直接键合硅片的亲水处理及其表征 被引量：16

1

作者 何进 陈星弼 +1 位作者 杨传仁 王新 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期23-25,29,共4页

硅片直接键合（ＳＤＢ） 技术的关键在于硅片表面的亲水处理， 本文分析了亲水处理之微观机理。从界（表） 面物理化学角度讨论了接触角对硅片表面亲水性的表征及其准确测量方法，

关键词 硅片直接键合 亲水处理 接触角 SDB技术 硅

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硅片直接键合的微观动力学研究 被引量：1

2

作者 何进 陈星弼 王新 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期33-35,共3页

基于直接键合硅片表面能与退火温度的关系曲线， 定量讨论了键合时键合界面上的微观动力学变化过程。首次提出五阶段键合模型计算值与实测表面能曲线相一致，初步确定了键合过程中界面发生的微观反应机理。

关键词 硅片直接键合 微观动力学 硅微结构

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硅片键合制备SOI衬底 被引量：2

3

作者 童勤义 《电子器件》 CAS 1996年第1期1-8,共8页

硅片键合制备ＳＯＩ衬底童勤义（东南大学微电子中心，南京２１００９６）一、引言硅片直接键合ＳＤＢ的研究与开发，从８０年代中期以来，在国际上迅速开展起来，它的最主要特点是与硅超大规模集成技术（ＶＬＳＩ）的兼容性及其自身的... 硅片键合制备ＳＯＩ衬底童勤义（东南大学微电子中心，南京２１００９６）一、引言硅片直接键合ＳＤＢ的研究与开发，从８０年代中期以来，在国际上迅速开展起来，它的最主要特点是与硅超大规模集成技术（ＶＬＳＩ）的兼容性及其自身的灵活性。相同的或不相同的，抛光的半... 展开更多

关键词 硅片键合 SOI衬底 制备

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微机械加工中的图形硅片键合技术 被引量：1

4

作者 陈德英 茅盘松 袁璟 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期321-328,共8页

重点介绍了在微机械加工中碰到的带图形硅片键合工艺，测量了不同表面处理和不同退火条件下的表面能，估算了封闭腔内的剩余压力和腔体薄壁的形变。

关键词 微机械加工 图形硅片键合 封装 半导体器件

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用硅片键合技术制备真空微二极管

5

作者 唐国洪 陈德英 +1 位作者 袁璟 周全生 《电子器件》 CAS 1994年第3期89-93,共5页

本文简述了场发射真空微二极管的工作特点、结构参数设计考虑及制备工艺技术，对键合法制备的样品进行了测试分析：起始发射电压５～６伏，反向击穿电压大于７０伏发射在田极电压为２０Ｖ时达０．５ｍＡ。

关键词 场发射 真空微二极管 硅片键合 封装

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硅片直接键合技术在双极功率器件中的应用

6

作者 茅盘松 《电子器件》 CAS 1995年第2期86-89,共4页

本文介绍了利用硅片直接键合（ＳＤＢ）技术代替三重扩散，生产ＤＫ５５双极功率器件。实验说明，ＳＤＢ片代替三重扩散无需高温长时间的扩散，由于衬底质量好，器件特性得到提高，工艺过程中碎片率减少，生产效率提高。

关键词 双极功率器件 硅片直接键合 应用

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硅片直接键合技术及应用

7

作者 唐国洪 《电子器件》 CAS 1996年第4期256-261,共6页

本文介绍了硅片键合技术和键合界面性能及其在高压功率器件。

关键词 硅片直接键合 高压功率器件 介质隔离器件

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用氧等离子体激活处理的低温硅片直接键合技术 被引量：6

8

作者 肖天龙 茅盘松 袁璟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期19-22,共4页

针对在Ｍ ＥＭＳ加工中所要求的低温键合，提出了一种用氧等离子体激活处理来降低退火温度的低温硅片直接键合技术。研究了低温ＳＤＢ的特性并得出了经过氧等离子体处理的硅片界面能比常规同条件的ＳＤＢ提高近１０ 倍的结论。最后详细... 针对在Ｍ ＥＭＳ加工中所要求的低温键合，提出了一种用氧等离子体激活处理来降低退火温度的低温硅片直接键合技术。研究了低温ＳＤＢ的特性并得出了经过氧等离子体处理的硅片界面能比常规同条件的ＳＤＢ提高近１０ 倍的结论。最后详细探讨了其键合机理。 展开更多

关键词 MEMS 低温 硅片直接键合 氧等离子体激活 IC

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采用硅片趋势键合技术的实用型H^＋—ISFET

9

作者 陈德英 周天舒 《黑龙江电子技术》 1991年第4期19-22,45,共5页

关键词 硅片键合 ISFET P^H传感器

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半导体硅片键合:MEMS制造工序中的成熟技术(英文)

10

作者 V.Dragoi P.Lindner +1 位作者 H.Kirchberger P.Kettner 《电子工业专用设备》 2007年第1期31-36,共6页

新型MEMS应用领域的发展为现有的制造技术带来了很大的挑战,并促使了满足新加工要求的制造能力的发展。根据目前MEMS制造中普遍采用的不同的晶圆键合方法及其主要工艺参数要求,开发了一种新型的晶圆键合技术。

关键词 硅片键合 微机电系统 制造工艺

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硅-硅直接键合界面上SiO_2的非稳定性 被引量：2

11

作者 何进 王新 陈星弼 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期494-497,共4页

对硅一硅直接健合界面上的SiO2进行了研究。借助高真空的AES和高分辨率的SEM显微分析观察到界面上的SiO2化学组成为非化学计量比的SiO1.5，以类球形小岛状均匀分布于键合界面上，平均半径远大于界面自然氧化层。对界面SiO2的理论分析表... 对硅一硅直接健合界面上的SiO2进行了研究。借助高真空的AES和高分辨率的SEM显微分析观察到界面上的SiO2化学组成为非化学计量比的SiO1.5，以类球形小岛状均匀分布于键合界面上，平均半径远大于界面自然氧化层。对界面SiO2的理论分析表明，为了降低界面自由能，界面SiO2必然最大限度地减少其表面积，从而以类球形小岛分布于界面上，其平均半径至少大于自然氧化层的1.5倍。假定平衡界面因子为12时，同时考虑氧扩散引起的SiO2融解和界面自由能减小引起的成核长大效应，理论计算与实验结果相吻合。 展开更多

关键词 硅片直接键合 二氧化硅 界面自由能 非稳定性

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硅—硅键合界面的TEM观察

12

作者 詹娟 刘先廷 《电子器件》 CAS 1993年第4期203-205,共3页

本文主要利用电子透射显微镜观察硅片直接键合界面,在界面处存在一无定型过渡区,证实了依靠硅片表面吸附的羟基作用完成键合时,在界面会留下极薄的硅氧化物无定形区.

关键词 硅片直接键合 硅 界面 电子透射显微镜 观察

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纳米集成电路用硅基半导体材料

13

作者 屠海令 石瑛 +1 位作者 肖清华 马通达 《中国集成电路》 2003年第46期105-110,85,共7页

随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡,对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展,讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经... 随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡,对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展,讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。 展开更多

关键词 纳米集成电路 硅基半导体材料 绝缘体上硅 锗硅 SIGE SOI 蓝宝石上外延硅 键合硅片

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SOI高温压力传感器的研究现状 被引量：9

14

作者 张书玉 张维连 +1 位作者 张生才 姚素英 《河北工业大学学报》 CAS 2005年第2期14-19,共6页

SOI(silicononinsulator)高温压力传感器是一种新型的半导体高温压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,能够解决石油、汽车、航空、航天等领域对高温压力传感器的迫切需求,在高温领域有很大的潜力.本文论述了SOI材料的制备方... SOI(silicononinsulator)高温压力传感器是一种新型的半导体高温压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,能够解决石油、汽车、航空、航天等领域对高温压力传感器的迫切需求,在高温领域有很大的潜力.本文论述了SOI材料的制备方法-特别是硅片直接键合技术(SDB),简单介绍了SOI压力传感器的优势、制作工艺以及SOI压力传感器的发展现状. 展开更多

关键词 压力传感器 SOI SiO2层 各向异性腐蚀 硅片直接键合 硅单晶片

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SDB／MCT新型功率器件的研究 被引量：2

15

作者 唐国洪 陈德英 周健 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1995年第2期54-55,共2页

本文探讨了新型功率器件ＭＣＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的电参数设计和工艺设计，通过计算机模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接键合）材料，在实验室制成了ＮＭＣＴ样品。测试结果表明，在－１２Ｖ的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａ／ｃｍ２的阳... 本文探讨了新型功率器件ＭＣＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的电参数设计和工艺设计，通过计算机模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接键合）材料，在实验室制成了ＮＭＣＴ样品。测试结果表明，在－１２Ｖ的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａ／ｃｍ２的阳极电流。 展开更多

关键词 功率器件 硅片直接键合 MCT

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自封闭低压硅场致发射二极管的研究

16

作者 秦明 黄庆安 魏同立 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期115-117,共3页

本文首次利用硅片直接键合（ＳＤＢ）技术实现了具有一定真空度的自封闭硅微二极管．实验测得该４０×４０阵列场发射二极管的开启电压只有５Ｖ左右，发射电流在２５Ｖ时可达１０－４Ａ量级．文中还对键合形成的微真空腔的机理进行... 本文首次利用硅片直接键合（ＳＤＢ）技术实现了具有一定真空度的自封闭硅微二极管．实验测得该４０×４０阵列场发射二极管的开启电压只有５Ｖ左右，发射电流在２５Ｖ时可达１０－４Ａ量级．文中还对键合形成的微真空腔的机理进行了详细的分析． 展开更多

关键词 真空微电子学 自封闭二极管 硅片直接键合

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新型功率器件MCT的研究

17

作者 唐国洪 陈德英 周健 《电子器件》 CAS 1993年第2期87-93,共7页

本文探讨了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺设计及实施方法。通过计算机工艺模拟,采用SDB(硅片直接键合)、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术,在实验室制成了MCT样品.测试结果表明.在-12伏的栅偏压下能在5μs内关断42... 本文探讨了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺设计及实施方法。通过计算机工艺模拟,采用SDB(硅片直接键合)、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术,在实验室制成了MCT样品.测试结果表明.在-12伏的栅偏压下能在5μs内关断42A/cm^2的阳极电流. 展开更多

关键词 晶闸管 功率器件 硅片直接键合 MOS控制 晶闸管

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先进封装技术的发展趋势 被引量：13

18

作者 何田 《电子工业专用设备》 2005年第5期5-8,共4页

先进封装技术不断发展变化以适应各种半导体新工艺和材料的要求和挑战。在半导体封装外部形式变迁的基础上,着重阐述了半导体后端工序的关键-封装内部连接方式的发展趋势。分析了半导体前端制造工艺的发展在封装技术上的反映。提出了目... 先进封装技术不断发展变化以适应各种半导体新工艺和材料的要求和挑战。在半导体封装外部形式变迁的基础上,着重阐述了半导体后端工序的关键-封装内部连接方式的发展趋势。分析了半导体前端制造工艺的发展在封装技术上的反映。提出了目前和可预见的将来引线键合作为半导体封装内部连接的主流方式与高性能/高成本的倒装芯片长期共存,共同和硅片键合应用在SiP、MCM、3D等新型封装当中的预测。 展开更多

关键词 封装技术 发展趋势 半导体封装 发展变化 连接方式 制造工艺 倒装芯片 内部连接 硅片键合 SIP MCM 前端 引线

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硅微机械加工技术

19

《中国集成电路》 2007年第2期94-94,共1页

本书着重介绍了硅微加工技术中应用的各种方法，包括各向异性湿法化学腐蚀，硅片键合，表面微机械加工，硅的各向同性湿法化学腐蚀，

关键词 硅微机械加工技术 湿法化学腐蚀 表面微机械加工 微加工技术 各向异性 硅片键合 各向同性

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