脉冲激光沉积法制备抗近红外/紫外金属氧化物纳米薄膜

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作者 朱超 官文超 +1 位作者 龙华 曹远美 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3159-3161,共3页

用准分子脉冲激光沉积法(PLD)制备了一系列的锌、铁、钛、银、铝、硅、铜等的氧化物单层和多层薄膜,用AFM研究了薄膜的组成和结构;经紫外和红外光谱发现:抗紫外性能最好的是氧化锌,在190～380nm区间,其吸收率可达90%以上.抗近红外性能... 用准分子脉冲激光沉积法(PLD)制备了一系列的锌、铁、钛、银、铝、硅、铜等的氧化物单层和多层薄膜,用AFM研究了薄膜的组成和结构;经紫外和红外光谱发现:抗紫外性能最好的是氧化锌,在190～380nm区间,其吸收率可达90%以上.抗近红外性能最好的是氧化银薄膜,其次依次是氧化铁、氧化锌、氧化钛、氧化铝、氧化铜;多层薄膜中,含有氧化锌层的抗紫外效果最好;含有氧化银层的抗近红外性能效果最好.如氧化铁/氧化锌/氧化银薄膜,在190～380nm区间,其吸收率接近100%,近红外(780～2500nm)吸收率在70%以上,最高可达90%.在可见光区其透过率在80%左右. 展开更多

关键词 脉冲激光沉积法 金属氧化物 纳米薄膜 抗近红外/紫外性能

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脉冲激光沉积制备非晶La_(0.75)Sr_(0.25)MnO_3薄膜用于半透明阻变存储器（英文） 被引量：2

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作者 张佳旗 吴小峰 +3 位作者 马新育 袁龙 黄科科 冯守华 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2018年第4期784-790,共7页

用脉冲激光沉积方法制备非晶La_(0.75)Sr_(0.25)MnO_3(a-LSMO)薄膜作为阻变器件(Ag/a-LSMO/ITO)的中间层,所得器件具有良好的非易失性和双极阻变行为。ITO衬底及超薄a-LSMO薄膜具有很高的可见光透过率,从而可制备半透明阻变器件。通过... 用脉冲激光沉积方法制备非晶La_(0.75)Sr_(0.25)MnO_3(a-LSMO)薄膜作为阻变器件(Ag/a-LSMO/ITO)的中间层,所得器件具有良好的非易失性和双极阻变行为。ITO衬底及超薄a-LSMO薄膜具有很高的可见光透过率,从而可制备半透明阻变器件。通过高分辨透射电镜直接观测到了在银电极与ITO电极间的银导电细丝。器件的阻变特性归因于在非晶镧锶锰氧层中的银导电细丝的生长与断裂。 展开更多

关键词 阻变存储器 锰氧化物&脉冲激光沉积 钙钛矿

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靶基距对柔性基底上脉冲激光沉积透明导电薄膜的影响 被引量：3

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作者 李明 宓一鸣 +1 位作者 言智 季鑫 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期55-59,共5页

采用脉冲激光沉积法,控制靶基距分别为4,6,8cm,在聚乙烯对苯二甲酸酯基底上沉积铟锌氧化物、铟锡氧化物和铝掺杂氧化锌薄膜,研究了靶基距对薄膜电学、光学、形态和结构特性的影响。结果表明:采用6～8cm靶基距制备的TCO薄膜,在可见光范... 采用脉冲激光沉积法,控制靶基距分别为4,6,8cm,在聚乙烯对苯二甲酸酯基底上沉积铟锌氧化物、铟锡氧化物和铝掺杂氧化锌薄膜,研究了靶基距对薄膜电学、光学、形态和结构特性的影响。结果表明:采用6～8cm靶基距制备的TCO薄膜,在可见光范围内的光学透光率超过90%,电阻率约为5×10-4Ω.cm;除了这些优良的电学和光学特性外,靶基距8cm制备的薄膜均匀、光滑、附着好,且无裂缝或任何其它扩展的缺陷,适用于光电设备。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 柔性基底 透明导电氧化物 掺锡氧化铟 铝掺杂氧化锌 铟掺杂氧化锌

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脉冲激光沉积制备La_(0.62)Ca_(0.29)K_(0.09)MnO_3外延膜及其磁热性能

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作者 吴小峰 黄科科 +4 位作者 侯长民 葛磊 初学峰 王珊 冯守华 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期2063-2067,共5页

采用脉冲激光沉积法在单晶SrTiO3(STO)基底上制备了La0.62Ca0.29K0.09MnO3(LCKMO)薄膜,通过调控基底温度获得了平整致密的膜层.利用二维面探X射线衍射仪和高分辨透射电子显微镜对薄膜结构进行了表征.结果表明,薄膜呈高质量取向外延生长... 采用脉冲激光沉积法在单晶SrTiO3(STO)基底上制备了La0.62Ca0.29K0.09MnO3(LCKMO)薄膜,通过调控基底温度获得了平整致密的膜层.利用二维面探X射线衍射仪和高分辨透射电子显微镜对薄膜结构进行了表征.结果表明,薄膜呈高质量取向外延生长,对应关系为{001}LCKMO||{001}STO.对薄膜的磁热性能研究表明,5 T下最大磁熵变为3.45 J/(kg·K),相对制冷效率为379.5 J/kg,磁熵半峰宽为110 K. 展开更多

关键词 磁热效应 外延膜 脉冲激光沉积 锰酸盐

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反应激光脉冲沉积法制备CoO和Co_3O_4薄膜

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作者 季振国 吴家亮 +2 位作者 曹虹 席俊华 李红霞 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期670-673,共4页

利用反应脉冲激光沉积法,以金属钴为靶材,通过改变衬底温度、反应气体氧气的流量等工艺参数,先后在玻璃衬底上成功制备了CoO薄膜以及Co3O4薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见光吸收光谱(UV-Vis)研究了沉积工艺... 利用反应脉冲激光沉积法,以金属钴为靶材,通过改变衬底温度、反应气体氧气的流量等工艺参数,先后在玻璃衬底上成功制备了CoO薄膜以及Co3O4薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见光吸收光谱(UV-Vis)研究了沉积工艺参数对沉积薄膜的晶体结构和光学特性的影响。结果表明,当氧气流量小于15sccm时,沉积的薄膜为岩盐矿结构的CoO,而当氧气流量大于15sccm时,沉积的薄膜为尖晶石矿结构的Co3O4。通过对紫外-可见吸收光谱的数据分析,证明CoO和Co3O4薄膜均为间接能带结构,禁带宽度分别为0.82eV和1.21eV。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 钴氧化物 禁带宽度 光学性能

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脉冲激光沉积LiMn_2O_4薄膜的研究 被引量：6

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作者 杨海军 周鸣飞 +2 位作者 秦启宗 蔡润良 吴浩青 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第9期1462-1466,共5页

在氧气氛下采用３５５ｎｍ脉冲激光烧蚀制备了ＬｉＭｎ２Ｏ４薄膜，并用四极质谱和发光光谱技术考察了脉冲激光烧蚀过程及环境氧气对薄膜沉积过程的影响．质谱测定结果表明，３５５ｎｍ激光烧蚀ＬｉＭｎ２Ｏ４的产物主要有Ｌｉ＋、Ｍｎ... 在氧气氛下采用３５５ｎｍ脉冲激光烧蚀制备了ＬｉＭｎ２Ｏ４薄膜，并用四极质谱和发光光谱技术考察了脉冲激光烧蚀过程及环境氧气对薄膜沉积过程的影响．质谱测定结果表明，３５５ｎｍ激光烧蚀ＬｉＭｎ２Ｏ４的产物主要有Ｌｉ＋、Ｍｎ＋等离子和Ｏ２、Ｏ、ＬｉＯ２、ＬｉＭｎＯ、ＭｎＯ及锂原子的多聚体等中性产物．不同氧气压下测定的发光光谱表明烧蚀原子在环境氧气氛中存在氧化过程．用循环伏安法和Ｘ射线衍射法对薄膜进行了表征． 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 LIMN2O4 薄膜 烧蚀 锂锰氧化物

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透明导电InSnGaMo氧化物薄膜光电性能研究 被引量：1

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作者 刘振华 刘宝琴 +3 位作者 张春伟 王书昶 刘拥军 何军辉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期109-113,共5页

利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率极低的Ga,Mo共掺杂ITO基InSnGaMo复合氧化物薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明:衬底温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性... 利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率极低的Ga,Mo共掺杂ITO基InSnGaMo复合氧化物薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明:衬底温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性能均有很大影响。X射线衍射、扫描电镜和霍尔测试结果表明,随着衬底温度的升高,薄膜晶粒度增大,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高。当衬底温度为450℃时,InSnGaMo复合氧化物薄膜的电阻率最低为4.15×10-4Ω.cm,载流子浓度和迁移率最大分别为3×1020cm-3,45 cm2V-1s-1,在可见及近红外区平均透过率达92%,特别地,波长为362 nm时,最高透射率可达99%。 展开更多

关键词 InSnGaMo复合氧化物薄膜 透明导电薄膜 脉冲激光沉积 光电性能

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透明导电氧化物MgIn_2O_4的研究进展

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作者 张俊刚 夏长泰 +1 位作者 吴锋 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期444-449,共6页

透明导电氧化物(TCO)材料由于它的特殊性质,在平板显示器和太阳能电池等方面得到了广泛的应用。MgIn2O4作为一种新型的尖晶石结构的透明导电材料,也受到了研究人员的重视,成为近年来的研究热点,常用的MgIn2O4材料制备方法包括固相合成... 透明导电氧化物(TCO)材料由于它的特殊性质,在平板显示器和太阳能电池等方面得到了广泛的应用。MgIn2O4作为一种新型的尖晶石结构的透明导电材料,也受到了研究人员的重视,成为近年来的研究热点,常用的MgIn2O4材料制备方法包括固相合成、磁控溅射、脉冲激光沉积等,本文综合国外学者的一些研究成果,介绍了目前MgIn2O4材料的制备方法及其性能提高和应用。 展开更多

关键词 透明导电氧化物 MgIn2O4材料 磁控溅射 脉冲激光沉积

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PLD制备CuAlO_2薄膜的结构与性能研究 被引量：5

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作者 邹友生 汪海鹏 +1 位作者 张亦弛 嘉蓉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期925-930,共6页

通过固相反应烧结在高温下制备出高致密度的纯相CuAlO2陶瓷靶材。采用脉冲激光沉积技术在蓝宝石和石英衬底上制备了CuAlO2薄膜，为进一提高CuAlO2薄膜性能，对样品进行了退火处理。通过x射线衍射、扫描电镜、紫外．可见光分光光度计和... 通过固相反应烧结在高温下制备出高致密度的纯相CuAlO2陶瓷靶材。采用脉冲激光沉积技术在蓝宝石和石英衬底上制备了CuAlO2薄膜，为进一提高CuAlO2薄膜性能，对样品进行了退火处理。通过x射线衍射、扫描电镜、紫外．可见光分光光度计和霍尔效应检测仪对样品进行表征，研究了退火条件对薄膜结构、形貌、光学性能和电学性能的影响，并获得了最佳退火工艺参数：退火气氛为一个大气压下的氩气气氛，退火温度1000℃，退火时间30min。在最佳退火条件下，经过退火处理后的CuAl02薄膜在可见光下的光学透过率达70％-80％，带隙宽度3．5eV，电阻率16．67Ω·cm。 展开更多

关键词 p型导电氧化物 CuAlO2薄膜 脉冲激光沉积 退火处理

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ZnO/CdO复合薄膜的制备及其性能研究 被引量：4

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作者 郑必举 胡文 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期996-1000,共5页

通过脉冲激光沉积法首次制备了ZnO/CdO复合薄膜。采用X射线衍射、光致发光和电阻率测量分析了薄膜的结构、光学和电学性能。光致发光谱表明所有ZnO/CdO复合薄膜都具有相同的PL发光峰,保持了未掺杂ZnO的发光特性。同时,复合薄膜的电阻率... 通过脉冲激光沉积法首次制备了ZnO/CdO复合薄膜。采用X射线衍射、光致发光和电阻率测量分析了薄膜的结构、光学和电学性能。光致发光谱表明所有ZnO/CdO复合薄膜都具有相同的PL发光峰,保持了未掺杂ZnO的发光特性。同时,复合薄膜的电阻率大大地下降了几个数量级,接近了纯CdO薄膜的电阻率。这可以用Matthiessen公式来解释。与传统掺杂方法相比,制备的ZnO/CdO复合薄膜可同时具有ZnO的发光特性和CdO的电学特性,从而获得单一TCO材料所不具备的性能,满足某些特殊需求。 展开更多

关键词 薄膜 脉冲激光沉积 透明导电氧化物 光致发光

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铜铁矿基p-TCO材料的制备与物性研究 被引量：1

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作者 邓赞红 李达 +3 位作者 朱雪斌 陶汝华 董伟伟 方晓东 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期273-276,共4页

采用溶胶-凝胶法和高温固相反应法进行了铜铁矿结构单相CuBO2(B=Al,Cr,La)多晶陶瓷的制备,并采用脉冲激光沉积法(Pulsed laser deposition,PLD)制备了CuCrO2薄膜。结果表明:溶胶-凝胶法可以成功制备高纯CuAlO2和CuCrO2多晶材料。该方法... 采用溶胶-凝胶法和高温固相反应法进行了铜铁矿结构单相CuBO2(B=Al,Cr,La)多晶陶瓷的制备,并采用脉冲激光沉积法(Pulsed laser deposition,PLD)制备了CuCrO2薄膜。结果表明:溶胶-凝胶法可以成功制备高纯CuAlO2和CuCrO2多晶材料。该方法还可以显著降低烧结温度且使烧结时间显著缩短;所制备的名义组分CuAlO2和CuCrO2样品均呈p型半导体导电行为,CuBO2的电导率随着B位离子半径的增大而明显减小;PLD法制备的CuCrO2薄膜呈高度c轴取向,厚度～200nm的薄膜在可见光区的平均透射率～80%。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶 铜铁矿 透明导电氧化物 脉冲激光沉积 薄膜

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非晶InGaZnO薄膜成分配比对透明性和迁移率的影响 被引量：1

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作者 苏雪琼 王丽 +1 位作者 甘渝林 李宬汉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期49-52,共4页

利用固相反应法制备了富铟含量在不同成分配比下的高质量InGaZnO陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法,在基片温度为20℃、氧压为1Pa条件下,在石英玻璃衬底上生长了非晶InGaZnO薄膜,并对薄膜进行X射线衍射、透射吸收光谱、拉曼光谱与霍尔效应测... 利用固相反应法制备了富铟含量在不同成分配比下的高质量InGaZnO陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法,在基片温度为20℃、氧压为1Pa条件下,在石英玻璃衬底上生长了非晶InGaZnO薄膜,并对薄膜进行X射线衍射、透射吸收光谱、拉曼光谱与霍尔效应测试。通过对InGaZnO薄膜的测试表征,在较低温度条件下,铟含量较高的薄膜样品保持了非晶结构、可见光的高透明性和高电子迁移率,InGaZnO薄膜有望应用于电子器件。 展开更多

关键词 透明氧化物半导体 非晶IGZO薄膜 脉冲激光沉积 透明性 电子迁移率

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斜切基片上c-取向YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜的生长特性及开裂行为

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作者 王天生 漆汉宏 +4 位作者 田永君 胡文斐 赵新杰 陈莺飞 李林 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期470-472,共3页

用脉冲激光沉积方法在斜切SrTiO3 (0 0 1)基片上制备了YBa2 Cu3 O7 δ薄膜 ,并用原子力显微镜、X射线衍射仪及透射电镜研究了薄膜表面形貌、取向特征、结晶性和显微结构。结果表明 ,薄膜表面呈“台阶 台面”结构 ,并伴有与台阶边缘垂... 用脉冲激光沉积方法在斜切SrTiO3 (0 0 1)基片上制备了YBa2 Cu3 O7 δ薄膜 ,并用原子力显微镜、X射线衍射仪及透射电镜研究了薄膜表面形貌、取向特征、结晶性和显微结构。结果表明 ,薄膜表面呈“台阶 台面”结构 ,并伴有与台阶边缘垂直的裂纹产生 ,说明薄膜以“台阶流动”方式生长 ;而且薄膜具有c 轴取向 ,但其结晶性不好。在薄膜中没有观察到a b孪晶的存在。薄膜的开裂和结晶性较差均是由于斜切基片台阶表面晶格四方畸变抑制了薄膜正交转变时a b孪晶的产生 ,而使晶格错配应变不能释放造成的。 展开更多

关键词 高温超导体 生长 斜切基片 脉冲激光沉积 开裂行为 YBA2CU3O7-Δ 钙钛矿型氧化物 超导薄膜

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Ti/La0.7Ca0.3MnO3/Pt结构器件中“负”电阻开关特性研究 被引量：4

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作者 刘新军 李效民 +3 位作者 王群 杨蕊 曹逊 陈立东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期151-156,共6页

以Pt/Ti/SiO2/Si为衬底,制备了具有电阻转变特性的Ti/La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)/Pt结构器件.X射线衍射分析表明LCMO薄膜呈纳米晶或非晶态,扫描电子显微镜及原子力显微镜分析表明LCMO薄膜表面平整、光滑致密.电学测试结果表明Ti/LCMO/Pt结构... 以Pt/Ti/SiO2/Si为衬底,制备了具有电阻转变特性的Ti/La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)/Pt结构器件.X射线衍射分析表明LCMO薄膜呈纳米晶或非晶态,扫描电子显微镜及原子力显微镜分析表明LCMO薄膜表面平整、光滑致密.电学测试结果表明Ti/LCMO/Pt结构具有明显的双极型"负"电阻转变特性,低电阻态的导电过程为空间电荷限制电流机制,高电阻态的导电过程为Poole-Frenkel发射机制.利用氧化还原反应的随机性和TiOx中间层空间分布的不均匀性,定性地解释了高电阻态的不稳定性以及电流-电压曲线上的电流突变现象. 展开更多

关键词 脉冲激光沉积法 电阻开关 电脉冲诱发电阻转变 锰氧化物薄膜

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非晶CuNiSnO薄膜的生长与光电性能 被引量：3

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作者 程晓涵 吕建国 +3 位作者 岳士录 吕容恺 陈凌翔 叶志镇 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期876-879,共4页

采用脉冲激光沉积(PLD)法制备出一种新型的p型非晶氧化物-半导体非晶CuNiSnO(CNTO)。CNTO薄膜分别在室温(RT)与300℃的生长条件下获得,对其结构、光学和电学性能进行研究。研究结果表明,所得的CNTO薄膜为非晶态,表面平整,元素分布均匀... 采用脉冲激光沉积(PLD)法制备出一种新型的p型非晶氧化物-半导体非晶CuNiSnO(CNTO)。CNTO薄膜分别在室温(RT)与300℃的生长条件下获得,对其结构、光学和电学性能进行研究。研究结果表明,所得的CNTO薄膜为非晶态,表面平整,元素分布均匀。当衬底温度由RT升高至300℃时,CNTO薄膜的粗糙度由0.38nm下降至0.26nm;电阻率由高阻态转变为p型导电态,空穴浓度为4.06×1014/cm3。在300℃下生长的非晶CNTO薄膜表现为明显的p型导电,气敏测试结果进一步佐证了这一结论。此外,非晶CNTO薄膜可见光透过率达80%以上,为宽禁带非晶氧化物半导体,有望向透明显示领域发展。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 p型导电 非晶氧化物半导体 CuNiSnO 薄膜 生长温度

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(Ce0.9Gd0.1O2-δ/ZrO2:8%(摩尔分数)Y2O3)n超晶格电解质薄膜的制备与特性

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作者 苏海莹 贾晓静 +3 位作者 许彦彬 刘华艳 刘超 丁铁柱 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期9180-9183,共4页

采用脉冲激光沉积技术(PLD),在SrTiO_3(STO)单晶片上依次沉积钇稳定氧化锆(ZrO_2∶8%(摩尔分数)Y_2O_3,YSZ)和氧化钆掺杂的氧化铈(Ce_(0.9)Gd_(0.1)O_(2-δ),GDC)制备出5种不同调制周期数n(n=4,6,10,20,30)的(Ce_(0.9)Gd_(0.1)O_(2-δ)/... 采用脉冲激光沉积技术(PLD),在SrTiO_3(STO)单晶片上依次沉积钇稳定氧化锆(ZrO_2∶8%(摩尔分数)Y_2O_3,YSZ)和氧化钆掺杂的氧化铈(Ce_(0.9)Gd_(0.1)O_(2-δ),GDC)制备出5种不同调制周期数n(n=4,6,10,20,30)的(Ce_(0.9)Gd_(0.1)O_(2-δ)/ZrO_2:8%(摩尔分数)Y_2O_3)_n超晶格电解质薄膜。利用X射线衍射(XRD)、高分辨率透射电子显微镜(HR-TEM)和扫描电子显微镜(SEM),研究(GDC/YSZ)n超晶格电解质薄膜的形貌和晶体结构,发现薄膜表面颗粒生长致密、均匀,薄膜的界面处无元素扩散,外延生长状况良好,薄膜的结构优异。电化学测量研究表明,随着(GDC/YSZ)n超晶格电解质界面数的增加,其离子电导率相应增加,(GDC/YSZ)n=30超晶格电解质的离子电导率最大。 展开更多

关键词 固体氧化物燃料电池 (GDC/YSZ)n超晶格电解质 脉冲激光沉积技术 界面 电导率

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La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_(3)/PbZr_(0.4)Ti_(0.6)O_(3)/La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_(3)外延铁电电容器物理性能

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作者 薛迎港 孟浩 +3 位作者 王照文 赵文泽 刘保亭 代秀红 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2022年第4期364-369,共6页

采用脉冲激光沉积法制备La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_(3)(LSMO)薄膜,溶胶-凝胶法制备PbZr_(0.4)Ti_(0.6)O_(3)(PZT)薄膜,在SrTiO_(3)(STO)基片上制备了LSMO/PZT/LSMO异质结电容器.X线衍射(XRD)研究表明LSMO和PZT薄膜在STO基片上实现了外延生... 采用脉冲激光沉积法制备La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_(3)(LSMO)薄膜,溶胶-凝胶法制备PbZr_(0.4)Ti_(0.6)O_(3)(PZT)薄膜,在SrTiO_(3)(STO)基片上制备了LSMO/PZT/LSMO异质结电容器.X线衍射(XRD)研究表明LSMO和PZT薄膜在STO基片上实现了外延生长.LSMO/PZT/LSMO电容器具有良好的铁电性能,在5 V测试电压下,剩余极化强度为26.9μC/cm^(2),矫顽电压为2.5 V,LSMO/PZT/LSMO电容器显示出了良好的抗疲劳性能.5 V电压下电容器的漏电流密度为7.4×10^(-6) A/cm^(2),在0~2.9 V为欧姆导电机制,2.9~5 V满足空间电荷限制电流(SCLC)导电机制. 展开更多

关键词 铁电电容器 锆钛酸铅 镧锶锰氧 脉冲激光沉积法 溶胶-凝胶法 漏电机理

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