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Si基长波长GeSiHPT探测器的研制
1
作者
毛容伟
李成
+7 位作者
成步文
黄昌俊
左玉华
李传波
罗丽萍
滕学恭
余金中
王启明
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第0Z2期155-159,共5页
随着波分复用技术的发展，成本低廉，易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构，吸收系数小，SiGe探测器的应用受到...
随着波分复用技术的发展，成本低廉，易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构，吸收系数小，SiGe探测器的应用受到限制。由于（heterojunction phototransistor异质结光敏晶体管）HPT具有内部增益，SiGeHPT有望得到广泛应用。本文在国内首次报道了利用自己研制的UHV-CVD生长的SiGeHPT。在该结衍射和TEM进行表征，并且制作了原型器件，器件的光电流谱表明器件在5V偏压下在1.3μm波段响应度达1mA/W，光增益约为10。同时我们设计了SOR上面的RCEHPT，并进行光电响应模拟，模拟表明RCE HPT的量子效率可达8%，增加吸收区材料Ge组分到0.5，量子效率可提高到30%，半高度为1.5nm，适应光通讯的要求。
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关键词
硅基微电子集成电路
异质结光敏晶体管
GeSiHPT
探测器
长波长探测器
锗化硅
半导体光电
探测器
光通信
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职称材料
长波长多量子阱红外焦平面成像技术及其应用
2
作者
陈筱倩
《红外技术》
CSCD
北大核心
2001年第6期30-32,共3页
介绍了长波长多量子阱焦平面红外热成像的发展概况。论述了多量子阱焦平面阵列的主要结构 :超晶格多量子阱红外探测器及读出电路。分析了它们的结构特点及工作原理。文中就QWIPFPA的主要性能进行了讨论。最后概括了近年来QWIPFPA技术的...
介绍了长波长多量子阱焦平面红外热成像的发展概况。论述了多量子阱焦平面阵列的主要结构 :超晶格多量子阱红外探测器及读出电路。分析了它们的结构特点及工作原理。文中就QWIPFPA的主要性能进行了讨论。最后概括了近年来QWIPFPA技术的研究进展与应用。
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关键词
红外成像系统
长
波长
红外
探测器
多量子阱
焦平面
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职称材料
题名
Si基长波长GeSiHPT探测器的研制
1
作者
毛容伟
李成
成步文
黄昌俊
左玉华
李传波
罗丽萍
滕学恭
余金中
王启明
机构
中科院半导体所集成光电子学国家重点实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第0Z2期155-159,共5页
文摘
随着波分复用技术的发展，成本低廉，易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构，吸收系数小，SiGe探测器的应用受到限制。由于（heterojunction phototransistor异质结光敏晶体管）HPT具有内部增益，SiGeHPT有望得到广泛应用。本文在国内首次报道了利用自己研制的UHV-CVD生长的SiGeHPT。在该结衍射和TEM进行表征，并且制作了原型器件，器件的光电流谱表明器件在5V偏压下在1.3μm波段响应度达1mA/W，光增益约为10。同时我们设计了SOR上面的RCEHPT，并进行光电响应模拟，模拟表明RCE HPT的量子效率可达8%，增加吸收区材料Ge组分到0.5，量子效率可提高到30%，半高度为1.5nm，适应光通讯的要求。
关键词
硅基微电子集成电路
异质结光敏晶体管
GeSiHPT
探测器
长波长探测器
锗化硅
半导体光电
探测器
光通信
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
TN929.1 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
长波长多量子阱红外焦平面成像技术及其应用
2
作者
陈筱倩
机构
华中科技大学电子与信息工程系
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2001年第6期30-32,共3页
文摘
介绍了长波长多量子阱焦平面红外热成像的发展概况。论述了多量子阱焦平面阵列的主要结构 :超晶格多量子阱红外探测器及读出电路。分析了它们的结构特点及工作原理。文中就QWIPFPA的主要性能进行了讨论。最后概括了近年来QWIPFPA技术的研究进展与应用。
关键词
红外成像系统
长
波长
红外
探测器
多量子阱
焦平面
Keywords
Infrared imaging system
Long wavelength infrared(LWIR) photodetectors
Multiple quantum well
Focal plane array
Quantum well infrared photodetector(QWIP)
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si基长波长GeSiHPT探测器的研制
毛容伟
李成
成步文
黄昌俊
左玉华
李传波
罗丽萍
滕学恭
余金中
王启明
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
在线阅读
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职称材料
2
长波长多量子阱红外焦平面成像技术及其应用
陈筱倩
《红外技术》
CSCD
北大核心
2001
0
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职称材料
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