期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
GaInP_2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长
被引量：
4
1
作者
李辉
汪韬
+2 位作者
李宝霞
赛晓峰
高鸿楷
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期209-212,共4页
本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 ...
本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 η=1 3 .6% ,开路电压 Voc=2 2 3 0 m V,短路电流密度 Jsc=1 2 .6m A/ cm2 .
展开更多
关键词
LP-MOCVD
CaInP2/GaAs/Ge
叠层太阳电池
外延生长
镓铟磷化合物
砷化镓
锗
在线阅读
下载PDF
职称材料
无序和有序GaInP_2的光致发光谱
被引量：
4
2
作者
吕毅军
俞容文
郑健生
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期362-365,共4页
对无序和有序ＧａＩｎＰ２样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量．无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构，在不同温度区有不同的激活能．有序样品则表现为双峰结构，其中高能端发光峰强度随温度升高先增强而后热...
对无序和有序ＧａＩｎＰ２样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量．无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构，在不同温度区有不同的激活能．有序样品则表现为双峰结构，其中高能端发光峰强度随温度升高先增强而后热猝灭．
展开更多
关键词
有序
无序
半导体
光致发光谱
镓铟磷化合物
在线阅读
下载PDF
职称材料
红色AlGaInP激光器的特性及热特性分析
3
作者
郭伟玲
廉鹏
+5 位作者
丁颖
李建军
崔碧峰
刘莹
邹德恕
沈光地
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期423-425,共3页
设计和制备了λ=680 nm的红色AlGaInP/GaInP应变量子阱激光器.制得的未镀膜20μm脊型条形红色激光器的输出功率达到100 mW,斜率效率0.56W/A,垂直和平行远场发散角分别为31°和9°.未镀膜4μm深腐蚀器件的功率可达10 mW,斜率效率...
设计和制备了λ=680 nm的红色AlGaInP/GaInP应变量子阱激光器.制得的未镀膜20μm脊型条形红色激光器的输出功率达到100 mW,斜率效率0.56W/A,垂直和平行远场发散角分别为31°和9°.未镀膜4μm深腐蚀器件的功率可达10 mW,斜率效率为 0.4 W/A,峰值波长为681 nm,峰值半宽为0.5nm.不同腔长器件的特性显示器件的内损耗为4.27/cm,内量子效率达45％.对不同腔长的器件进行了变温测试,得到器件的特征温度为120～190 K.
展开更多
关键词
红色AlGaInP激光器
热特性
半导体激光器
铝
镓铟磷化合物
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
GaInP_2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长
被引量：
4
1
作者
李辉
汪韬
李宝霞
赛晓峰
高鸿楷
机构
中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期209-212,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目
文摘
本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 η=1 3 .6% ,开路电压 Voc=2 2 3 0 m V,短路电流密度 Jsc=1 2 .6m A/ cm2 .
关键词
LP-MOCVD
CaInP2/GaAs/Ge
叠层太阳电池
外延生长
镓铟磷化合物
砷化镓
锗
Keywords
LP-MOCVD
GaInP2/GaAs/Ge
Tandem solar cell
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
TN304.205 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
无序和有序GaInP_2的光致发光谱
被引量：
4
2
作者
吕毅军
俞容文
郑健生
机构
厦门大学物理学系
出处
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期362-365,共4页
基金
国家自然科学基金
中科院上海技术物理所开放课题
文摘
对无序和有序ＧａＩｎＰ２样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量．无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构，在不同温度区有不同的激活能．有序样品则表现为双峰结构，其中高能端发光峰强度随温度升高先增强而后热猝灭．
关键词
有序
无序
半导体
光致发光谱
镓铟磷化合物
Keywords
Photoluminescence, Ordered, Disordered, Ⅲ V semiconductor
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
O472.3 [理学—半导体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
红色AlGaInP激光器的特性及热特性分析
3
作者
郭伟玲
廉鹏
丁颖
李建军
崔碧峰
刘莹
邹德恕
沈光地
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期423-425,共3页
基金
国家973基金资助项目(20000683-02)
国家自然科学基金资助项目(6007004)
北京市自然科学基金资助项目(4002003).
文摘
设计和制备了λ=680 nm的红色AlGaInP/GaInP应变量子阱激光器.制得的未镀膜20μm脊型条形红色激光器的输出功率达到100 mW,斜率效率0.56W/A,垂直和平行远场发散角分别为31°和9°.未镀膜4μm深腐蚀器件的功率可达10 mW,斜率效率为 0.4 W/A,峰值波长为681 nm,峰值半宽为0.5nm.不同腔长器件的特性显示器件的内损耗为4.27/cm,内量子效率达45％.对不同腔长的器件进行了变温测试,得到器件的特征温度为120～190 K.
关键词
红色AlGaInP激光器
热特性
半导体激光器
铝
镓铟磷化合物
Keywords
AlGaInP
laser device
thermal property
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaInP_2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长
李辉
汪韬
李宝霞
赛晓峰
高鸿楷
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
无序和有序GaInP_2的光致发光谱
吕毅军
俞容文
郑健生
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1999
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
红色AlGaInP激光器的特性及热特性分析
郭伟玲
廉鹏
丁颖
李建军
崔碧峰
刘莹
邹德恕
沈光地
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
