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铌锰锆钛酸铅压电陶瓷烧结行为的研究被引量：3: 1; 作者李宝山朱志刚 +2 位作者李国荣殷庆瑞丁爱丽《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期993-999,共7页; 运用XRD、SEM、TEM、XPS等实验手段,研究了烧结温度对0.05PMnN-0.95PZT (PMnN—PZT)压电陶瓷微观结构、压电性能及锰元素价态的影响.实验结果显示:随烧结温度的降低平均晶粒尺寸减小,四方度也随之减小;机电耦合系数(kp)随烧结温度的升... 展开更多; 关键词铌锰锆钛酸铅烧结温度锰价态氧空位; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅基(001)取向Pb(Mn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的制备及其铁电性能研究被引量：1: 2; 作者张程浩狄杰建 +4 位作者谭培培李明勇赵全亮谭晓兰王大伟《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期2056-2060,共5页; 采用磁控溅射法在LaNiO_3/Si衬底上制备了6%Pb(Mn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-94%Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PMnN-PZT)铁电薄膜,对其微结构和铁电特性进行了研究。结果表明,该铁电薄膜呈(001)高度择优取向,取向度高达98%。经过10^(10)次铁电循... 展开更多; 关键词锰铌锆钛酸铅镍酸镧铁电性能磁控溅射; 在线阅读下载PDF 职称材料

MgO掺杂对PMMN四元系压电陶瓷结构与性能的影响被引量：2: 3; 作者蒋红霞周桃生 +2 位作者彭绯尚勋忠余祖高《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期356-359,共4页; 采用固相烧结法制备添加过量MgO的铌镁-铌锰-锆钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料,研究了不同MgO掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响。实验结果表明,适量MgO掺杂,不仅不改变PMMN压电陶瓷的钙钛矿相结构,且能提高合成粉体的晶化程度,降... 展开更多; 关键词压电陶瓷铌镁-铌锰-锆钛酸铅 MgO掺杂压电介电性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

成型工艺对PMN-PMS-PZT热释电陶瓷性能的影响: 4; 作者卢琳刘耀平 +1 位作者王立平姜胜林《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期422-424,共3页; 采用干压、冷等静压和凝胶注模等不同成型工艺制备铌锰酸铅-锑锰酸铅-锆钛酸铅（PMN—PMS-PZT）陶瓷，并进行对比研究。实验结果表明，冷等静压成型的陶瓷综合性能较好，其具有均匀紧凑的晶粒结构，可得到较高的成瓷密度；使材料的介电... 展开更多; 关键词铌锰酸铅-锑锰酸铅-锆钛酸铅(PMN—PMS-PZT) 成型工艺介电性能热释电性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名铌锰锆钛酸铅压电陶瓷烧结行为的研究被引量：3: 1; 作者李宝山朱志刚李国荣殷庆瑞丁爱丽; 机构中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期993-999,共7页; 基金国家863项目(2001AA325030); 文摘运用XRD、SEM、TEM、XPS等实验手段,研究了烧结温度对0.05PMnN-0.95PZT (PMnN—PZT)压电陶瓷微观结构、压电性能及锰元素价态的影响.实验结果显示:随烧结温度的降低平均晶粒尺寸减小,四方度也随之减小;机电耦合系数(kp)随烧结温度的升高而提高, 而机械品质因子(Qm)却呈波浪状变化. XPS及TEM实验分析证明:PMnN—PZT陶瓷在烧结过程中出现明显的液相烧结和成分偏离,低温烧结诱导了Mn2+的出现,产生更多的氧空位,从而使低温烧结下的样品Qm值不致降低.; 关键词铌锰锆钛酸铅烧结温度锰价态氧空位; Keywords PMnN-PZT sintering temperature valency of Mn oxygen vacancies; 分类号 TQ174 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅基(001)取向Pb(Mn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的制备及其铁电性能研究被引量：1: 2; 作者张程浩狄杰建谭培培李明勇赵全亮谭晓兰王大伟; 机构北方工业大学机械与材料工程学院; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期2056-2060,共5页; 基金国家自然科学基金(51305005 51402005 +1 种基金 51375017) 北京市自然科学基金委员会-北京市科学技术研究院联合资助项目(16L00001); 文摘采用磁控溅射法在LaNiO_3/Si衬底上制备了6%Pb(Mn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-94%Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PMnN-PZT)铁电薄膜,对其微结构和铁电特性进行了研究。结果表明,该铁电薄膜呈(001)高度择优取向,取向度高达98%。经过10^(10)次铁电循环测试,铁电薄膜无疲劳现象;在10~4s时间内,薄膜的铁电保持和印记特性稳定,无明显退化。该结果说明LaNiO_3氧化物电极会降低PMnN-PZT薄膜的氧空位浓度,有效地缓解了电荷注入的问题,因此改善了PMnN-PZT薄膜的铁电性能。; 关键词锰铌锆钛酸铅镍酸镧铁电性能磁控溅射; Keywords PMnN-PZT LNO ferroelectric property magnetron sputtering; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MgO掺杂对PMMN四元系压电陶瓷结构与性能的影响被引量：2: 3; 作者蒋红霞周桃生彭绯尚勋忠余祖高; 机构湖北大学材料科学与工程学院铁电压电材料与器件湖北省重点实验室; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期356-359,共4页; 基金湖北省科技攻关资助项目(2004AA101C70) 湖北省教育厅重点资助项目(2004D009); 文摘采用固相烧结法制备添加过量MgO的铌镁-铌锰-锆钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料,研究了不同MgO掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响。实验结果表明,适量MgO掺杂,不仅不改变PMMN压电陶瓷的钙钛矿相结构,且能提高合成粉体的晶化程度,降低陶瓷的烧结温度,改善材料的压电介电性能。当MgO掺杂量为0.25%质量分数,1130℃烧结的样品性能参数为:d33=310 pC/N,Qm=1008,kp=0.61,tanδ=0.34%,ε33T/ε0=1494,是一种中温烧结功率型压电陶瓷材料,适用于多层压电变压器,超声马达等器件。; 关键词压电陶瓷铌镁-铌锰-锆钛酸铅 MgO掺杂压电介电性能; Keywords piezoelectric ceramics PMMN MgO doped piezoelectric and dielectric property; 分类号 TM282 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名成型工艺对PMN-PMS-PZT热释电陶瓷性能的影响: 4; 作者卢琳刘耀平王立平姜胜林; 机构华中科技大学电子科学与技术系; 出处《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期422-424,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(60777043); 文摘采用干压、冷等静压和凝胶注模等不同成型工艺制备铌锰酸铅-锑锰酸铅-锆钛酸铅（PMN—PMS-PZT）陶瓷，并进行对比研究。实验结果表明，冷等静压成型的陶瓷综合性能较好，其具有均匀紧凑的晶粒结构，可得到较高的成瓷密度；使材料的介电常数εr，和介电损耗tanδ降低，在保持较高热释电系数p的同时降低低温铁电三方相-高温铁电三方相（FRL—FRH）的相变温度，并使热释电系数峰值得到稳定。其最佳性能为室温时，εr=216，tanδ=0．20％，p=12．0×10^-4C／m^2·℃（持续温区为23-55℃），探测率优值FD=24．6×10^-5Pa^-1/2。; 关键词铌锰酸铅-锑锰酸铅-锆钛酸铅(PMN—PMS-PZT) 成型工艺介电性能热释电性能; Keywords PMN-PMS-PZT molding process dielectric properties pyroelectric properties; 分类号 TM282 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	铌锰锆钛酸铅压电陶瓷烧结行为的研究	李宝山朱志刚李国荣殷庆瑞丁爱丽	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2005	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	硅基(001)取向Pb(Mn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的制备及其铁电性能研究	张程浩狄杰建谭培培李明勇赵全亮谭晓兰王大伟	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	MgO掺杂对PMMN四元系压电陶瓷结构与性能的影响	蒋红霞周桃生彭绯尚勋忠余祖高	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	成型工艺对PMN-PMS-PZT热释电陶瓷性能的影响	卢琳刘耀平王立平姜胜林	《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料