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一种基于开尔文封装的SiC MOSFET器件键合线状态监测方法
1
作者
薛炳君
郭世龙
严焱津
《现代电子技术》
北大核心
2025年第4期40-44,共5页
随着SiC MOSFET器件的广泛应用,其可靠性问题备受关注。键合线失效是SiC MOSFET器件故障的主要原因,因此需要对其进行状态监测以保证器件的正常运行。文中提出一种基于开尔文封装的SiC MOSFET器件键合线状态监测方法。当键合线失效时,...
随着SiC MOSFET器件的广泛应用,其可靠性问题备受关注。键合线失效是SiC MOSFET器件故障的主要原因,因此需要对其进行状态监测以保证器件的正常运行。文中提出一种基于开尔文封装的SiC MOSFET器件键合线状态监测方法。当键合线失效时,其等效阻抗会发生变化,故在开尔文源极和功率源极之间注入恒定的高频脉动电流,将阻抗的变化转换为开尔文源极和功率源极两端电压的变化,通过该电压对键合线健康状态进行监测。实验结果表明,所提方法监测参量的变化可以直观地反映失效键合线的数目。该方法通过外加高频脉动电流源实现对键合线的监测,只需测量对应电压,参数提取简单,特征参量与键合线失效关系明显,无需复杂的数据处理和计算;此外,还不受源极电流等功率回路参数和驱动回路的影响,电路结构精简可靠,具有在线监测的潜力。
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关键词
SiC
MOSFET器件
键
合线
状态
监测
开尔文封装
键
合线失效
监测电路
高频脉动电流
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职称材料
离子束轰击硅橡胶表面键合状态的研究
被引量：
1
2
作者
赵杰
顾汉卿
陆茉珠
《天津师大学报（自然科学版）》
1991年第2期14-21,共8页
本文研究了医用硅橡胶材料被离子束轰击后,其表面浸润性,白蛋白吸附性的变化,硅橡胶样品分别在40,60,80,100keV能量下注入N^+和A_r^+,注入剂量范围为2×10^(12)×10^(17)cm^(-2)。注入后的样品测量了水接触角和白蛋白吸附量。...
本文研究了医用硅橡胶材料被离子束轰击后,其表面浸润性,白蛋白吸附性的变化,硅橡胶样品分别在40,60,80,100keV能量下注入N^+和A_r^+,注入剂量范围为2×10^(12)×10^(17)cm^(-2)。注入后的样品测量了水接触角和白蛋白吸附量。结果表明:随注入剂量的增加,表面水接触角从86°降低到59°。表面白蛋白的吸附量从16μg/cm^2增长到32μg/cm^2。用傅立叶变换衰减全反射红外光谱[FT—IR—ATR]研究了注入后表面键合状态,发现离子束打断了一些表面化学键,形成了一些新的自由基。扫描电子显微镜观察到注入前后表面形貌的变化。
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关键词
离子注入
硅橡胶
表面
键
合
状态
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职称材料
基于二级缓冲区技术的键盘工作方式
3
作者
盛威
施朝健
黄震民
《电子测量技术》
2006年第3期136-137,共2页
键盘在单片机应用系统中是一个很关键的部件,它能实现向计算机输入数据、传送命令等功能,是人工干预计算机的主要手段。本文针对现在常用的键盘编程扫描工作方式所存在的弊端,提出了一种基于二级缓冲区技术的键盘工作方式,并给出了此方...
键盘在单片机应用系统中是一个很关键的部件,它能实现向计算机输入数据、传送命令等功能,是人工干预计算机的主要手段。本文针对现在常用的键盘编程扫描工作方式所存在的弊端,提出了一种基于二级缓冲区技术的键盘工作方式,并给出了此方式的典型C51程序编程思路。关键词:单片机;编程扫描工作方式;扫描法;二级缓冲区技术;
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关键词
单片机
编程扫描工作方式
扫描法
二级缓冲区技术
键状态
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职称材料
题名
一种基于开尔文封装的SiC MOSFET器件键合线状态监测方法
1
作者
薛炳君
郭世龙
严焱津
机构
三峡大学电气与新能源学院
出处
《现代电子技术》
北大核心
2025年第4期40-44,共5页
文摘
随着SiC MOSFET器件的广泛应用,其可靠性问题备受关注。键合线失效是SiC MOSFET器件故障的主要原因,因此需要对其进行状态监测以保证器件的正常运行。文中提出一种基于开尔文封装的SiC MOSFET器件键合线状态监测方法。当键合线失效时,其等效阻抗会发生变化,故在开尔文源极和功率源极之间注入恒定的高频脉动电流,将阻抗的变化转换为开尔文源极和功率源极两端电压的变化,通过该电压对键合线健康状态进行监测。实验结果表明,所提方法监测参量的变化可以直观地反映失效键合线的数目。该方法通过外加高频脉动电流源实现对键合线的监测,只需测量对应电压,参数提取简单,特征参量与键合线失效关系明显,无需复杂的数据处理和计算;此外,还不受源极电流等功率回路参数和驱动回路的影响,电路结构精简可靠,具有在线监测的潜力。
关键词
SiC
MOSFET器件
键
合线
状态
监测
开尔文封装
键
合线失效
监测电路
高频脉动电流
Keywords
SiC MOSFET device
bond wire condition monitoring
Kelvin package
bond wire failure
monitoring circuit
high frequency pulsating current
分类号
TN386-34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
离子束轰击硅橡胶表面键合状态的研究
被引量：
1
2
作者
赵杰
顾汉卿
陆茉珠
机构
天津师范大学物理系
天津市泌尿外科研究所
出处
《天津师大学报（自然科学版）》
1991年第2期14-21,共8页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文研究了医用硅橡胶材料被离子束轰击后,其表面浸润性,白蛋白吸附性的变化,硅橡胶样品分别在40,60,80,100keV能量下注入N^+和A_r^+,注入剂量范围为2×10^(12)×10^(17)cm^(-2)。注入后的样品测量了水接触角和白蛋白吸附量。结果表明:随注入剂量的增加,表面水接触角从86°降低到59°。表面白蛋白的吸附量从16μg/cm^2增长到32μg/cm^2。用傅立叶变换衰减全反射红外光谱[FT—IR—ATR]研究了注入后表面键合状态,发现离子束打断了一些表面化学键,形成了一些新的自由基。扫描电子显微镜观察到注入前后表面形貌的变化。
关键词
离子注入
硅橡胶
表面
键
合
状态
分类号
R318.08 [医药卫生—生物医学工程]
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职称材料
题名
基于二级缓冲区技术的键盘工作方式
3
作者
盛威
施朝健
黄震民
机构
上海海事大学商船学院
出处
《电子测量技术》
2006年第3期136-137,共2页
文摘
键盘在单片机应用系统中是一个很关键的部件,它能实现向计算机输入数据、传送命令等功能,是人工干预计算机的主要手段。本文针对现在常用的键盘编程扫描工作方式所存在的弊端,提出了一种基于二级缓冲区技术的键盘工作方式,并给出了此方式的典型C51程序编程思路。关键词:单片机;编程扫描工作方式;扫描法;二级缓冲区技术;
关键词
单片机
编程扫描工作方式
扫描法
二级缓冲区技术
键状态
Keywords
MCU
programmable scan work mode
scan method
second rank buffer technology
key- state
分类号
TP31 [自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
TP334.23 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种基于开尔文封装的SiC MOSFET器件键合线状态监测方法
薛炳君
郭世龙
严焱津
《现代电子技术》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
离子束轰击硅橡胶表面键合状态的研究
赵杰
顾汉卿
陆茉珠
《天津师大学报（自然科学版）》
1991
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
基于二级缓冲区技术的键盘工作方式
盛威
施朝健
黄震民
《电子测量技术》
2006
0
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职称材料
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