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MOS管选通的硅通孔键合前测试
1
作者
窦贤锐
梁华国
+3 位作者
黄正峰
鲁迎春
陈田
刘军
《电子与信息学报》
北大核心
2025年第9期3286-3291,共6页
在集成芯片的制造过程中,硅通孔(TSV)中可能会出现许多缺陷,这些缺陷会影响通过硅通孔信号的完整性,因此在早期生产阶段检测这些缺陷至关重要。现有的测试方法存在测试面积和时间开销大、测试精度低的问题。该文选择N型金属氧化物半导...
在集成芯片的制造过程中,硅通孔(TSV)中可能会出现许多缺陷,这些缺陷会影响通过硅通孔信号的完整性,因此在早期生产阶段检测这些缺陷至关重要。现有的测试方法存在测试面积和时间开销大、测试精度低的问题。该文选择N型金属氧化物半导体场效应管(NMOS)和P型金属氧化物半导体场效应管(PMOS)作为选通门,以减小共享测试的面积开销;采用两级电压比较器放大测试TSV和参考电容的电压差,可以检测大于等于50Ω的电阻性开路缺陷和小于等于9 MΩ的泄漏缺陷。与其他方案对比,该方案具有电阻性开路缺陷检测精度高、最小的测试面积和时间开销的优点。
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关键词
集成芯片
硅通孔
键合前测试
比较器
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职称材料
题名
MOS管选通的硅通孔键合前测试
1
作者
窦贤锐
梁华国
黄正峰
鲁迎春
陈田
刘军
机构
合肥工业大学微电子学院
合肥工业大学计算机与信息学院(人工智能学院)
出处
《电子与信息学报》
北大核心
2025年第9期3286-3291,共6页
基金
国家自然科学基金(62027815,62174048,62274052)
安徽省研究生教育教学改革研究重点项目(2022jyjxggyj053)
教育部产学研合作协同育人项目(220802455302758)。
文摘
在集成芯片的制造过程中,硅通孔(TSV)中可能会出现许多缺陷,这些缺陷会影响通过硅通孔信号的完整性,因此在早期生产阶段检测这些缺陷至关重要。现有的测试方法存在测试面积和时间开销大、测试精度低的问题。该文选择N型金属氧化物半导体场效应管(NMOS)和P型金属氧化物半导体场效应管(PMOS)作为选通门,以减小共享测试的面积开销;采用两级电压比较器放大测试TSV和参考电容的电压差,可以检测大于等于50Ω的电阻性开路缺陷和小于等于9 MΩ的泄漏缺陷。与其他方案对比,该方案具有电阻性开路缺陷检测精度高、最小的测试面积和时间开销的优点。
关键词
集成芯片
硅通孔
键合前测试
比较器
Keywords
Integrated chip
Through-Silicon Via(TSV)
Prebond test
Comparator
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
MOS管选通的硅通孔键合前测试
窦贤锐
梁华国
黄正峰
鲁迎春
陈田
刘军
《电子与信息学报》
北大核心
2025
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