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钛合金的银脆、镉脆敏感性及其控制
被引量：
9
1
作者
刘道新
马宗耀
+1 位作者
何家文
黄淑菊
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第8期20-23,27,共5页
利用慢应变速率拉伸技术（ＳＳＲＴ），并结合恒载实验，较全面地研究了Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金的银脆行为、固态与液态镉脆行为，确定了应变速率、接触条件、热处理制度、试样取向、温度等因素对Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金银脆与镉脆敏感...
利用慢应变速率拉伸技术（ＳＳＲＴ），并结合恒载实验，较全面地研究了Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金的银脆行为、固态与液态镉脆行为，确定了应变速率、接触条件、热处理制度、试样取向、温度等因素对Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金银脆与镉脆敏感性的影响，探讨了Ｎｉ阻挡层对控制Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金和ＴＣ１１合金银脆开裂的作用。
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关键词
钛合金
银脆
镉脆
镍阻挡层
慢速率拉伸
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职称材料
n型B_(i2)Te_(3)基材料表面处理对热电单元性能的影响
被引量：
2
2
作者
华思恒
杨东旺
+7 位作者
唐昊
袁雄
展若雨
徐卓明
吕嘉南
肖娅妮
鄢永高
唐新峰
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第2期163-169,共7页
Bi_(2)Te_(3)基微型热电器件的尺寸越小,界面结合强度及接触电阻对于器件力学性能、开路电压以及输出功率等的影响就越显著。因此开发成本低、工艺简单的热电单元制备技术,并使n型Bi_(2)Te_(3)基块体材料与阻挡层间的界面兼具低接触电...
Bi_(2)Te_(3)基微型热电器件的尺寸越小,界面结合强度及接触电阻对于器件力学性能、开路电压以及输出功率等的影响就越显著。因此开发成本低、工艺简单的热电单元制备技术,并使n型Bi_(2)Te_(3)基块体材料与阻挡层间的界面兼具低接触电阻、高结合强度具有重要意义。本工作将n型Bi_(2)Te_(3)基热电材料薄片在混合酸溶液(pH~3)中进行表面处理,随后进行化学镀Ni(5μm),再与Cu电极焊接制备得到热电单元。腐蚀后,n型Bi_(2)Te_(3)基热电材料表面大的沟壑与Ni阻挡层间形成锚固效应,腐蚀6 min的材料结合强度高达15.88 MPa。大沟壑表面进一步腐蚀后出现的精细分支与Ni阻挡层间形成纳米孔洞,显著增大了界面接触电阻,腐蚀2 min的材料达到2.23Ω·cm^(2)。最终,腐蚀4 min后镀Ni的n型Bi_(2)Te_(3)基热电片材与p型Bi_(2)Te_(3)基热电片材制备的微型热电器件在20 K温差(高温端306 K,低温端286 K)下的输出功率高达3.43 mW,相较于商用电镀镀层制备的同尺寸器件提升了31.92%。本工作将为微型热电器件的性能优化提供支撑。
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关键词
Bi_(2)Te_(3)
界面结合强度
界面接触电阻
镍阻挡层
微型热电器件
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职称材料
题名
钛合金的银脆、镉脆敏感性及其控制
被引量：
9
1
作者
刘道新
马宗耀
何家文
黄淑菊
机构
西北工业大学
西安交通大学
出处
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第8期20-23,27,共5页
文摘
利用慢应变速率拉伸技术（ＳＳＲＴ），并结合恒载实验，较全面地研究了Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金的银脆行为、固态与液态镉脆行为，确定了应变速率、接触条件、热处理制度、试样取向、温度等因素对Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金银脆与镉脆敏感性的影响，探讨了Ｎｉ阻挡层对控制Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金和ＴＣ１１合金银脆开裂的作用。
关键词
钛合金
银脆
镉脆
镍阻挡层
慢速率拉伸
Keywords
titanium alloy silver embrittlement cadmium embrittlement nickel barrier slow strain rate test
分类号
TG146.23 [金属学及工艺—金属材料]
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职称材料
题名
n型B_(i2)Te_(3)基材料表面处理对热电单元性能的影响
被引量：
2
2
作者
华思恒
杨东旺
唐昊
袁雄
展若雨
徐卓明
吕嘉南
肖娅妮
鄢永高
唐新峰
机构
武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第2期163-169,共7页
基金
国家重点研究计划(2019YFA0704900)。
文摘
Bi_(2)Te_(3)基微型热电器件的尺寸越小,界面结合强度及接触电阻对于器件力学性能、开路电压以及输出功率等的影响就越显著。因此开发成本低、工艺简单的热电单元制备技术,并使n型Bi_(2)Te_(3)基块体材料与阻挡层间的界面兼具低接触电阻、高结合强度具有重要意义。本工作将n型Bi_(2)Te_(3)基热电材料薄片在混合酸溶液(pH~3)中进行表面处理,随后进行化学镀Ni(5μm),再与Cu电极焊接制备得到热电单元。腐蚀后,n型Bi_(2)Te_(3)基热电材料表面大的沟壑与Ni阻挡层间形成锚固效应,腐蚀6 min的材料结合强度高达15.88 MPa。大沟壑表面进一步腐蚀后出现的精细分支与Ni阻挡层间形成纳米孔洞,显著增大了界面接触电阻,腐蚀2 min的材料达到2.23Ω·cm^(2)。最终,腐蚀4 min后镀Ni的n型Bi_(2)Te_(3)基热电片材与p型Bi_(2)Te_(3)基热电片材制备的微型热电器件在20 K温差(高温端306 K,低温端286 K)下的输出功率高达3.43 mW,相较于商用电镀镀层制备的同尺寸器件提升了31.92%。本工作将为微型热电器件的性能优化提供支撑。
关键词
Bi_(2)Te_(3)
界面结合强度
界面接触电阻
镍阻挡层
微型热电器件
Keywords
Bi_(2)Te_(3)
interface bonding strength
interface contact resistance
Ni barrier layer
micro thermoelectric device
分类号
TQ174 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
钛合金的银脆、镉脆敏感性及其控制
刘道新
马宗耀
何家文
黄淑菊
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
9
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职称材料
2
n型B_(i2)Te_(3)基材料表面处理对热电单元性能的影响
华思恒
杨东旺
唐昊
袁雄
展若雨
徐卓明
吕嘉南
肖娅妮
鄢永高
唐新峰
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
2
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职称材料
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