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Ni金属诱导多晶硅薄膜的低温制备与性能研究 被引量:3
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作者 刘传珍 杨伯梁 +6 位作者 李牧菊 吴渊 张玉 廖燕平 王大海 黄锡珉 邱法斌 《吉林大学自然科学学报》 CSCD 2000年第3期45-48,共4页
利用 Ni金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法制备 p- Si薄膜 .XRD,Raman光谱研究结果表明 ,a- Si/ Ni经 440℃ 2 h以上退火处理后 ,形成多晶相结构 .用 SEM,XPS等分析手段对薄膜的结构进行分析 ,并对金属
关键词 硅薄膜 低温制备 退火 镍金属诱导晶化
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