采用配有 dc- N plasma N源的分子束外延 (MBE)技术在 Ga As衬底上生长制作了工作波长为 1 ,3 μm的 Ga In NAs量子阱 RCE探测器 .采用传输矩阵法对器件结构进行优化 .吸收区由三个 Ga In NAs量子阱构成 ,并用湿法刻蚀和聚酰亚胺对器件...采用配有 dc- N plasma N源的分子束外延 (MBE)技术在 Ga As衬底上生长制作了工作波长为 1 ,3 μm的 Ga In NAs量子阱 RCE探测器 .采用传输矩阵法对器件结构进行优化 .吸收区由三个 Ga In NAs量子阱构成 ,并用湿法刻蚀和聚酰亚胺对器件进行隔离 .在零偏压下 ,器件最大的量子效率为 1 2 %,半峰值全宽 (FWHM)为 5 .8nm,3 d B带宽为 3 0 MHz,暗电流为 2× 1 0 - 11A.通过对 MBE生长条件和器件结构的优化 ,将进一步提高该器件的性能 .展开更多
基金Major State Basic Research Program under Grant No.G2 0 0 0 0 36 6 0 3theNational Natural Science Foundation of China under Grant Nos.6 9896 2 6 0 +1 种基金6 99880 0 5 6 9976 0 0 7and6 978980 2
文摘采用配有 dc- N plasma N源的分子束外延 (MBE)技术在 Ga As衬底上生长制作了工作波长为 1 ,3 μm的 Ga In NAs量子阱 RCE探测器 .采用传输矩阵法对器件结构进行优化 .吸收区由三个 Ga In NAs量子阱构成 ,并用湿法刻蚀和聚酰亚胺对器件进行隔离 .在零偏压下 ,器件最大的量子效率为 1 2 %,半峰值全宽 (FWHM)为 5 .8nm,3 d B带宽为 3 0 MHz,暗电流为 2× 1 0 - 11A.通过对 MBE生长条件和器件结构的优化 ,将进一步提高该器件的性能 .
