基于激光干涉测量的硅键合工艺分析

1

作者 马斌 陈明祥 +2 位作者 张鸿海 刘胜 汪学方 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期26-29,共4页

利用激光干涉测量法,对键合后的硅片表面翘曲进行了检测,统计了表面质量分布,对键合工艺进行筛选,优化工艺参数,表面质量得到很好的保证。

关键词 键合工艺 表面平整度 干涉法 翘曲

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硅直接键合工艺对晶片平整度的要求 被引量：3

2

作者 付兴华 黄庆安 +1 位作者 陈军宁 童勤义 《电子科学学刊》 CSCD 1994年第3期290-295,共6页

本文用弹性力学近似,给出了键合工艺对硅片表面平整度的定量要求以及沾污粒子与孔洞大小之间的关系,并用X射线双晶衍射技术和红外透射图象对键合硅片进行了实验研究。

关键词 硅 键合工艺 晶片 平整度

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100 mm InP晶圆临时键合解键合工艺技术

3

作者 莫才平 张圆圆 +6 位作者 黄晓峰 张金龙 梁星宇 樊鹏 朱长林 杜林 兰林 《电子工业专用设备》 2023年第1期7-13,共7页

InP基阵列近红外焦平面探测器的研发是近年来的热点,其器件性能的提升主要依赖于化合物半导体InP芯片的工艺优化。针对超薄InP晶圆在减薄抛光工艺过程中容易出现的形变、碎裂、损伤等问题,设计了一种临时键合及解键合工艺技术。结果表明... InP基阵列近红外焦平面探测器的研发是近年来的热点,其器件性能的提升主要依赖于化合物半导体InP芯片的工艺优化。针对超薄InP晶圆在减薄抛光工艺过程中容易出现的形变、碎裂、损伤等问题,设计了一种临时键合及解键合工艺技术。结果表明,该技术成功实现了表面具有微观结构的超薄100 mm(4英寸)InP晶圆的临时键合及解键合,有效解决了减薄生产中碎片的问题,对芯片工艺优化具有重要的指导意义。 展开更多

关键词 临时键合工艺 解键合工艺 磷化铟(InP)

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铜丝球焊键合工艺研究

4

作者 方鸿渊 钱乙余 +4 位作者 申炳初 姜以宏 宗盛安 潘瑞日 覃有徜 《电子工艺技术》 1990年第2期10-11,共2页

本文采用MW—EFO金属丝形球装置与JWYH—2型超声热压金丝球焊机进行了φ35μm的纯铜丝的球焊键合试验。对铜丝在不同的超声键合功率及超声作用条件下球焊焊点的拉脱力进行了测定,试验结果表明,铜丝球焊具有较高的键合强度,其焊点拉脱力... 本文采用MW—EFO金属丝形球装置与JWYH—2型超声热压金丝球焊机进行了φ35μm的纯铜丝的球焊键合试验。对铜丝在不同的超声键合功率及超声作用条件下球焊焊点的拉脱力进行了测定,试验结果表明,铜丝球焊具有较高的键合强度,其焊点拉脱力最高可达20克,这一结果明显优于金丝球悍的焊点强度。本文还用扫描电镜对铜丝球焊焊点的形貌进行了观察分析。 展开更多

关键词 铜丝 球焊 键合工艺 集成电路 引线

全文增补中

铜丝球键合工艺及可靠性机理 被引量：9

5

作者 鲁凯 任春岭 +1 位作者 高娜燕 丁荣峥 《电子与封装》 2010年第2期1-6,10,共7页

文章针对铜丝键合工艺在高密度及大电流集成电路封装应用中出现的一系列可靠性问题,对该领域目前相关的理论和研究成果进行了综述,介绍了铜丝球键合工艺、键合点组织结构及力学性能、IMC生长情况、可靠性机理及失效模式。针对铜丝球键... 文章针对铜丝键合工艺在高密度及大电流集成电路封装应用中出现的一系列可靠性问题,对该领域目前相关的理论和研究成果进行了综述,介绍了铜丝球键合工艺、键合点组织结构及力学性能、IMC生长情况、可靠性机理及失效模式。针对铜丝球键合工艺中易氧化、硬度高等难点,对特定工艺进行了阐述,同时也从金属间化合物形成机理的角度重点阐述了铜丝球键合点可靠性优于金丝球键合点的原因。并对铜丝球键合及铜丝楔键合工艺前景进行了展望。 展开更多

关键词 铜丝 键合工艺 可靠性 失效模式

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晶圆键合设备对准和传送机构研究综述

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作者 吴尚贤 王成君 +1 位作者 王广来 杨道国 《电子与封装》 2024年第3期1-9,共9页

随着微机电系统和3D集成封装的快速发展,多功能高性能器件、小体积低功耗器件、耐高温耐高压器件以及小型化高集成度器件是目前封装领域研究的重点。晶圆键合设备对于这些高性能、多功能、小型化、耐高温、耐高压、低功耗的集成封装器... 随着微机电系统和3D集成封装的快速发展,多功能高性能器件、小体积低功耗器件、耐高温耐高压器件以及小型化高集成度器件是目前封装领域研究的重点。晶圆键合设备对于这些高性能、多功能、小型化、耐高温、耐高压、低功耗的集成封装器件的量产起着至关重要的作用,因此对晶圆键合设备及其对准机构和传送机构的研究也十分重要。介绍了常用的晶圆键合设备与晶圆键合工艺、对准机构和传送机构的工作原理以及主要的晶圆键合设备厂商现状,同时对晶圆键合设备对准和传送机构的发展趋势进行展望,其未来将朝着高精度、高对准速度、高吸附度和高可靠性的方向发展。 展开更多

关键词 晶圆键合 键合工艺 对准机构 传送机构

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阳极键合研究现状及影响因素 被引量：7

7

作者 杜超 刘翠荣 +1 位作者 阴旭 赵浩成 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期82-88,共7页

为了提高键合质量、优化键合材料,促进阳极键合技术在工业生产中的应用,本文以"硅/玻璃"的阳极键合为例,阐述了阳极键合作为新型连接工艺的键合机理及工艺过程,介绍了现阶段阳极键合在国内外工业生产中的应用实例及相关研究,... 为了提高键合质量、优化键合材料,促进阳极键合技术在工业生产中的应用,本文以"硅/玻璃"的阳极键合为例,阐述了阳极键合作为新型连接工艺的键合机理及工艺过程,介绍了现阶段阳极键合在国内外工业生产中的应用实例及相关研究,尤其是在微电子封装领域所展现的杰出应用前景,同时结合阳极键合过程中对键合参数、材料处理等要求,给出了影响键合质量的各种因素,以及在键合过程中常出现的问题及其解决办法.本文立足于键合机理及键合工艺过程,结合不同材料特性,重点阐述了阳极键合这一新型连接工艺的国内外研究现状及影响键合的因素,为进一步提高键合质量、优化键合工艺、开发新的键合材料等提供理论依据. 展开更多

关键词 阳极键合 键合工艺 键合应用 研究现状 影响因素

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塑料芯片的红外激光加热键合研究 被引量：2

8

作者 赖建军 陈西曲 +3 位作者 周宏 易新建 汪学方 刘胜 《红外技术》 CSCD 北大核心 2004年第2期68-71,76,共5页

阐述了利用红外激光与物质相互作用的热效应实现微系统器件的局部加热键合原理。研究了红外激光键合塑料芯片的实施条件和键合工艺过程 ,建立了半导体激光键合实验装置 ,并实现了有机玻璃芯片的激光键合。

关键词 塑料芯片 红外加热 键合工艺 半导体 有机玻璃芯片 激光键合

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热超声倒装键合换能系统多模态振动与有限元分析 被引量：3

9

作者 隆志力 吴运新 +1 位作者 韩雷 钟掘 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期255-260,共6页

研究了热超声倒装键合设备的核心执行机构——换能系统的动力学特性.利用激光多谱勒测振仪测试系统末端各方向的振动速度,发现系统以轴向振动为主,但受到其他非轴向振动的干扰.非轴向振动对芯片造成芯片倾斜、键合强度降低等负面影响.... 研究了热超声倒装键合设备的核心执行机构——换能系统的动力学特性.利用激光多谱勒测振仪测试系统末端各方向的振动速度,发现系统以轴向振动为主,但受到其他非轴向振动的干扰.非轴向振动对芯片造成芯片倾斜、键合强度降低等负面影响.采用有限元方法对换能系统建模,仿真计算发现换能系统振动是各方向振动的耦合结果,且工作模态附近存在多种干扰模态.最后分析了系统多模态产生的根源并提出抑制方法. 展开更多

关键词 多模态振动 换能系统 有限元分析 热超声倒装键合工艺

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硅/硅直接键合的界面杂质 被引量：5

10

作者 陈军宁 黄庆安 +2 位作者 张会珍 秦明 童勤义 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第1期35-40,共6页

用SIMS和扩展电阻测试研究了常规p^+/n和n^+/n硅/硅键合界面的杂质O,H,C,N,Fe,Ni以及掺杂原子B,P的行为。经1 100℃ 1小时键合后,界面的H消失;O,C,N稳定;重金属杂质Fe,Ni仍在界面附近;掺杂原子B,P的扩散小于2μm。

关键词 硅材料 PN结 半导体材料 键合工艺

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CMOS芯片键合失效分析与研究 被引量：2

11

作者 刘波 崔洪波 余超 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第3期235-240,共6页

通过对CMOS芯片引线键合过程中发生铝焊盘剥落和出现"弹坑"两种现象进行分析,明确了该类故障现象的发生是由于键合焊盘受到了不同程度的机械作用而产生的不同程度的损伤。对可能造成该类故障现象的因素进行分析,主要因素有:... 通过对CMOS芯片引线键合过程中发生铝焊盘剥落和出现"弹坑"两种现象进行分析,明确了该类故障现象的发生是由于键合焊盘受到了不同程度的机械作用而产生的不同程度的损伤。对可能造成该类故障现象的因素进行分析,主要因素有:芯片自身存在结构薄弱或原始缺陷,键合材料、键合参数等匹配不佳,操作中引入的不当因素等。对引线键合的方式和原材料进行优化,选定自动金球键合工艺,并采用单一变量法和正交优化法对自动金球键合的工艺参数进行优化,给出了自动金球键合工艺参数优选范围。通过环境试验对CMOS芯片自动金球键合工艺进行了可靠性评价。 展开更多

关键词 键合焊盘露底 芯片结构缺陷 机械应力损伤 键合工艺优化 可靠性评价 控制单-变量 正交试验

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混合集成电路内键合失效模式及机理分析 被引量：4

12

作者 江国栋 汪张超 +1 位作者 何超 吕红杰 《电子质量》 2020年第6期31-37,共7页

整机小型化的发展对混合集成电路提出了更高的可靠性要求。该文通过对典型案例的介绍,阐述了混合集成电路键合失效机理、预防措施,以及键合退化失效的寿命评估方法。

关键词 键合工艺 混合集成电路 键合失效

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ACF键合中导电粒子捕捉及变形的影响机理与实验 被引量：1

13

作者 朱钦淼 陶波 +2 位作者 徐仁骁 黄扬 吴光华 《电子与封装》 2014年第3期1-4,共4页

ACF键合工艺下导电性能的提升需要对导电粒子捕捉与变形的影响机理进行深入了解。通过实验研究得到了不同键合工艺下导电粒子捕捉与变形规律,并对规律进行了理论分析。实验结果表明:随着键合压力增加,导电粒子捕捉数呈现出减少的趋势,... ACF键合工艺下导电性能的提升需要对导电粒子捕捉与变形的影响机理进行深入了解。通过实验研究得到了不同键合工艺下导电粒子捕捉与变形规律,并对规律进行了理论分析。实验结果表明:随着键合压力增加,导电粒子捕捉数呈现出减少的趋势,导电粒子的变形呈现出增大的趋势。随着键合温度增加,导电粒子变形量呈现出先增大后减小的趋势,当键合温度达到230℃时,导电粒子捕捉数骤升。 展开更多

关键词 键合工艺 粒子捕捉与变形 导电性能

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改进晶片键合质量可靠性的综合分析方法

14

作者 傅俊庆 李涵雄 韩雷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期26-30,共5页

对提高半导体工业键合工艺可靠性进行实例研究。首先进行键合工艺技术分析,采用了一种定 性方法来辨识故障。实验证实,改进的键合工艺可以降低关键事件对晶片偏转的影响。综合了控制与可靠 性工程方面的知识,提出了一种混合的分析方法。

关键词 键合工艺 可靠性 故障关键辨识 定性分析

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全自动金球引线键合机的原理和故障分析

15

作者 张士伟 张辉 韩建 《电子工业专用设备》 2023年第3期31-36,共6页

介绍了引线键合工艺的类型和特点。以全自动金球引线键合机为例,介绍了其结构组成和工艺原理,分析了影响其键合工艺稳定性的因素,并总结了金球引线键合机的常见故障以及解决方法。

关键词 键合工艺 封装技术 超声波 焊接头系统

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宇航用键合金丝评价体系及其应用研究 被引量：3

16

作者 刘媛萍 孙澜澜 +3 位作者 高鸿 张占东 孔静 贾旭洲 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期136-141,共6页

键合金丝广泛应用于小型化星载装备多芯片组件中,而复杂的空间环境要求键合金丝具有良好的可键合性和应用可靠性。本文在深入分析星载多芯片组件应用需求和典型失效模式的基础上,构建了键合金丝应用评价体系,从材料基础性能、工艺适用... 键合金丝广泛应用于小型化星载装备多芯片组件中,而复杂的空间环境要求键合金丝具有良好的可键合性和应用可靠性。本文在深入分析星载多芯片组件应用需求和典型失效模式的基础上,构建了键合金丝应用评价体系,从材料基础性能、工艺适用性和应用可靠性三个方面对键合金丝的可用性进行了全面的评估。应用本文提出的评价体系,对某国产键合金丝进行了系统应用评价,各项测试表明国产键合金丝与拟替代的进口金丝基础性能指标、可键合性和键合可靠性均相当,且在高温下国产金丝键合强度退化慢于进口金丝,呈现了更优异的应用可靠性。 展开更多

关键词 键合金丝 应用评价 材料性能 键合工艺 可靠性评估

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先进封装铜-铜直接键合技术的研究进展 被引量：5

17

作者 张明辉 高丽茵 +2 位作者 刘志权 董伟 赵宁 《电子与封装》 2023年第3期52-62,共11页

在后摩尔时代,先进三维封装技术成为实现电子产品集成化、小型化的重要出路。应用于封装互连的传统无铅锡基钎料由于存在金属间化合物脆性、电迁移失效、制备工艺限制等问题,已不再适用于窄间距、小尺寸的封装。金属铜的电阻率低、抗电... 在后摩尔时代,先进三维封装技术成为实现电子产品集成化、小型化的重要出路。应用于封装互连的传统无铅锡基钎料由于存在金属间化合物脆性、电迁移失效、制备工艺限制等问题,已不再适用于窄间距、小尺寸的封装。金属铜的电阻率低、抗电迁移性能好,其工艺制备尺寸可减小到微米级且无坍塌现象。铜-铜(Cu-Cu)直接互连结构可以实现精密制备以及在高电流密度下服役。对Cu-Cu键合材料的选择、键合工艺的特点及服役可靠性的相关研究进展进行了总结。 展开更多

关键词 Cu-Cu直接键合 先进电子封装 表面处理 键合工艺

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应用晶片键合技术制作激光器

18

作者 牛健 陈国鹰 +1 位作者 花吉珍 赵卫青 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第11期45-48,共4页

针对于普通外延生长GaAs衬底激光器材料中存在的位错严重、热胀系数不匹配等问题,总结了国外键合工艺,将其应用于发光波长为850nm的AlGaAs脊波导量子阱激光器的制造,并提出了键合过程中各项关键步骤应注意的问题和解决方法。

关键词 晶片键合 激光器材料 GAAS衬底 脊波导 键合工艺 量子阱激光器 发光波长 技术 问题 国外

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25μm Au丝引线键合正交试验研究 被引量：10

19

作者 旷仁雄 谢飞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期369-372,共4页

通过分析键合工艺参数,为25μm Au丝引线键合的应用提供实验依据。采用正交试验法对键合工艺参数进行试验研究。起决定性作用的是因素间的交互作用和劈刀的安装长度,其次为压力、超声功率、超声时间、热台温度、劈刀温度。各因素影响力... 通过分析键合工艺参数,为25μm Au丝引线键合的应用提供实验依据。采用正交试验法对键合工艺参数进行试验研究。起决定性作用的是因素间的交互作用和劈刀的安装长度,其次为压力、超声功率、超声时间、热台温度、劈刀温度。各因素影响力大小为A>B>F>C>D>E,较优工艺方案为"A_2B_2C_1D_2E_1F_1",回归模型为Y=13.124+0.731A-0.393B-0.057C+0.022D+0.013F。除以上主要影响因素,Au丝弧度也是需要考虑的。给进一步研究引线键合提供重要依据。 展开更多

关键词 金丝 引线键合 正交试验 键合工艺参数 劈刀 超声

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产品介绍：EVG501晶圆键合机

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《电子工业专用设备》 2010年第3期64-65,共2页

EVG公司最近完成了其晶圆键合组合项目-向市场推出其新一代研发用晶圆键合系统-EVG501。重新设计的这一产品为研发机构和大学提供了质优价廉的的晶圆键合工艺技术。

关键词 产品介绍 键合机 晶圆 研发机构 键合工艺

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