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CdTe/ZnS复合钝化层对长波碲镉汞器件性能的影响研究被引量：6: 1; 作者李雄军韩福忠 +8 位作者李东升李立华胡彦博孔金丞赵俊秦强朱颖峰庄继胜姬荣斌《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第9期59-65,共7页; 采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化,并对钝化膜生长工艺进行了改进。采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二极管器件,并进行了SEM、C-V和I-V表征分析,研究了HgCdTe/钝化层之间的界面特性及其对器件性能的影响。结... 展开更多; 关键词长波碲镉汞表面钝化 SEM C—V I-V; 在线阅读下载PDF 职称材料

长波碲镉汞变面积二极管器件被引量：2: 2; 作者李雄军韩福忠 +7 位作者李东升李立华胡彦博孔金丞赵俊朱颖峰庄继胜姬荣斌《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期412-417,共6页; 采用不同钝化工艺制备了一系列具有不同P/A比的变面积光电二极管器件.在77147 K温度范围对器件R0A和1 000/T关系进行了分析,结果表明在该温度区间器件暗电流主要以扩散电流占主导.对器件的R0A分布进行了研究,77 K下HgCdTe薄膜内的体缺... 展开更多; 关键词长波碲镉汞变面积二极管表面钝化 R0A P/A; 在线阅读下载PDF 职称材料

长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究: 3; 作者林占文韩福忠 +5 位作者耿松李雄军史琪王海澎王向前蒋俊《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第7期668-672,711,共6页; 本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜(AFM)、低温探针台系统和焦平面测试系统对HgCdTe材料表面微观形貌及相关器件的电学特性进行了表征分析,结果表... 展开更多; 关键词长波碲镉汞氢化处理 AFM 界面电学特性 I-V 焦平面器件测试; 在线阅读下载PDF 职称材料

光刻工艺对大面阵长波碲镉汞芯片性能的影响: 4; 作者张轶牛峻峰 +3 位作者龚志红刘世光吴卿王成刚《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期202-205,共4页; 通过分析器件工艺对大面阵长波碲镉汞芯片性能的影响,发现光刻工艺非均匀性累积进而显著影响碲镉汞芯片性能的现象。应用Matlab仿真计算,定量分析了碲镉汞材料片表面凸点对不同线宽光刻工艺非均匀性的影响,提出了降低光刻工艺非均匀性... 展开更多; 关键词长波碲镉汞接触式光刻光刻工艺非均匀性 MATLAB仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

长波红外碲镉汞探测器被引量：2: 5; 作者梁晋穗《红外》 CAS 2003年第6期1-8,共8页; 1 引言红外辐射最早是1800年英国的天文学家赫谢耳(W.Herschel)在研究太阳光谱的热效应时,用水银温度计测量各种颜色光的加热效果而发现的.; 关键词长波红外碲镉汞探测器红外辐射红外焦平面阵列器件红外探测器光电探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于栅控二极管研究碲镉汞器件表面效应被引量：1: 6; 作者李雄军韩福忠 +7 位作者李东升李立华胡彦博孔金丞赵俊朱颖峰庄继胜姬荣斌《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期295-301,共7页; 采用不同工艺生长了CdTe/ZnS复合钝化层,制备了相应的长波HgCdTe栅控二极管器件并进行了不同条件下I-V测试分析.结果表明,标准工艺制备的器件界面存在较高面密度极性为正的固定电荷,在较高的反偏下形成较大的表面沟道漏电流,对器件性能... 展开更多; 关键词长波碲镉汞表面钝化栅控二极管 I-V R0A; 在线阅读下载PDF 职称材料

采用叠盖电极的高级长波60元光导探测器被引量：2: 7; 作者赵鹏杨文运 +3 位作者程进江军康蓉朱惜辰《红外技术》 CSCD 北大核心 2001年第1期11-14,共4页; 介绍一种采用叠盖电极制备高级长波 6 0元探测器的方法 ,并进行了较深入的实验 ,证明此方法是一种行之有效的提高光导探测器的技术。并在此基础上 ,确定了器件的最佳工作条件 ,而且证明应用有叠盖电极的器件是有方向性的。; 关键词叠盖电极光导探测器长波多元光导碲镉汞; 在线阅读下载PDF 职称材料

CdTe钝化膜溅射功率对HgCdTe器件性能的影响研究被引量：1: 8; 作者林占文韩福忠 +5 位作者李雄军耿松史琪胡彦博杨超伟林阳《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第8期733-738,共6页; 采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-V测试,研究了溅射功率对CdTe钝化膜和器件性能的影响。结果表明,CdTe钝化膜溅射功率由140 W升高到180 W后... 展开更多; 关键词长波碲镉汞溅射功率 CdTe钝化膜界面电学特性 I-V C-V; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CdTe/ZnS复合钝化层对长波碲镉汞器件性能的影响研究被引量：6: 1; 作者李雄军韩福忠李东升李立华胡彦博孔金丞赵俊秦强朱颖峰庄继胜姬荣斌; 机构昆明物理研究所; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第9期59-65,共7页; 基金国防973项目(613230) 云南省创新团队计划(2014HC020); 文摘采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化,并对钝化膜生长工艺进行了改进。采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二极管器件,并进行了SEM、C-V和I-V表征分析,研究了HgCdTe/钝化层之间的界面特性及其对器件性能的影响。结果表明,钝化工艺改进后所生长的CdTe薄膜更为致密且无大的孔洞,Cd Te/HgCdTe界面晶格结构有序度获得改善;采用改进的钝化工艺制备的MIS器件C-V测试曲线呈现高频特性,界面固定电荷面密度从改进前的1.67×1011cm^(-2)下降至5.69×1010 cm^(-2);采用常规钝化工艺制备的二极管器件在较高反向偏压下出现较大的表面沟道漏电流,新工艺制备的器件表面漏电现象获得了有效抑制。; 关键词长波碲镉汞表面钝化 SEM C—V I-V; Keywords LW HgCdTe surface passivation SEM C-V I-V; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名长波碲镉汞变面积二极管器件被引量：2: 2; 作者李雄军韩福忠李东升李立华胡彦博孔金丞赵俊朱颖峰庄继胜姬荣斌; 机构昆明物理研究所; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期412-417,共6页; 基金国防973项目(613230) 云南省创新团队计划(2014HC020)~~; 文摘采用不同钝化工艺制备了一系列具有不同P/A比的变面积光电二极管器件.在77147 K温度范围对器件R0A和1 000/T关系进行了分析,结果表明在该温度区间器件暗电流主要以扩散电流占主导.对器件的R0A分布进行了研究,77 K下HgCdTe薄膜内的体缺陷及非均匀性对器件性能产生了重要的影响;127 K下由于体扩散电流增加,缺陷对器件的作用显著弱化.77 K和127 K下器件R0A随P/A比增大而减小,表明表面效应对器件具有重要的影响.基于Vishnu Gopal模型对器件1/R0A值和P/A关系进行了拟合分析,证实了器件存在较大的表面漏电现象,且通过表面钝化工艺的改进,有效减小了表面效应对器件性能的影响.; 关键词长波碲镉汞变面积二极管表面钝化 R0A P/A; Keywords LW HgCdTe, variable-area diode, surface passivation, RoA, P/A; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究: 3; 作者林占文韩福忠耿松李雄军史琪王海澎王向前蒋俊; 机构昆明物理研究所; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第7期668-672,711,共6页; 文摘本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜(AFM)、低温探针台系统和焦平面测试系统对HgCdTe材料表面微观形貌及相关器件的电学特性进行了表征分析,结果表明:对长波HgCdTe材料表面进行氢化处理能有效降低MIS器件的界面态、改善二极管器件性能,同时能够增大焦平面器件的信号响应度、减小盲元率。该研究对改善长波HgCdTe/钝化层的界面态以及提高长波HgCdTe器件性能提供了依据。; 关键词长波碲镉汞氢化处理 AFM 界面电学特性 I-V 焦平面器件测试; Keywords long wavelength HgCdTe hydrogenation AFM interface electrical characteristic I-V focal plane device test; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光刻工艺对大面阵长波碲镉汞芯片性能的影响: 4; 作者张轶牛峻峰龚志红刘世光吴卿王成刚; 机构华北光电技术研究所空军装备部驻北京地区第七军事代表室; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期202-205,共4页; 文摘通过分析器件工艺对大面阵长波碲镉汞芯片性能的影响,发现光刻工艺非均匀性累积进而显著影响碲镉汞芯片性能的现象。应用Matlab仿真计算,定量分析了碲镉汞材料片表面凸点对不同线宽光刻工艺非均匀性的影响,提出了降低光刻工艺非均匀性累积的方法和高质量光刻工艺对碲镉汞材料平坦度的具体要求。; 关键词长波碲镉汞接触式光刻光刻工艺非均匀性 MATLAB仿真; Keywords long-wavelength HgCdTe contact lithography non-uniformity of lithography process Matlab simulation; 分类号 TN214 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名长波红外碲镉汞探测器被引量：2: 5; 作者梁晋穗; 机构中国科学院上海技术物理研究所; 出处《红外》 CAS 2003年第6期1-8,共8页; 文摘 1 引言红外辐射最早是1800年英国的天文学家赫谢耳(W.Herschel)在研究太阳光谱的热效应时,用水银温度计测量各种颜色光的加热效果而发现的.; 关键词长波红外碲镉汞探测器红外辐射红外焦平面阵列器件红外探测器光电探测器; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学] TN362 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于栅控二极管研究碲镉汞器件表面效应被引量：1: 6; 作者李雄军韩福忠李东升李立华胡彦博孔金丞赵俊朱颖峰庄继胜姬荣斌; 机构昆明物理研究所; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期295-301,共7页; 基金国防973项目(613230) 云南省创新团队计划(2014HC020)~~; 文摘采用不同工艺生长了CdTe/ZnS复合钝化层,制备了相应的长波HgCdTe栅控二极管器件并进行了不同条件下I-V测试分析.结果表明,标准工艺制备的器件界面存在较高面密度极性为正的固定电荷,在较高的反偏下形成较大的表面沟道漏电流,对器件性能具有重要的影响.通过钝化膜生长工艺的改进有效减小了器件界面固定电荷面密度,使HgCdTe表面从弱反型状态逐渐向平带状态转变,表面效应得到有效抑制,器件反向特性获得显著改善.此外,基于最优的工艺条件制备的器件界面态陷阱数量得到大幅降低,器件稳定性增强;同时器件R_0A随栅压未发生明显地变化.; 关键词长波碲镉汞表面钝化栅控二极管 I-V R0A; Keywords LW HgCdTe, surface passivation, gate-controlled diode, I-V,RoA; 分类号 O475 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名采用叠盖电极的高级长波60元光导探测器被引量：2: 7; 作者赵鹏杨文运程进江军康蓉朱惜辰; 机构昆明物理研究所; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2001年第1期11-14,共4页; 文摘介绍一种采用叠盖电极制备高级长波 6 0元探测器的方法 ,并进行了较深入的实验 ,证明此方法是一种行之有效的提高光导探测器的技术。并在此基础上 ,确定了器件的最佳工作条件 ,而且证明应用有叠盖电极的器件是有方向性的。; 关键词叠盖电极光导探测器长波多元光导碲镉汞; Keywords Overlap contacts Advanced LWIR detectors; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CdTe钝化膜溅射功率对HgCdTe器件性能的影响研究被引量：1: 8; 作者林占文韩福忠李雄军耿松史琪胡彦博杨超伟林阳; 机构昆明物理研究所; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第8期733-738,共6页; 文摘采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-V测试,研究了溅射功率对CdTe钝化膜和器件性能的影响。结果表明,CdTe钝化膜溅射功率由140 W升高到180 W后,沉积速率显著增加,由3.5 nm/min增加到了9.5 nm/min;HgCdTe/钝化层界面固定电荷面密度增大,由2.43×10^(11) cm^(—2)增大到了2.83×10^(11) cm^(—2);慢界面态密度也随溅射功率的增加而增大。; 关键词长波碲镉汞溅射功率 CdTe钝化膜界面电学特性 I-V C-V; Keywords long wavelength HgCdTe sputtering power CdTe passivation film I-V C-V; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	CdTe/ZnS复合钝化层对长波碲镉汞器件性能的影响研究	李雄军韩福忠李东升李立华胡彦博孔金丞赵俊秦强朱颖峰庄继胜姬荣斌	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2016	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	长波碲镉汞变面积二极管器件	李雄军韩福忠李东升李立华胡彦博孔金丞赵俊朱颖峰庄继胜姬荣斌	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2016	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究	林占文韩福忠耿松李雄军史琪王海澎王向前蒋俊	《红外技术》 CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	光刻工艺对大面阵长波碲镉汞芯片性能的影响	张轶牛峻峰龚志红刘世光吴卿王成刚	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	长波红外碲镉汞探测器	梁晋穗	《红外》 CAS	2003	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基于栅控二极管研究碲镉汞器件表面效应	李雄军韩福忠李东升李立华胡彦博孔金丞赵俊朱颖峰庄继胜姬荣斌	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	采用叠盖电极的高级长波60元光导探测器	赵鹏杨文运程进江军康蓉朱惜辰	《红外技术》 CSCD 北大核心	2001	2	在线阅读下载PDF 职称材料
8	CdTe钝化膜溅射功率对HgCdTe器件性能的影响研究	林占文韩福忠李雄军耿松史琪胡彦博杨超伟林阳	《红外技术》 CSCD 北大核心	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料