铁列车可关断晶闸管牵引变流器综合测试技术研究
被引量:
2
2
作者
李小波
吴浩
翁晓韬
胡方家
机构
上海工程技术大学城市轨道交通学院
上海轨道交通维护保障中心车辆分公司
出处
《城市轨道交通研究》
北大核心
2010年第9期17-20,共4页
基金
上海市教育委员会重点学科建设项目资助(J51401)
上海高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金资助(Gjd09026)
文摘
牵引变流器是地铁列车的关键部件,主要由牵引控制单元和变流模块构成,在牵引方式上有直流(斩波器)和交流(逆变器)之分。以上海轨道交通1、2号线列车的门极可关断晶闸管(GTO)牵引变流器为技术背景,基于虚拟仪器技术,对控制器和变流模块的测试方法进行了整合,提出了GTO牵引变流器的综合测试方案。该方法不仅能够对各部件实施分部测试,还可以对整体进行综合测试。测试方法方便有效,使部件在现场维修、测试过程中能够模拟在线工作状态,便于查找故障信息,为列车牵引系统的各种检修和部件国产化开发提供了必要的技术准备。
关键词
地铁列车
门极可关断晶闸管
牵引变流器
虚拟仪器
Keywords
metro vehicles
gate turn off thyristor
traction converter
virtual instruments
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管
被引量:
3
3
作者
高吴昊
陈万军
刘超
陶宏
夏云
谯彬
施宜军
邓小川
李肇基
张波
机构
电子科技大学电子科学与工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第4期276-280,312,共6页
文摘
门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件。目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高。提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关断(IEB-GTO)晶闸管结构,相比于常规GTO晶闸管结构,该结构有着更高的阴极注入效率,从而减小了器件的导通电阻和功耗。仿真结果表明,当导通电流为1 000 A/cm^2时,IEB-GTO晶闸管的比导通电阻比常规GTO晶闸管下降了约45.5%;在脉冲峰值电流为6 000 A、半周期为1 ms的宽脉冲放电过程中,器件的最大导通压降比常规GTO晶闸管降低了约58.5%。
关键词
4H-SIC
门极可
关断
(GTO)
晶闸管
注入效率
缓冲层
脉冲功率
Keywords
4H-SiC
gate turn-off(GTO) thyristor
injection efficiency
buffer layer
pulse power
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
抵御换相失败的新型IGCT直流混合换相换流器
4
作者
许超群
余占清
董昱
曾嵘
葛睿
屈鲁
赵彪
机构
国家电网有限公司国家电力调度控制中心
清华大学电机工程与应用电子技术系
出处
《新型电力系统》
2024年第4期406-417,共12页
基金
国家自然科学基金联合基金集成项目(U216660001)
国家自然科学基金青年基金(52407211)。
文摘
基于电网换相换流器的常规直流输电技术是远距离大容量输电的首选方案,但其换相失败问题严重威胁直流多落点电网安全稳定运行。由于晶闸管固有的半控特性,已有方法难以显著降低换相失败风险。文章提出一种新型的基于集成门极换流可关断晶闸管(integrated gate commutated thyristor,IGCT)的混合换相换流器,实现具有主动换流特点的新型换流原理,有效抵御换相失败,提升多直流馈入电网的安全稳定水平。该文在换相失败机理分析的基础上,提出了新型IGCT直流混合换相换流器的拓扑结构、核心器件机理分析,提出了相对应的抵御换相失败的新型换流开关一体化工作方式,并最终,在PSCAD/EMTDC电磁暂态仿真中验证了换流机理,搭建了20 kV级样机并通过实验验证了所提出混合换相换流器的有效性和正确性。
关键词
直流输电
换相失败
混合换相换流器
集成
门极
换流
可关断
晶闸管
(IGCT)
Keywords
direct current transmission
commutation failure
hybrid commutated converter
integrated gate commutated thyristor
分类号
TM721 [电气工程—电力系统及自动化]
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职称材料
题名
矿用异步电动机分级离散变频软启动方式研究
被引量:
3
5
作者
王东峰
张开如
王毅
王永立
机构
山东科技大学电气与自动化工程学院
山东科技大学矿山灾害预防控制省部共建国家重点实验室培养基地
出处
《工矿自动化》
北大核心
2016年第12期50-55,共6页
基金
"十二五"国家科技支撑计划项目(2012BAB13B04)
文摘
针对传统矿用异步电动机软启动方式存在电动机启动电流大、启动转矩小、无法实现重载或满载启动的缺点,在原有的分级离散变频原理基础上,对调压电路、保护电路等进行了改进,提出了一种改进的矿用异步电动机分级离散变频软启动方式。主调压电路采用门极可关断晶闸管GTO代替传统的可控硅晶闸管来调节电源频率,并用理想型开关组代替三相断路器来控制其关断,从而防止过电压或过电流对电路造成损害,达到保护电路的目的。Matlab仿真结果表明,改进的分级离散变频软启动方式不仅能降低启动电流,增大启动转矩,还能有效保护电路。
关键词
异步电动机
软启动
分级离散变频
门极可关断晶闸管
Keywords
asynchronous motor
soft start
grading discrete frequency conversion
gate turn-off thyristor
分类号
TD614 [矿业工程—矿山机电]
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职称材料
题名
飞速发展的电力电子技术
6
作者
瞿文龙
机构
清华大学
出处
《中国集成电路》
2003年第49期1-4,10,共5页
文摘
半导体器件的出现为电子学的发展开辟了一个新纪元。电子学包含两个分支:微电子学和电力电子学。微电子学的一个发展趋势是半导体器件做得越来越小,集成度越来越高。而电力电子学的一个重要发展方向是器件朝大容量发展。微电子技术以信息处理为对象;而电力电子技术以电能处理为对象。电力电子是将输入端电源通过静止的方法对其进行有效的变换、控制和调节使其达到输出端要求的一门技术。微电子技术的迅猛发展带来了计算机。
关键词
电力电子技术
半导体器件
二极管
门极可关断晶闸管
绝缘栅双极型晶体管
功率场效应管
双极型晶体管
电力系统
电源
电力传动
分类号
TN40 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
大功率半导体技术现状及其进展
被引量:
14
7
作者
刘国友
王彦刚
李想
Arthur SU
李孔竞
杨松霖
机构
新型功率半导体器件国家重点实验室
丹尼克斯半导体有限公司功率半导体研发中心
出处
《机车电传动》
北大核心
2021年第5期1-11,共11页
文摘
介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等领域的研发进展和应用现状;最后讨论了大功率半导体技术面临的技术挑战和发展趋势。
关键词
功率半导体器件
硅材料
晶闸管
门极可关断晶闸管
集成
门极
换流
晶闸管
绝缘栅双极晶体管
金属氧化物半导体场效应晶体管
宽禁带
Keywords
power semiconductor device
Si material
thyristor
GTO
IGCT
IGBT
MOSFET
wide bandgap
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
10kV SiC GTO器件特性研究
8
作者
程琳
罗佳敏
龚存昊
张有润
唐毅
门富媛
都小利
机构
国网安徽省电力有限公司培训中心
电子科技大学电子科学与工程学院
出处
《电子与封装》
2022年第3期12-17,共6页
基金
国网安徽省电力有限公司培训中心科技项目(2017QC02)。
文摘
基于第三代宽禁带半导体材料4H-SiC的超高压门极可关断晶闸管(Gate Turn-Off Thyristor,GTO)器件,在双向载流子注入和电导调制效应的作用下,器件在耐高压的同时获得高通态电流,在功率密度和可靠性等方面可以满足超大功率应用的要求。考虑到正向阻断电压、正向导通压降和脉冲电路下的开启时间等,提出了10 kV 4H-SiC GTO器件,借助Silvaco TCAD仿真研究了GTO器件的正向导通特性、正向阻断特性、动态开关特性和脉冲放电特性,得出了其正向导通压降为4.605 V,正向阻断电压为14.78 kV,开启时间为55 ns,关断时间为13.3 ns。
关键词
4H-SIC
门极可关断晶闸管
脉冲放电特性
Keywords
4H-SiC
gate turn-off thyristor
pulse discharge characteristic
分类号
TN341 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碳化硅门极可关断晶闸管的研究进展
周才能
岳瑞峰
王燕
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
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职称材料
2
地铁列车可关断晶闸管牵引变流器综合测试技术研究
李小波
吴浩
翁晓韬
胡方家
《城市轨道交通研究》
北大核心
2010
2
在线阅读
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职称材料
3
一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管
高吴昊
陈万军
刘超
陶宏
夏云
谯彬
施宜军
邓小川
李肇基
张波
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
3
在线阅读
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职称材料
4
抵御换相失败的新型IGCT直流混合换相换流器
许超群
余占清
董昱
曾嵘
葛睿
屈鲁
赵彪
《新型电力系统》
2024
0
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职称材料
5
矿用异步电动机分级离散变频软启动方式研究
王东峰
张开如
王毅
王永立
《工矿自动化》
北大核心
2016
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
6
飞速发展的电力电子技术
瞿文龙
《中国集成电路》
2003
0
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职称材料
7
大功率半导体技术现状及其进展
刘国友
王彦刚
李想
Arthur SU
李孔竞
杨松霖
《机车电传动》
北大核心
2021
14
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职称材料
8
10kV SiC GTO器件特性研究
程琳
罗佳敏
龚存昊
张有润
唐毅
门富媛
都小利
《电子与封装》
2022
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职称材料
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