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基于InP/空气隙DBR的长波长RCE光探测器的实验研究
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作者 王兴妍 黄辉 +4 位作者 王琦 周震 崇英哲 黄永清 任晓敏 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2003年第12期33-34,共2页
报道了一种长波长的InP基谐振腔(RCE)光探测器。它采用选择性湿法刻蚀。制备出基于InP/空气隙的分布布喇格反射镜(DBR)。并将该结构的反射镜引入RCE光探测器,所制备的器件,在波长1:585μm处获得了约54.5%的峰值量子效率,以及8GHz的3dB... 报道了一种长波长的InP基谐振腔(RCE)光探测器。它采用选择性湿法刻蚀。制备出基于InP/空气隙的分布布喇格反射镜(DBR)。并将该结构的反射镜引入RCE光探测器,所制备的器件,在波长1:585μm处获得了约54.5%的峰值量子效率,以及8GHz的3dB响应带宽,其中器件的台面面积为50×50mm2。 展开更多
关键词 谐振腔探测器 波长 空气隙 选择性湿法刻蚀 INP RCE DBR 分布布喇格反射镜
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新型材料InGaNAs的生长与应用前景 被引量:1
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作者 王勇刚 马骁宇 +1 位作者 韦欣 文芳 《红外》 CAS 2003年第10期17-20,共4页
详细介绍了一种新型半导体材料(InGaNAs)的生长特点及其在制作高特征温度的长波长量子阱激光器、长波长垂直腔面发射激光器、长波长光泵垂直外腔面发射激光器、半导体可饱和吸收镜和长波长谐振腔增强探测器方面的优势。
关键词 InGaNAs 半导体材料 特点 晶格匹配 应用前景 砷氮镓铟化合物 波长量子阱激光器 波长垂直腔面发射激光器 半导体可饱和吸收镜 长波长谐振腔增强探测器
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