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金属化温度对掺锰铬陶瓷封接性能影响的研究
被引量：
1
1
作者
伍智
杨卫英
+2 位作者
李蓉
曾敏
邹桂娟
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第F11期332-334,共3页
研究了金属化烧结温度对掺锰铬陶瓷的封接性能的影响，初步分析了其影响原因与机理。结果表明：掺锰铬高氧化铝陶瓷对于MoMnSi配方的金属化反应活性高，1300℃是其最佳金属化温度，温度降低和升高都会导致封接性能降低。在最佳温度，金...
研究了金属化烧结温度对掺锰铬陶瓷的封接性能的影响，初步分析了其影响原因与机理。结果表明：掺锰铬高氧化铝陶瓷对于MoMnSi配方的金属化反应活性高，1300℃是其最佳金属化温度，温度降低和升高都会导致封接性能降低。在最佳温度，金属化层烧结致密，金属化层与陶瓷间形成了主要由锰尖晶石（MnO·Al2O3）和少量硅氧化物构成的过渡层结构，从而将金属化层与陶瓷有效地连接在一起。温度升高使金属化层过度收缩会形成大量孔洞，元素氧化加剧，不利于过渡层的形成，导致封接性能大大降低。
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关键词
锰铬陶瓷
金属化温度
封接性能
影响
机理
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职称材料
题名
金属化温度对掺锰铬陶瓷封接性能影响的研究
被引量：
1
1
作者
伍智
杨卫英
李蓉
曾敏
邹桂娟
机构
中物院电子工程研究所
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第F11期332-334,共3页
基金
中物院电子工程研究所创新基金资助（项目编号S20050803）
文摘
研究了金属化烧结温度对掺锰铬陶瓷的封接性能的影响，初步分析了其影响原因与机理。结果表明：掺锰铬高氧化铝陶瓷对于MoMnSi配方的金属化反应活性高，1300℃是其最佳金属化温度，温度降低和升高都会导致封接性能降低。在最佳温度，金属化层烧结致密，金属化层与陶瓷间形成了主要由锰尖晶石（MnO·Al2O3）和少量硅氧化物构成的过渡层结构，从而将金属化层与陶瓷有效地连接在一起。温度升高使金属化层过度收缩会形成大量孔洞，元素氧化加剧，不利于过渡层的形成，导致封接性能大大降低。
关键词
锰铬陶瓷
金属化温度
封接性能
影响
机理
Keywords
ceramics dope with Mn and Cr, metalization temperature, seal properties, effect, mechanism
分类号
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
TN606 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金属化温度对掺锰铬陶瓷封接性能影响的研究
伍智
杨卫英
李蓉
曾敏
邹桂娟
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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