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键距差方法中等同键数值的计算机计算方法 被引量:1
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作者 吴畏 张瑞林 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第4期57-60,共4页
本文提出了一种适用于计算机使用的,简单的确定等同键数值的计算方法.并通过实例说明了本方法的基本思路和计算步聚,给出了普遍适用的计算程序框图.
关键词 等同 计算机 键距差法 晶体
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固体与分子经验电子理论的发展现状与展望 被引量:5
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作者 林成 黄士星 +1 位作者 尹桂丽 赵永庆 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期110-114,共5页
固体与分子经验电子理论(简称EET)能够给出实空间中体系的能量及电子分布情况,计算简便实用。目前EET已被广泛应用到材料科学领域,但其发展进程仍比较缓慢。综述EET的发展现状及未来趋势。从EET多重解的处理、计算精度的改善、界面电子... 固体与分子经验电子理论(简称EET)能够给出实空间中体系的能量及电子分布情况,计算简便实用。目前EET已被广泛应用到材料科学领域,但其发展进程仍比较缓慢。综述EET的发展现状及未来趋势。从EET多重解的处理、计算精度的改善、界面电子结构的计算以及合金成分设计方面详细地报道EET自我完善发展的最新进展。分析EET的优势及制约发展因素,同时也为EET未来发展提出了一些建议与想法。 展开更多
关键词 EET 键距差法 电子结构 成分设计
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钛铝合金中氧化膜TiO_2的价电子结构分析 被引量:2
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作者 于佳石 张爱民 +2 位作者 赵志伟 张秀良 林成 《绿色科技》 2017年第20期198-200,共3页
采用基于固体与分子经验电子理论(EET)提出的自洽键距差(SCBLD)法,计算了TiO_2的价电子结构参数及其结合能。计算结果表明:由于晶体结构内最强键的键能很大(205.8282KJ/mol),且在晶体内均匀分布,TiO_2表现出良好的热稳定性;TiO_2晶体内... 采用基于固体与分子经验电子理论(EET)提出的自洽键距差(SCBLD)法,计算了TiO_2的价电子结构参数及其结合能。计算结果表明:由于晶体结构内最强键的键能很大(205.8282KJ/mol),且在晶体内均匀分布,TiO_2表现出良好的热稳定性;TiO_2晶体内两种主干键的键能值大(205.8282KJ/mol和137.5898KJ/mol),约占总能量的95%,晶体在升温过程中表现出很强的抵抗热运动的能力和较高的熔点;TiO_2中较弱共价键比较多,容易产生内应力,会引发TiAl合金的脆性。 展开更多
关键词 EET 键距差法 价电子结构 结合能
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基于价电子理论的Ag-Sn金属间化合物形成机理
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作者 马立民 齐楚晗 王乙舒 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期655-662,共8页
SnAgCu焊点中的金属间化合物(intermetallic compounds,IMCs)Ag_(3)Sn脆性大且电阻高,对焊点可靠性具有重要影响,有必要明确其形成过程和相变机制以控制其生长.采用固体与分子经验电子理论(empirical electron theory,EET)研究Ag-Sn系... SnAgCu焊点中的金属间化合物(intermetallic compounds,IMCs)Ag_(3)Sn脆性大且电阻高,对焊点可靠性具有重要影响,有必要明确其形成过程和相变机制以控制其生长.采用固体与分子经验电子理论(empirical electron theory,EET)研究Ag-Sn系统中的主要扩散元素及原子运动路径,应用自洽键距差(self-consistent bond length difference,SCBLD)法计算了Ag-Sn系统内参与反应相的价电子结构及可能形成的固溶体的结合能,根据结合能变化趋势从价电子层面描述出Ag_(3)Sn在焊点内部的形成过程.研究结果表明:Ag-Sn系统中的主要扩散元素为Sn,Sn原子进入Ag晶胞形成固溶体,固溶体内原子重新排布,形成结合能更高、排布更均匀的共价键,造成晶格膨胀,位于(110)晶面和面心位置的Ag原子随之向外扩张,形成了同样具有良好对称性的Ag_(3)Sn,与前人研究Ag-Sn系统扩散的实验结果相符. 展开更多
关键词 经验电子理论(EET) 相变 扩散 金属间化合物(IMCs) 自洽键距(SCBLD) 结合能
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